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航空航天装置制造技术
  • 本发明涉及遥感农业数据管理技术领域,公开了基于区块链的遥感农业大数据管理系统。该系统包括图像数据,经辐射、大气及几何校正预处理,生成标准化遥感图像;特征提取模块对其进行多尺度分割,识别农作物特征区域并提取纹理、光谱、形状特征值,融合形成多维...
  • 本公开提供了一种确定资源分配信息的方法、装置、设备和介质,涉及人工智能技术领域,尤其涉及大数据处理、数据挖掘等技术领域。该方法包括:获取多个用户在多个业务场景下针对目标对象产生的交互行为数据;将多个业务场景中的不同业务场景下的交互行为数据进...
  • 本发明涉及叶绿素测定技术领域,具体公开了一种叶绿素含量自动化测定装置,包括:测定仪主体,测定仪主体包括光源发射器;指按板,测定仪主体一侧固定连接有固定杆,固定杆外壁固定连接有扭簧一,扭簧一远离固定杆一端与指按板固定连接,指按板位于光源发射器...
  • 本申请实施例提供一种基于模型预测控制的冰蓄冷设备和冷水机设备协同控制方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:根据预先建立的冷水机设备的能耗模型,确定冷水机设备的第一能耗数据,并根据预先建立的冰蓄冷设备的能耗模型,确定冰蓄冷设备的第二能耗...
  • 本发明可以增强数据分析的可靠性。例如,本发明提供了一种信息处理装置,该处理装置包括:存储单元,用于存储包括通过向多个粒子当中的单个粒子发射光而获得的光强度数据的事件数据;以及处理单元,用于处理从多个粒子获取的多个事件数据项。存储单元存储当光...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括:沟槽,沿第一表面延伸至外延层内部,第一表面为外延层背离衬底的一侧表面;源区,位于沟槽两侧外延层中,源区为对部分第一表面进行离子注入形成的区域;栅极,位于沟槽内,栅极包括沿第一方向分布...
  • 本发明涉及柔性电子技术领域,尤其涉及一种用于制备柔性衬底和导电电极的可循环使用的图案化母版及其制备方法、平坦化柔性衬底和导电电极结构。可循环使用的图案化母版包括导电基板,导电基板上设置绝缘层,绝缘层表面形成图案化凹陷结构,凹陷内填充金属层,...
  • 本发明公开了一种化学镀镍层中关键金属杂质含量的快速检测方法,涉及镀层检测领域,包括取待检测化学镀镍层工件,通过机械剥离方式获取厚度均匀的镀镍层试样,将试样裁剪为2mm×2mm的方形颗粒,置于无水乙醇中超声清洗30s后,真空干燥至恒重备用;本...
  • 本申请提供了一种空天地井一体化复合污染原位探测方法及系统,方法包括:获取目标区域宏观及精细光谱数据,确定目标区域内的污染核心区;在污染核心区内进行地面网格化原位测量与井下贯入式原位触探,获取地表及地下多模态探测数据;依据训练好的融合反演模型...
  • 本发明涉及一种多联式空调器及其控制方法,属于空调器技术领域,包括室外机、室内机组;在多联式空调器的制冷模式下,执行室内膨胀阀控制策略,获取正在运行的室内机的额定制冷量和室外机的总额定冷量;根据正在运行的室内机的额定制冷量之和,与室外机的总额...
  • 本发明提供一种颜色路由超表面的设计方法及图像传感器,所述颜色路由超表面包括若干路由单元,一个所述路由单元对应于所述目标图像传感器中的一个像素组,一个所述像素组包括感知至少两种不同波段光的多个像素单元;所述设计方法包括确定所述路由单元中的纳米...
  • 一种半导体结构及其形成方法,半导体结构的形成方法包括:提供基底;在基底上形成沟道凸起结构,沟道凸起结构包括沟道凸起部以及沟道凸起部上的第一牺牲层;形成横跨沟道凸起结构的伪栅结构,伪栅结构覆盖沟道凸起结构的部分顶部和侧壁;形成伪栅结构后,依次...
  • 本发明公开了一种高选择比锗硅刻蚀液。具体地,本发明提供的锗硅刻蚀液由以下质量百分比的组分组成:0.1%‑5%的氟化物、5%‑70%的氧化剂、0.1%‑2%抑制剂、1%‑5%缓冲组分和溶剂;各组分质量百分比之和为100%,所述的质量百分比为各...
  • 本发明属于基因工程技术领域,涉及一种重组质粒、重组系统及其构建方法和应用。该质粒在诱导启动子下,表达一个操纵子,该操纵子由CRISPR‑Cas9系统和来源于假交替单胞菌P. agarivorans Hao 2018中的Red/ET重组酶系统...
  • 本发明公开了鉴别热交换法合成粉色蓝宝石与天然粉色蓝宝石的方法,包括S1‑S5共五个步骤,S1、对待检测样品进行紫外可见光谱检测,获得相应的紫外可见光谱图;S2、取步骤S1所得样品的紫外可见光谱图,并根据光谱图中200‑700nm区间处的反射...
  • 本发明公开了一种数据处理方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品,所述方法包括:获取二次号数据文件及校验文件,基于校验文件对数据文件进行完整性校验;提取数据文件中的企业标识,确认企业标识对应的合同状态和能力有效性;基于企业标识将通过校验的...
  • 本公开的目的在于,提供一种能够抑制栅极电压的增加而降低dV/dt的半导体装置。本公开所涉及的半导体装置具备:半导体基板;基极层,设置在半导体基板的表面侧;以及2层虚拟有源沟槽,在半导体基板的表面侧贯通基极层而设置的沟槽的内部,具有在上层与发...
  • 一种近红外荧光探针及其制备方法与应用,具有化合物1所示的结构。该制备方法得到的荧光探针在近红外区有较强的紫外;在N, N二甲基甲酰胺和水形成的混合溶液中可以迅速、高效的检测半胱氨酸并在750 nm处生成新的吸收峰。该制备方法得到的荧光探针在...
  • 本实用新型公开了一种小桌板饰条,包括饰条本体,其特征在于,所述饰条本体包括圆弧条和第一插板,所述饰条本体的中部贯穿开设有插孔,所述圆弧条和第一插板共同固定连接有多个呈等间距分布的加强板,所述第一插板上贯穿开设有两个限位孔,所述圆弧条的内壁固...
  • 本发明属于功能器件,公开了一种宽禁带半导体器件,具体为基于沟道电阻调制的高线性GaN HEMT器件,其栅源间距为0.1~10微米,栅长为0.5~10微米,栅漏间距为0.1~10微米。本发明从器件本身角度出发通过对外延结构的设计来提高器件栅源...
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