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最新专利技术
  • 用于胃肠道重建手术后吻合口监测的无线植入式pH传感器
    用于胃肠道重建手术后吻合口监测的无线植入式pH传感器_电子科技大学_202510225632.6
    本发明提供一种用于胃肠道重建手术后吻合口监测的无线植入式pH传感器，包括压电换能器、电路模块、pH检测仓、封装层。本发明能够进行持续实时监测，降低了对患者的影响，同时避免了传统侵入性方法可能带来的风险。在生物相容性方面，该传感器经过特殊设计...
    2025-09-20
  • 一种基于AI技术的健康管理体检镜
    一种基于AI技术的健康管理体检镜_雄驹数字科技(浙江)有限公司_202510227283.1
    本发明涉及医疗健康技术领域，公开了一种基于AI技术的健康管理体检镜，包括底板，所述底板上部一侧安装有底座，所述底座上部安装有保护栏，所述保护栏内部安装有防震垫，所述防震垫上部固定安装有伸缩转动组件，所述伸缩转动组件上部安装有圆盘，所述圆盘上...
    2025-09-20
  • 一种操作部及内窥镜
    一种操作部及内窥镜_广州瑞派医疗器械有限责任公司_202510234688.8
    本申请实施例提供一种操作部及内窥镜，操作部包括外壳、驱动机构、牵引线以及导向件。外壳形成有滑槽。驱动机构的部分和牵引线的部分位于滑槽。导向件固定于滑槽，牵引线包括第一牵引段，第一牵引段穿设于驱动机构以及滑槽位于驱动机构外的部分。导向件具有导...
    2025-09-20
  • 一种鲜豆腐及其制备方法
    一种鲜豆腐及其制备方法_上海艺杏食品有限公司_202510226628.1
    本发明涉及食品加工领域，尤其涉及一种鲜豆腐及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)制备豆浆：大豆经浸泡、磨浆、过滤，获得浆液，浆液经加热处理，获得豆浆；(2)制备改性阿拉伯木聚糖：将阿拉伯木聚糖加至水中，获得混合液；调节混合液的pH，然...
    2025-09-20
  • 一种基于大蒜及富硒甘薯种植的高效种植方法
    一种基于大蒜及富硒甘薯种植的高效种植方法_枣庄市农业科学研究院_202510226953.8
    本发明涉及种植的技术领域，且公开了一种基于大蒜及富硒甘薯种植的高效种植方法，利用前茬非葱蒜类的田块，在年前大蒜，年中收获，套作硒甘薯，年末收获，提高单位面积的复种指数，达到一年两收的高效栽培方法，采用在大蒜收获后对甘薯进行栽培，进而提高生产...
    2025-09-20
  • 一种仿生微纳复合光提取结构及制备方法
    一种仿生微纳复合光提取结构及制备方法_福州大学_202510227823.6
    本发明公开了一种仿生微纳复合光提取结构，涉及光电显示领域，包括多个周期性的微型线顶多边棱锥以及施加在所述微型线顶多边棱锥上的具有长程有序性的周期性纳米凸点阵列结构，所述微型线顶多边棱锥为底面为多边形且具有两个顶端构成的线顶的立体结构，所述仿...
    2025-09-20
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510229347.1
    本发明提供一种光电二极管，包括第一半导体类型表面区域；在第一半导体类型表面区域的一部分中形成的第二半导体类型浅表面层，其中通过第一半导体类型表面区域和第二半导体类型浅表面层的PN结形成有源光电二极管区域，在浅表面层上形成有钝化涂层；覆盖第一...
    2025-09-20
  • 改善位错的沟槽隔离结构及其制造方法
    改善位错的沟槽隔离结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510229340.X
    本发明提供一种改善位错的沟槽隔离结构，包括衬底，在衬底上形成有沟槽，在沟槽表面形成有应变硅层；在沟槽中的应变硅层表面形成有线形衬垫氧化层；填充剩余沟槽的高密度等离子体氧化层。本发明中的应变硅层用于抵缓高密度等离子体氧化层的内应力，应变硅层可...
    2025-09-20
  • LDMOS深沟槽隔离结构及其制造方法
    LDMOS深沟槽隔离结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510229332.5
    本发明公开了一种LDMOS深沟槽隔离结构及其制造方法，所述LDMOS深沟槽隔离结构，深沟槽隔离穿过P阱和N型外延深入P型衬底，深沟槽隔离划分为上下两部分，上下两部分填充不同的隔离材料。本发明的深沟槽隔离环型围绕LDMOS布置，深沟槽隔离划分...
    2025-09-20
  • 提高器件耐击穿能力的方法
    提高器件耐击穿能力的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510229331.0
    本发明提供一种提高器件耐击穿能力的方法，提供芯片的元胞区版图和场限环结构版图，芯片元胞区内分布有沟槽型元胞结构；从俯视角度观察，场限环结构版图为环绕于元胞区版图外围的多圈环形图形，其中最内圈的环形图形为场限环主结图形，场限环主结图形处的四角...
