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最新专利技术
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331181.X
    一种半导体结构的形成方法， 提供基底， 基底包括第一区和第二区， 第一区和第二区的基底均包括衬底， 第一区的衬底上形成有第一沟道层， 第二区的基底中形成有由衬底和第一沟道层围成的凹槽， 凹槽底部低于第一沟道层的底部；在凹槽中形成第二沟道层。...
    2025-10-31
  • 一种碳化硅功率器件及其制备方法
    一种碳化硅功率器件及其制备方法_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202510851753.1
    本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制备方法， 所述碳化硅功率器件包括：衬底；碳化硅外延层， 设于所述衬底表面；栅极结构， 设于所述碳化硅外延层表面上或设于所述碳化硅外延层中；JFET区， 设于所述碳化硅外延层；高阻区， 设于所述JFET区中...
    2025-10-31
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510282870.0
    本发明涉及一种半导体装置， 其目的在于提供能够适当地维持上部电极彼此的电位的技术。半导体装置具备：设置于第1沟槽内的第1－1沟槽栅极结构、第1－2沟槽栅极结构以及势垒结构；设置于第2沟槽内的第2沟槽栅极结构；以及设置于第3沟槽内并与第1－2...
    2025-10-31
  • TMBS芯片的有源区元胞、TMBS芯片及电路结构
    TMBS芯片的有源区元胞、TMBS芯片及电路结构_长春长光圆辰微电子技术有限公司_202511193361.7
    本发明提供了一种TMBS芯片的有源区元胞、TMBS芯片及电路结构， 涉及TMBS芯片技术领域。使用了沟槽型肖特基与MOS二极管并联结构， 其中沟槽型肖特基的正向开启电压约0.4V左右， MOS二极管的开启电压约0.2V左右。当该二极管芯片正...
    2025-10-31
  • 功率半导体器件
    功率半导体器件_深圳市晶相技术有限公司_202510612860.9
    本发明公开一种功率半导体器件， 包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层、第三缓冲层；势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、阴极接触孔、阴极、保护层、阳极开孔、阳极导通金属、阴极开孔、阴极导通...
    2025-10-31
  • 轴向低压降高电压快恢GPP二极管制造方法
    轴向低压降高电压快恢GPP二极管制造方法_常州银河电器有限公司_202510841344.3
    本发明涉及一种轴向低压降高电压快恢GPP二极管制造方法， 步骤为：材料准备， 材料表面处理， 封装处理， 焊接， 玻璃钝化、模压和老化， 回流焊、二次老化。本发明使用经过研磨的晶圆和玻璃钝化芯片， 低温焊接， 焊接气孔更小， 正向压降和电压...
    2025-10-31
  • 一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法
    一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法_广州智明微电子科技有限公司_202510892034.4
    本发明公开了一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法。器件中N型埋层、深N阱区和第一N阱区均位于P型衬底的中间位置且由下向上依次设置；第一N阱区中包含P埋层阱区；P埋层阱区中包含第二N阱区；第二N阱区的中间包围着第一P阱区；在P型衬底上形...
    2025-10-31
  • 一种金属电容结构及其制备方法
    一种金属电容结构及其制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511203606.X
    本发明提供一种金属电容结构及其制备方法， 通过等离子体工艺在第一极板与绝缘层界面处原位生长出一层TixOy过渡层， 成功解决了界面粗糙度高的问题， 且TixOy的禁带宽度大于氮化钛的禁带宽度， 过渡层能够阻碍了载流子跨越界面的迁移， 从而抑...
    2025-10-31
  • 通过等离子体界面处理提高HZO铁电电容性能的方法
    通过等离子体界面处理提高HZO铁电电容性能的方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511165317.5
    本发明公开了一种通过等离子体界面处理提高HZO铁电电容性能的方法， 包括以下步骤：在Si衬底材料上通过淀积形成TiN底部电极；在所述TiN底部电极上通过原子层沉积ZrO2与HfO2形成HZO铁电介质层；在所述HZO铁电介质层上表面进行等离子...
    2025-10-31
  • 半导体结构以及形成方法
    半导体结构以及形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202510882334.4
    本公开提供了一种半导体结构以及形成方法， 其中， 半导体结构包括：衬底、阻挡层、凹槽结构、多个支撑结构和电容结构；其中， 阻挡层， 覆盖衬底的部分区域；凹槽结构， 贯穿阻挡层， 并延伸至衬底内部；多个支撑结构， 均设置在凹槽结构内， 且均从...
