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最新专利技术
  • 有机化合物层、有机电致发光元件和电子设备
    有机化合物层、有机电致发光元件和电子设备_出光兴产株式会社_202510360661.3
    本申请涉及有机化合物层、有机电致发光元件和电子设备。本申请提供一种有机化合物层， 其包含1种以上第一化合物， 并且含有1种以上第二化合物， 第一化合物的亲和势小于5.10eV， 第二化合物为选自式(21)所示的化合物M21和式(22)所示的...
    2025-10-24
  • 一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法_江苏先导微电子科技有限公司_202510754244.7
    本发明属于太阳能电池领域， 具体公开一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明的钙钛矿前驱体溶液中存在聚(丙烯腈‑2‑乙基丙烯酸)， 聚(丙烯腈‑2‑乙基丙烯酸)可以提高钙钛矿吸光层的结晶质量， 以提升钙钛矿电池的光电转换效...
    2025-10-24
  • 碘化铅溶液的制备方法、钙钛矿电池、光伏组件、光伏系统、用电装置和发电装置
    碘化铅溶液的制备方法、钙钛矿电池、光伏组件、光伏系统、用电装置和发电装置_宁德时代未来能源(上海)研究院有限公司_202410382175.7
    本申请涉及一种碘化铅溶液的制备方法、钙钛矿电池、光伏组件、光伏系统、用电装置和发电装置， 其中碘化铅溶液的制备方法包括以下步骤：将铅单质和碘单质在包括极性溶剂的溶剂体系中混合反应形成碘化铅溶液， 极性溶剂的给体数大于或等于20。本申请的制备...
    2025-10-24
  • 一种有机电致发光器件
    一种有机电致发光器件_北京夏禾科技有限公司_202410373902.3
    公开了一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括：阳极， 阴极， 以及设置在阳极和阴极之间的有机层， 所述有机层包括第一有机层， 第二有机层和发光层。所述阳极、第一有机层、第二有机层依次直接接触。所述第一有机层包含满足特定能级要求和掺杂...
    2025-10-24
  • 有机电致发光器件
    有机电致发光器件_北京夏禾科技有限公司_202410360964.0
    公开了有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括：阳极， 阴极， 以及设置在阳极和阴极之间的第一有机层和第二有机层；其中所述第一有机层包含由式1表示的第一化合物， 所述第二有机层包含由式2表示的第二化合物；所述第一化合物与所述第二化合物不同...
    2025-10-24
  • 一种适合大面积制备红外探测薄膜的方法
    一种适合大面积制备红外探测薄膜的方法_四川羲和瞳芯科技有限公司_202510920860.5
    本发明公开了一种适合大面积制备红外探测薄膜的方法， 属于光电探测技术领域， 通过以羧基化四氧化三铁纳米颗粒为核， 原位生长铁金属骨架壳层， 置于PECVD中处理， 碳化的核壳导电纳米球， 能够通过壳层光滑的碳层， 核层为导电的四氧化三铁纳米...
    2025-10-24
  • 一种含种子层的钙钛矿吸光层、制备方法及钙钛矿电池
    一种含种子层的钙钛矿吸光层、制备方法及钙钛矿电池_江苏盛开新能科技有限公司_202510998963.3
    本发明涉及一种含种子层的钙钛矿吸光层、制备方法及钙钛矿电池， 吸光层的制备方法包括以下步骤：制备种子层：制备第一溶液， 第一溶液包括第一钙钛矿前驱体和第一溶剂， 所述第一钙钛矿前驱体在第一溶液中的浓度为第一浓度， 将第一溶液涂覆在基底上， ...
    2025-10-24
  • 钙钛矿太阳能电池的制备方法
    钙钛矿太阳能电池的制备方法_昆明理工大学_202510922858.1
    本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法， 主要解决电子传输层表面羟基引发界面化学反应导致钙钛矿活性层分解、电池效率及工作稳定性下降的问题。其技术方案要点包括：在导电基底上旋涂硫代硫酸钠水溶液形成修饰层；在修饰层上制备电子传输层；通过在电...
    2025-10-24
  • 一种铟掺杂氧化锡钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种铟掺杂氧化锡钙钛矿太阳能电池及其制备方法_湖北万度光能有限责任公司_202510908183.5
    本发明提供一种铟掺杂氧化锡钙钛矿太阳能电池制备方法， 制备方法包括：提供导电基板；在所述导电基板上形成致密阻挡层；在所述致密阻挡层上形成电子传输层， 所述电子传输层使用铟掺杂二氧化锡浆料制备；在所述电子传输层上形成间隔层；在所述间隔层上形成...
    2025-10-24
  • 一种基于硝酸钾修饰埋底界面调控钙钛矿薄膜结晶的方法
    一种基于硝酸钾修饰埋底界面调控钙钛矿薄膜结晶的方法_南京工程学院_202510866534.0
    本发明公开了一种基于硝酸钾修饰埋底界面调控钙钛矿薄膜结晶的方法， 包括：将硝酸钾溶于DMSO；采用旋涂法将硝酸钾的DMSO溶液涂覆在二氧化钛薄膜上， 退火， 得到硝酸钾埋底界面修饰层；在硝酸钾埋底界面修饰层上制备钙钛矿层， 得到硝酸钾修饰的...