    2025-09-20
  • 监控深沟槽超级结产品外延填充速率和掺杂浓度的方法
    监控深沟槽超级结产品外延填充速率和掺杂浓度的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510229339.7
    本发明提供一种监控深沟槽超级结产品外延填充速率和掺杂浓度的方法，提供衬底，在衬底上形成N型外延层，在N型外延层上利用光刻定义出深沟槽的刻蚀区域以及量测区域，其中，量测区域上的光刻胶层保留；刻蚀区域上的光刻胶层根据设计进行曝光打开，利用刻蚀在...
    2025-09-20
  • 高压Diode结构及工艺方法
    高压Diode结构及工艺方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238317.7
    本发明公开了一种高压Diode结构，在一侧的注入区与DTI之间额外增加了一个反型注入区，隔断注入区与DTI结构，防止DTI中的随机电位对PN结的影响，在正向和反向应用时，保证正反击穿电压相同。深沟槽隔离结构DTI作为器件之间的隔离，DTI穿...
    2025-09-20
  • SONOS存储器的侧墙形成方法
    SONOS存储器的侧墙形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510229343.3
    本发明提供一种SONOS存储器的侧墙形成方法，提供衬底，衬底上具有逻辑区和存储区，在衬底上的逻辑区形成有第一氧化层，存储区上形成有ONO层，ONO层由自下而上依次堆叠的第二氧化层、氮化层、第三氧化层组成，淀积多晶硅层，之后利用光刻、刻蚀的方...
    2025-09-20
  • SONOS存储器的侧墙形成方法
    SONOS存储器的侧墙形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510229342.9
    本发明提供一种SONOS存储器的侧墙形成方法，提供衬底，衬底上具有逻辑区和存储区，在衬底上的逻辑区形成有第一氧化层，存储区上形成有ONO层，ONO层由自下而上依次堆叠的第二氧化层、氮化层、第三氧化层组成，淀积多晶硅层，之后利用光刻、刻蚀的方...
    2025-09-20
  • 一种数据中心的散热控制方法、系统、介质及程序产品
    一种数据中心的散热控制方法、系统、介质及程序产品_合力光桥智慧科技(北京)有限公司_202510235659.3
    本申请涉及散热控制技术领域，尤其是涉及一种数据中心的散热控制方法、系统、介质及程序产品，方法包括获取待控制数据中心内各个服务器节点在第一预设时间段内的观察数据；基于各个服务器节点在第一预设时间段内的观察数据，和各个服务器节点在第二预设时间段...
    2025-09-20
  • 一种电子设备
    一种电子设备_联想(北京)有限公司_202510238172.0
    本申请公开了一种电子设备，该电子设备包括外壳、太阳能模组和功能部件，外壳包括转动连接的第一壳体和第二壳体，第二壳体上背向第一壳体的一侧具有凸出部，凸出部内形成有安装空间；太阳能模组设置在第二壳体内，太阳能模组包括并联设置的多个支路，每个支路...
    2025-09-20
  • 一种无线载波数据传输方法及系统
    一种无线载波数据传输方法及系统_北京光普森科科技有限公司_202510232229.6
    本发明提供一种无线载波数据传输方法及系统，涉及无线数据传输技术领域，包括：获取无线载波环境数据和无线数据，根据无线载波环境数据按照采集的时间顺序进行组合得到多个频段负载数据集，并计算各个频段的负载波动值，并计算得到各个频段的负载状态；根据无...
    2025-09-20
  • 一种基于边缘计算架构的任务迁移与服务放置方法及系统
    一种基于边缘计算架构的任务迁移与服务放置方法及系统_山东大学_202510235542.5
    本发明提供了一种基于边缘计算架构的任务迁移与服务放置方法及系统，对各设备和边缘层的通信信道进行建模，基于建模的模型，计算信道参数，基于计算的参数，考虑各设备的总成本，制定任务迁移与服务放置的联合资源优化问题；将联合资源优化问题转换为马尔可夫...
    2025-09-20
  • 发声装置和电子设备
    发声装置和电子设备_歌尔股份有限公司_202510237516.6
    本发明公开一种发声装置和电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的磁路系统的导磁轭与注塑支架一体注塑成型，注塑支架设有第一通孔，中心磁部与导磁轭之间形成第一磁间隙，中心磁部设有第二通孔，边磁部与导磁轭之间形成环绕第一磁间隙设置的第二磁间隙...
    2025-09-20
  • 发声装置和电子设备
    发声装置和电子设备_歌尔股份有限公司_202510237509.6
    本发明公开一种发声装置和电子设备，涉及电声换能技术领域，该发声装置的磁路系统的导磁轭包括一体拉伸成型的主体部和支撑部，主体部设有第一通孔，支撑部与第一通孔相对，中心磁部设于支撑部背向第一通孔的一侧并位于主体部的周向内侧，中心磁部与主体部和支...
    2025-09-20
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