    2025-10-31
  • 电感器装置和制造方法
    电感器装置和制造方法_高通股份有限公司_202510865628.6
    一些方面涉及一种电感器装置， 该电感器装置包括：包括多个第一互连的第一金属层；包括多个第二互连的第二金属；在第一金属层与第二金属层之间的第一电介质层；以及电感器。电感器包括多个通孔， 其中多个通孔被配置为将多个第一互连耦合到多个第二互连。电...
    2025-10-31
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_浙江力积存储科技股份有限公司_202511235197.1
    本发明提供一种半导体存储装置， 其包括相互层叠的多个半导体芯片， 且具有不同于现有技术的新颖结构。半导体存储装置包括相互层叠的内存芯片1‑1、1‑2。内存芯片1‑1、1‑2包括以相同布局配置在内存芯片1‑1、1‑2之间的电路元件和布线。内存...
    2025-10-31
  • 一种电子模组和电子设备
    一种电子模组和电子设备_华为技术有限公司_202410396232.7
    本申请提供了一种电子模组和电子设备， 该电子模组包括印刷电路板和电子模块。印刷电路板包括线路层， 且印刷电路板的一侧表面为第一表面， 第一表面设置有与线路层连接的第一连接点。电子模组的一个电子模块与第一表面的一组第一连接点连接。电子模块包括...
    2025-10-31
  • 磁性随机存储器的制备方法
    磁性随机存储器的制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202410371064.6
    本发明提供一种磁性随机存储器的制备方法， 其包括：提供衬底， 衬底内形成有底部金属以及底部通孔导电结构；在衬底上沉积第一介质材料， 形成第一介质层；光刻第一介质层， 以形成对准标记凸起结构；在衬底上沉积金属材料， 形成底部互连层；根据对准标...
    2025-10-31
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410386715.9
    本申请实施例公开一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备， 涉及半导体技术领域。存储阵列包括叠层结构， 叠层结构具有沟槽组， 沟槽组包括沟槽， 该沟槽沿第一方向延伸、且贯穿叠层结构。叠层结构包括沿第三方向交替层叠的多个第一介质层和多个第一...
    2025-10-31
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202411750974.1
    根据本公开的实施例的半导体装置包括：衬底， 其包括单元区域和外围电路区域；竖直结构， 其在单元区域处沿垂直于衬底的上表面的方向延伸， 竖直结构包括在平行于衬底的上表面的第一方向上间隔开的位线和源极线；字线， 其在竖直结构的一侧处沿第一方向延...
    2025-10-31
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510890779.7
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法， 应用于半导体技术领域。在本发明中， 通过在金属硅化物层形成之后在所述基底上形成第一隔离层， 然后在所述第一隔离层上形成底部抗反射涂层， 接着， 光刻并刻蚀第一存储管栅极结构或第二存储管栅极结构， 和第...
    2025-10-31
  • 用于三维存储器的半导体结构及其制造方法
    用于三维存储器的半导体结构及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410458009.0
    本公开提供一种用于三维存储器的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基底， 具有存储元件区与围绕存储元件区的周边区， 且存储元件区包括存储阵列区与阶梯区；电路结构层， 设置于基底上；第一导电层， 设置于电路结构层上；堆叠结构， 设置于存储...
    2025-10-31
  • 半导体工艺方法
    半导体工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510896762.2
    本发明提供了一种半导体工艺方法， 涉及半导体加工技术领域， 以解决现有对叠层结构刻蚀过程中OX层和W层刻蚀侧壁凹凸不平的问题。半导体工艺方法包括主刻蚀步， 使用第一工艺气体对叠层结构进行刻蚀， 所述叠层结构由交替设置的OX层和W层形成， 所...
    2025-10-31
  • 快闪存储器装置及其形成方法
    快闪存储器装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202410880625.5
    本申请提供一种快闪存储器装置及其形成方法， 形成方法包括提供衬底， 其中衬底具有多个浅沟槽隔离部件形成于其中；于浅沟槽隔离部件上形成相应的多个隔离部件， 其中隔离部件具有第一应力；对隔离部件的多个表面部分进行表面处理工艺， 使隔离部件的表面...
    2025-10-31
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