    2025-10-24
  • 一种无铅双钙钛矿太阳能电池的制备方法
    一种无铅双钙钛矿太阳能电池的制备方法_郑州大学_202410360129.7
    本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域， 涉及一种无铅双钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明提供的无铅双钙钛矿太阳能电池的制备方法包括以下步骤：在导电基体上制备电子传输层；将引入氯化咪唑衍生物的Cs2AgBiBr6无铅双钙钛矿前驱体溶液形成的混合...
    2025-10-24
  • 一种抑制量子点发光二极管效率滚降的方法
    一种抑制量子点发光二极管效率滚降的方法_绵阳锌芯钛晶科技有限公司_202410358917.2
    本发明提供一种抑制量子点发光二极管效率滚降的方法， 包括如下步骤：将量子点溶液涂覆或沉积在电子传输层或空穴传输层上制备LED， 使得量子点形成单层膜结构；所述量子点表面有配体分子；所述单层膜结构的量子点LED中至少有两个量子点间的距离为d，...
    2025-10-24
  • 有机阳离子钙钛矿前驱体溶液及其制备方法、钙钛矿层
    有机阳离子钙钛矿前驱体溶液及其制备方法、钙钛矿层_通威太阳能(成都)有限公司_202410356425.X
    本申请提供了一种有机阳离子钙钛矿前驱体溶液及其制备方法、钙钛矿层， 其中有机阳离子钙钛矿前驱体溶液包括溶剂、有机盐和式Ⅰ化合物， 式I中， R1选自取代或未取代的吡啶基、噻吩基、哌嗪基、咪唑基中的任一种。本申请能够降低钙钛矿层与氧化镍空穴传...
    2025-10-24
  • 用于锡基钙钛矿太阳能电池的光场调控掺杂方法
    用于锡基钙钛矿太阳能电池的光场调控掺杂方法_中国科学技术大学_202511196759.6
    本发明提供一种用于锡基钙钛矿太阳能电池的光场调控掺杂方法， 属于太阳能电池技术领域， 该光场调控掺杂方法包括：将锡基钙钛矿太阳能电池置于预设氛围中进行预处理， 预设氛围包括水、氧；将预处理后的锡基钙钛矿太阳能电池转移至惰性气体环境中；在惰性...
    2025-10-24
  • 一种视觉对位贴合机
    一种视觉对位贴合机_东莞市雄大自动化装备有限公司_202510833434.8
    本发明涉及OLED显示技术领域， 且公开了一种视觉对位贴合机， 包括机板、三轴移动台、视觉检测台、传送带、顶部视觉相机和底部视觉相机一， 三轴移动台安装在机板侧部， 视觉检测台远离传送带的一侧连接有取料台， 取料台上方设置有移动架， 移动架...
    2025-10-24
  • 一种基于二维半导体CrSBr实现磁场调控电致发光波长的方法
    一种基于二维半导体CrSBr实现磁场调控电致发光波长的方法_北京大学_202510744893.9
    本发明公开一种基于二维半导体CrSBr实现磁场调控电致发光波长的方法， 属于自旋电子学和光电子器件领域。本发明首先制备基于CrSBr材料的电致发光器件；然后对所述电致发光器件施加偏压， 当施加的偏压超过阈值电压时， 电致发光器件产生电致发光...
    2025-10-24
  • 钙钛矿太阳能电池产业化制备装置及其使用方法
    钙钛矿太阳能电池产业化制备装置及其使用方法_中节能太阳能科技(镇江)有限公司_202510615695.2
    本申请公开了一种钙钛矿太阳能电池产业化制备装置及其使用方法， 装置包括依次布设的空穴层制造设备、第一退火设备、钙钛矿层制造设备、真空干燥设备、第二退火设备、电子层及电极层制造设备， 上述设备之间以轨道传输设备和/或抓取设备对接， 轨道传输设...
    2025-10-24
  • 配线体、及显示装置
    配线体、及显示装置_TDK株式会社_202510364165.5
    本发明的配线体具备：基材、以及导体层， 其设置于基材上且具有沿规定的延伸方向线状地延伸的导电线， 在以与延伸方向正交的方向切断的截面图中， 导电线具有：在高度方向上随着朝向远离基材的一侧而导电线的宽度变宽的锥形部、以及配置于比锥形部更靠一侧...
    2025-10-24
  • 配线体、及显示装置
    配线体、及显示装置_TDK株式会社_202510364014.X
    本发明的配线体具备：基材、设置于基材上的网眼状的导体层、以及覆盖导体层的树脂层， 树脂层从基材侧依次具有第一树脂层和第二树脂层， 导体层贯通第一树脂层。
    2025-10-24
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202510375988.8
    根据本公开的显示设备包括：基底， 包括第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域；像素限定膜；第一金属图案；以及光阻挡层， 其中， 所述第一发射区域的在第一方向上的长度、所述第二发射区域的在所述第一方向上的长度和所述第三发射区域的在所述第一方...
    2025-10-24
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