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最新专利技术
  • 一种Micro LED的GaN集成器件及其制备方法
    一种Micro LED的GaN集成器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511152060.X
    本发明公开了一种Micro LED的GaN集成器件及其制备方法， 包括衬底；配置在所述衬底上的HEMT外延结构， 形成电连接的多个HEMT器件， 所述多个HEMT器件包括驱动HEMT DT1、参考HEMT DT2以及四个开关HEMT TS1...
    2025-10-26
  • 显示装置和用于制造该显示装置的方法
    显示装置和用于制造该显示装置的方法_三星显示有限公司_202510892321.5
    提供了一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。显示装置包括：基底， 在基底中限定有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；多个像素， 设置在基底的显示区域中， 并且包括第一电极、第二电极以及电连接到第一电极和第二电极的多个发光元件；以及第一电压...
    2025-10-26
  • 显示装置和用于制造显示装置的方法
    显示装置和用于制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202510317061.9
    提供了显示装置和用于制造显示装置的方法， 所述显示装置包括：像素电极和共电极， 位于基底上并且彼此间隔开；发光元件， 包括位于像素电极上的第一接触电极和位于共电极上的第二接触电极；以及第一连接电极和第二连接电极， 第一连接电极将第一接触电极...
    2025-10-26
  • 显示面板以及显示装置
    显示面板以及显示装置_成都辰显光电有限公司_202410309220.6
    本申请实施例提供一种显示面板以及显示装置。显示面板包括阵列分布的多个像素单元。像素单元包括第一像素组和第二像素组。每个所述第一像素组包括三个沿第一方向间隔设置的第一子像素。每个所述第二像素组包括三个沿第二方向间隔设置的第二子像素。所述第一方...
    2025-10-26
  • 一种全彩二合一SMD LED显示器件及其制备模具
    一种全彩二合一SMD LED显示器件及其制备模具_浙江英特来光电科技有限公司_202510744694.8
    本发明提出一种全彩二合一SMD LED显示器件及其制备模具， 显示器件包括对称嵌套设置在同一个支架上的显示单体， 所述显示单体的引脚仅有底面外露在支架的底面， 所述支架底部与引脚连接处设有凹槽；本发明使显示屏器件贴板后的推力大大提升， 增加...
    2025-10-26
  • 发光装置以及面状光源
    发光装置以及面状光源_日亚化学工业株式会社_202510332492.2
    本公开提供发光装置以及面状光源， 提供能宽配光地发光的发光装置以及具备该发光装置的面状光源。发光装置具备：基板；载置于所述基板上的发光元件；被配置为覆盖所述发光元件的透光性构件；和在所述透光性构件上将来自所述发光元件的出射光的至少一部分遮光...
    2025-10-26
  • 一种裸眼3D显示装置及其制备方法
    一种裸眼3D显示装置及其制备方法_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511214332.4
    本发明涉及一种裸眼3D显示装置及其制备方法， 涉及半导体显示技术领域。在本申请的裸眼3D显示装置的制备方法中， 通过在第一Micro LED单元的所述衬底的中心区域形成第一磁性金属离子注入区并在其边缘区域形成第二磁性金属离子注入区， 并设置...
    2025-10-26
  • 一种微LED的转移方法以及一种裸眼3D显示面板
    一种微LED的转移方法以及一种裸眼3D显示面板_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511199852.2
    本发明涉及一种微LED的转移方法以及一种裸眼3D显示面板， 涉及半导体显示技术领域。在本申请的微LED的转移方法中， 通过设置每个所述微LED单元的所述蓝宝石衬底中形成有第一磁性区， 且设置所述每个所述凹槽的底部形成有第二磁性区， 进而可以...
    2025-10-26
  • 一种微型发光二极管阵列转移方法
    一种微型发光二极管阵列转移方法_北京大学_202511164025.X
    本发明属于微型发光二极管显示技术领域， 提供了一种微型发光二极管阵列转移方法， 包括：微型发光二极管外延结构制备、P型电极层阵列制备、微型发光二极管台面阵列刻蚀、衬底台面阵列刻蚀、第一键合层和第二键合层制备、转移基板键合、外延衬底分离、缓冲...
    2025-10-26
  • 氮化镓CMOS与微型LED单芯片集成的制备方法及制品
    氮化镓CMOS与微型LED单芯片集成的制备方法及制品_南方科技大学_202510841800.4
    本发明涉及氮化镓CMOS与微型LED单芯片集成的制备方法及制品， 方法在商用成熟的p‑型氮化镓栅极高电子迁移率晶体管外延上， 选区外延生长micro‑LED的外延， 通过在p‑型栅HEMT的基板上制备由增强型n‑沟道HEMT、p‑沟道场效应...
