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最新专利技术
  • 一种位置调节机构和贴标机
    一种位置调节机构和贴标机_北新集团建材股份有限公司_202510497951.2
    本发明公开了一种位置调节机构和贴标机，其中，位置调节机构包括：驱动件；位置调节件，与驱动件相连接，用于改变调节方向；第一调节杆，与位置调节件相连接，用于根据位置调节件的调节方向进行正转和反转；第二调节杆，与第一调节杆相连接，用于根据第一调节...
    2025-11-08
  • 一种固体废物处理装置
    一种固体废物处理装置_内蒙古立阳环保科技有限公司_202510494306.5
    本发明涉及废料处理技术领域，具体为一种固体废物处理装置，包括支撑架，所述支撑架的上端固定连接有压实筒，所述压实筒的上端固定连接有压力气缸，所述压实筒的一侧设置有用于向压实筒内侧添加物料的送料组件，所述支撑架的前端设置有用于方便压实后的固体废...
    2025-11-08
  • 一种微齿麻花钻
    一种微齿麻花钻_株洲钻石切削刀具股份有限公司_202510501193.7
    本发明公开了一种微齿麻花钻，包括轴线和沿轴线依次连接的切削部、导向部和柄部，导向部包括至少两个刃瓣和形成于刃瓣之间的螺旋排屑槽，刃瓣上设有刃带，切削部包括主切削刃、第一后刀面和第二后刀面，第二后刀面间隔分布有多个向外凸出的微齿，在垂直于主切...
    2025-11-08
  • 一种电子元器件引脚批量调节装置
    一种电子元器件引脚批量调节装置_苏州联畅电子科技有限公司_202510497710.8
    本发明公开了一种电子元器件引脚批量调节装置，包括基座、定位套、吸盘、多功能折割组件及旋转驱动组件。基座顶部的定位套通过吸盘固定电子器件，其侧部安装支架上的升降气缸驱动多功能折割组件，该组件集成折弯与切割功能：伺服电机驱动丝杠带动折弯压杆水平...
    2025-11-08
  • 莲子的综合处理方法
    莲子的综合处理方法_湖北联创食品有限公司_202510497112.0
    本发明公开了一种莲子的综合处理方法，属于农产品深加工技术领域。方法包括：收集干壳莲并送步骤S2；S2：对干壳莲进行分级，去壳机进行去壳，再进行汇总，风选后送步骤S3；S3：采用色选机进行色选，合格红莲子送步骤S4；有壳的莲子送步骤S2；半成...
    2025-11-08
  • 一种多方位驱控微纳米机器人的超声装置及其制备方法
    一种多方位驱控微纳米机器人的超声装置及其制备方法_北京大学_202510499614.7
    本发明公开一种多方位驱控微纳米机器人的超声装置及其制备方法，涉及微纳米机器人控制技术领域，超声装置包括基底基板和超声波换能器，基底基板包括用于容纳微纳米机器人的第一区域和用于设置超声波换能器的第二区域，至少两个第二区域以第一区域为中心呈辐射...
    2025-11-08
  • 一种光催化回收贵金属的膜产品及其在贵金属回收中的应用
    一种光催化回收贵金属的膜产品及其在贵金属回收中的应用_上海师范大学_202510500508.6
    本发明属于光催化材料领域，具体涉及一种光催化回收贵金属的膜产品及其在贵金属回收中的应用。本发明一种光催化剂回收贵金属的膜产品中含有多金属氧酸盐，膜产品包括但不限于膜材、或膜、或涂料、或涂层等。用于生活或生产等各领域中贵金属的回收与资源化利用...
    2025-11-08
  • 一种对象布置处理方法、程序产品与电子设备
    一种对象布置处理方法、程序产品与电子设备_网易(杭州)网络有限公司_202510506108.6
    本公开涉及一种对象布置处理方法，包括：确定待布置对象，确定针对所述待布置对象的布置参数，根据所述布置参数对所述待布置对象进行布置处理。这样，可以至少部分地解决相关技术方案中控制逻辑对固定的局限性，更好地匹配和满足不同用户或不同场景类型的交互...
    2025-11-08
  • 纳米抗体分子影像探针及其制备方法和应用
    纳米抗体分子影像探针及其制备方法和应用_北京大学深圳研究生院_202510503997.0
    本申请涉及分子影像技术领域，尤其涉及一种纳米抗体分子影像探针及其制备方法和应用。本申请提供的纳米抗体分子影像探针的分子式为[18F]AlF‑RESCA‑NECT4；其中，RESCA为螯合基团，NECT4为靶向Necti...
    2025-11-08
  • 抱石莲挥发油在制备治疗结直肠癌的药物中的应用
    抱石莲挥发油在制备治疗结直肠癌的药物中的应用_贵州大学_202510500210.5
    本发明公开了抱石莲挥发油在制备治疗结直肠癌的药物中的应用。本发明中，具有治疗结直肠癌的抱石莲挥发油是由抱石莲经水蒸气蒸馏提取得到，该挥发油通过使细胞周期阻滞在G1期抑制了结直肠癌细胞的增殖，通过线粒体途径诱导了凋亡，以及抑制细胞的迁移和侵袭...
    2025-11-08
  • 穗花牡荆苷在制备防治肥胖的药物中应用
    穗花牡荆苷在制备防治肥胖的药物中应用_杭州市第一人民医院(西湖大学附属杭州市第一人民医院)_202510500713.2
    本发明公开了穗花牡荆苷在制备防治肥胖和制药中的应用。所述穗花牡荆苷在制备防治肥胖的药物中应用，防治包括高脂饮食诱发的肥胖预防、缓解或治疗中的一种或多种，药物通常可以为溶液，含有药学上可接受的辅料。本发明的穗花牡荆苷能够促进棕色脂肪细胞的产热...
    2025-11-08
  • 虎杖苷在制备改善与修复隐睾生精功能损伤药物中的应用
    虎杖苷在制备改善与修复隐睾生精功能损伤药物中的应用_黄淮学院_202510501091.5
    本发明公开了一种虎杖苷在制备改善与修复隐睾生精功能损伤药物中的应用，属于生物医药技术领域。该药物是以虎杖苷为主要的活性成分。经实验构建小鼠隐睾模型，证明了虎杖苷能有效改善生精功能，促进隐睾小鼠的生殖修复，同时提高血清睾酮和促性腺激素释放激素...
    2025-11-08
  • 一种智能诊疗式便捷轮椅
    一种智能诊疗式便捷轮椅_襄阳职业技术学院_202510495811.1
    本发明属于生物医学工程技术领域，特别涉及一种智能诊疗式便捷轮椅，包括两组座椅组件，两组所述座椅组件上套接有弹性坐垫套，两组所述座椅组件的一端均转动连接有滚轮组件，两组所述座椅组件的一端还转动连接有靠背组件，且两组所述靠背组件上套接有弹性靠背...
    2025-11-08
  • 一种牙周袋内冲牙器
    一种牙周袋内冲牙器_中国人民解放军空军军医大学_202510496168.4
    本发明属于医疗器械技术领域，公开了一种牙周袋内冲牙器。传统的冲牙器使用冰凉的药水，其高压水流冲击会对患者牙龈敏感区域造成刺激，引发患者的不适感，甚至加剧牙周炎等病情。本发明提供的冲牙器，通过设计发电机构和加热组件，利用高压药水的动能来转化产...
    2025-11-08
  • 立体布局莲子生产线
    立体布局莲子生产线_湖北联创食品有限公司_202510497110.1
    本发明公开了一种立体布局莲子生产线，属于农产品深加工技术领域。该生产线分六层布置且其包括除杂振动筛、料仓一、分级筛一、去壳装置、汇总输送装置一、风选装置、红莲子色选装置、分级筛二、去芯装置、汇总输送装置二、料仓二、滚筒筛、分级筛三、磨皮装置...
    2025-11-08
  • 一种含有骆驼乳脂肪球膜的降血脂组合物及其应用
    一种含有骆驼乳脂肪球膜的降血脂组合物及其应用_中国农业大学_202510499327.6
    本发明公开了一种含有骆驼乳脂肪球膜的降血脂组合物及其应用，所述组合物包含按照质量计的骆驼乳脂肪球膜8‑15份、菊粉45‑55份、低聚果糖20‑30份和茶多酚1‑5份。本发明将骆驼乳脂肪球膜与菊粉、低聚果糖和茶多酚组合后得到可以降低血脂的组合...
    2025-11-08
  • 一种提高大叶榉种子发芽率的育苗方法
    一种提高大叶榉种子发芽率的育苗方法_湖南省林业科学院_202510498645.0
    本发明公开了一种提高大叶榉种子发芽率的育苗方法，属于农业种植领域，包括步骤，S1：种子筛选，选用饱满、无病虫害的大叶榉种子过水，去除漂浮于水面的空壳种子；S2：种子消毒，用10％NaClO溶液消毒10min，期间不停震荡；消毒以后用无菌水冲...
    2025-11-08
  • 一种叠层电池及其制备方法
    一种叠层电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202510510194.8
    本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种叠层电池及其制备方法。本发明的叠层电池的底电池仅N面绒面为圆滑金字塔结构；并利用HNO3/HF/H2O混合溶液单面漂洗碱制绒后的金字塔结构，使金字塔结构高度降...
    2025-11-08
  • 一种主细栅电极分离制作的背接触太阳电池制作方法
    一种主细栅电极分离制作的背接触太阳电池制作方法_福建金石能源有限公司_202510505674.5
    本发明公开了一种主细栅电极分离制作的背接触太阳电池制作方法，方法为：在聚合物薄膜上制备主栅电极，化学镀锡形成覆锡层，在覆锡层上间隔式印刷绝缘油墨，固化形成薄膜主栅电极单元；在硅片制备细栅电极，化学镀锡形成覆锡层，然后隔离N区和P区形成含细栅...
    2025-11-08
  • 一种场效应晶体管
    一种场效应晶体管_广州华瑞升阳投资有限公司_202510509316.1
    本发明提供了一种场效应晶体管，包括：n型半导体层，其具有第1主面以及与之相对的第2主面；漏电极，与n型半导体层的第2主面接触形成肖特基接触；沟槽栅极结构，包括从n型半导体层的第1主面向内延伸的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘膜包裹后而埋入于栅极沟...
    2025-11-08
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