    2025-10-26
  • 一种Mini LED芯片封装方法
    一种Mini LED芯片封装方法_苏州润邦半导体材料科技有限公司_202510688122.2
    本发明公开了一种Mini LED芯片封装方法， 包括如下步骤：在每个Mini LED芯片的外周的基板上点涂疏水性涂层组合物并进行热烘烤预处理形成疏水性涂层；所述涂层组合物包含有机氟树脂、表面活性剂及溶剂；在预处理后的Mini LED芯片基板...
    2025-10-26
  • 一种高压发光芯片及其制备方法
    一种高压发光芯片及其制备方法_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202510844947.9
    本发明公开了一种高压发光芯片及其制备方法， 高压发光芯片包括：缓冲层， 缓冲层的材料为未掺杂或低掺杂的半导体材料；绝缘支撑层， 位于缓冲层的一侧；绝缘支撑层的材料为掺杂有阻化杂质的半导体材料；绝缘支撑层的电阻率大于缓冲层的电阻率；至少两个发...
    2025-10-26
  • 一种高压发光芯片及其制备方法
    一种高压发光芯片及其制备方法_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202510844882.8
    本发明公开了一种高压发光芯片及其制备方法， 高压发光芯片包括并排设置且依次串联连接的至少两个发光单元；其中， 每相邻的两个发光单元之间设置有隔离槽， 隔离槽用于隔离相邻的两个发光单元；不同的发光单元共用同一连续发光层， 隔离槽位于连续发光层...
    2025-10-26
  • 发光二极管封装结构的制造方法及发光二极管封装结构
    发光二极管封装结构的制造方法及发光二极管封装结构_光感动股份有限公司_202410318752.6
    本发明公开一种发光二极管封装结构的制造方法及发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包含衬底、发光芯片、颜色转换封装体、透明封装体及减光封装体。发光芯片、颜色转换封装体、透明封装体及减光封装体设置于衬底的主侧面。颜色转换封装体包覆发光芯片。透...
    2025-10-26
  • 光源、发光模块及便携终端
    光源、发光模块及便携终端_日亚化学工业株式会社_202510363150.7
    本公开能够实现可对混色光进行调色的光源的小型化。本公开的一实施方式的光源包括：发光元件， 其包括发出第1光的第1发光部以及发出具有与所述第1光的发光峰值波长不同的发光峰值波长的第2光的第2发光部， 所述第1发光部与所述第2发光部沿着第1方向...
    2025-10-26
  • 一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法
    一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法_南昌大学_202511213880.5
    本发明提供一种改善散热与缓释应力的LED芯片及其制备方法， 通过在基板上依次设置的键合层、导热层、阻挡层、保护层、反射层以及外延层， 外延层包括朝远离所述基板方向依次设置的p型GaN层、多量子阱层以及n型GaN层， 其中， 阻挡层与导热层实...
    2025-10-26
  • 微发光二极管芯片
    微发光二极管芯片_上海显耀显示科技有限公司_202510634659.0
    本发明公开了一种微发光二极管芯片， 包括多个micro‑LED， 其中， 该多个micro‑LED中的至少一个micro‑LED包括：第一类型传导层；堆叠在该第一类型传导层上的第二类型传导层；与形成在该第一类型传导层与该第二类型传导层之间的...
    2025-10-26
  • 晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法
    晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511223273.7
    本发明涉及紫外LED制造技术领域， 尤其涉及一种晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法。包括：图形化衬底为具有凸起或凹陷的三维立体结构， 凸起或凹陷的最高点或最低点与衬底表面的高度差范围为0~10微米；凸起或凹陷由倾斜平面区域组成， ...
    2025-10-26
  • 一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法
    一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202510848080.4
    本发明公开了一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法， 涉及半导体技术领域倒装银镜发光二极管芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、布拉格反射层、金属反射层、第一绝缘层、P型金属导电层和N型金属导电层；外延层包括N型半导体层、有源发光层和P型半导体...
    2025-10-26
  • 一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置
    一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置_江西乾照光电有限公司_202511222207.8
    本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置， 涉及电子元器件技术领域， 所述紫外LED外延片包括：衬底， 以及依次层叠于所述衬底之上的N型层、多量子阱层、P型层；所述多量子阱层包括改性石墨烯层和ZnO量子阱层、以及Zn...
    2025-10-26
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