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最新专利技术
  • 带易清洁涂层的玻璃制品
    带易清洁涂层的玻璃制品_日本板硝子株式会社_202480011306.9
    一种带涂层的玻璃制品，其具有玻璃基材、和所述玻璃基材上的易清洁涂层，所述玻璃基材具有抑制碱金属元素向所述涂层的扩散的功能或组成，所述易清洁涂层含有无机物作为主要成分。该玻璃制品满足从下述（i）至（iv）所构成的群中选择的至少1项。（i）所述...
    2025-09-15
  • 用于生产多层物体的方法和设备
    用于生产多层物体的方法和设备_艾萨帕克控股公司_202480008810.3
    本发明涉及一种用于通过第一层覆盖功能层的至少周边的方法，所述层被包括在旨在通过压缩模制形成物体的多层配料中，所述方法包括至少以下步骤：‑)使配料变形；‑)在配料变形的同时，暂时阻挡至少功能层的蔓延，以便通过材料的蔓延而由第一层形成材料的卷边...
    2025-09-15
  • 焊丝用矫正装置
    焊丝用矫正装置_株式会社神户制钢所_202480011112.9
    以使由数学式Cin=Lin/［｛（δin+t）/gin｝2］算出的入口侧焊丝变形参数Cin为1150~150...
    2025-09-15
  • 多孔质陶瓷层、多孔质陶瓷层叠体及分离膜
    多孔质陶瓷层、多孔质陶瓷层叠体及分离膜_住友化学株式会社_202480007972.5
    目的是提供在其上层叠功能层时能够减小功能层的阻力的多孔质陶瓷层及多孔质陶瓷层叠体。一种多孔质陶瓷层，其是由陶瓷骨梁和空隙构成的多孔质陶瓷层，其中，在将厚度方向设定为z轴时，通过三维平均截距长度(Mean Intercept Length)法...
    2025-09-15
  • 焊接控制方法、焊接系统以及焊接控制程序
    焊接控制方法、焊接系统以及焊接控制程序_株式会社神户制钢所_202480010832.3
    在使用了焊接图像的焊接控制中，维持稳定的焊接品质。基于在焊接中获取的焊接图像来控制焊接条件的焊接控制方法具有：取得步骤，基于所述焊接图像，以给定的时间间隔至少取得间隙宽度；目标值决定步骤，基于所述间隙宽度，来决定焊接行进方向所涉及的熔池信息...
    2025-09-15
  • 番茄及番茄植株的栽培方法
    番茄及番茄植株的栽培方法_富士胶片株式会社_202480008052.5
    本发明提供一种番茄红素含量为12mg/100g以上且小于30mg/100g，脯氨酸含量为10mg/100g以上且小于300mg/100g的番茄等及番茄植株的栽培方法。
    2025-09-15
  • 在无线通信环境中用于确定电磁波区域的方法和装置
    在无线通信环境中用于确定电磁波区域的方法和装置_现代自动车株式会社_202480008981.6
    本发明涉及一种在无线通信环境中用于确定电磁波区域的技术，并且可以提供一种基站的方法，其中，基站的方法可以包括以下步骤：获得在基站与终端之间的至少两条传输路径中生成的至少一个相位差；确定至少一个相位差是否满足远场假设；以及在远场假设是否得到满...
    2025-09-15
  • 用于信道状态信息反馈的方法和布置
    用于信道状态信息反馈的方法和布置_英特尔公司_202480008225.3
    逻辑可以确定预编码器矩阵指示符(PMI)。逻辑可以对信道矩阵进行预处理以生成针对编码器神经网络(NN)的输入矩阵。逻辑可以基于输入矩阵利用编码器NN来推断PMI位的集合。逻辑可以使得经由接口在信道状态信息(CSI)报告中传输PMI位的集合。...
    2025-09-15
  • 用于气溶胶生成系统的具有流体通道的感受器组件及制造方法
    用于气溶胶生成系统的具有流体通道的感受器组件及制造方法_菲利普莫里斯生产公司_202480008763.2
    提供了一种用于气溶胶生成系统的感受器组件(212)，其包括呈片材的形式的感受器元件(216)和形成在片材的表面中或片材的表面上的至少一个通道(221)。至少一个通道配置成通过毛细管作用跨过片材的表面输送液体气溶胶形成基质。至少一个通道从感受...
    2025-09-15
  • 用于处理音频对象的方法和设备
    用于处理音频对象的方法和设备_L-声学科技公司_202480009134.1
    一种用于生成至少一个输出音频对象的方法，该方法包括：获得(710)与相应的输入音频信号和输入对象元数据相关联的第一组输入音频对象；允许(720)用户定义包括组分析函数和元数据生成函数的第一函数链，其中该组分析函数被配置为对该第一组中的输入音...
    2025-09-15
  • 用于半导体制造处理的机器学习模型
    用于半导体制造处理的机器学习模型_应用材料公司_202480011174.X
    本公开描述用于训练及部署机器学习预测模型以用于半导体制造处理的方法及系统。具体而言，本公开提供使用设计数据、处理参数、来自像素化喷淋头的气体流动配置、静电卡盘上的温度分布曲线、及已处理晶片的所测量的均匀性分布曲线来训练用于制造部件的机器学习...
    2025-09-15
  • 无机纤维片
    无机纤维片_巴川集团股份有限公司_202480009717.4
    提供一种具有优异性能的无机纤维片。本发明的一个方式为一种无机纤维片，其特征在于，含有第一无机纤维、第二无机纤维及有机物，所述第一无机纤维的平均纤维直径比所述第二无机纤维的平均纤维直径大，所述第二无机纤维是人造结晶性纤维，所述有机物是（a）熔...
    2025-09-15
  • 聚酰亚胺多孔膜造孔用的树脂粒子及其制造方法
    聚酰亚胺多孔膜造孔用的树脂粒子及其制造方法_综研化学株式会社_202480011252.6
    本发明提供能够抑制浆料粘度上升的聚酰亚胺多孔膜造孔用的树脂粒子。根据本发明，提供一种聚酰亚胺多孔膜造孔用的树脂粒子，所述树脂粒子由(甲基)丙烯酸系树脂构成，所述(甲基)丙烯酸系树脂中的(甲基)丙烯酸单体单元的比例为60～100质量％，所述树...
    2025-09-15
  • 用于机动车辆的车身底部保护装置、用于牵引电池的电池壳体、用于机动车辆的牵引电池和具有车身底部保护装置的机动车辆
    用于机动车辆的车身底部保护装置、用于牵引电池的电池壳体、用于机动车辆的牵引电池和具有车身底部保护装置的机动车辆_考特克斯·特克斯罗恩有限公司及两合公司_202480008283.6
    本发明涉及一种用于机动车辆的车身底部保护装置(1)，该车身底部保护装置具有至少一个基座部件(10)、至少一个保护元件(20)和至少两个肋(30)。至少两个肋(30)夹在保护元件(20)和基座部件(10)之间，在保护元件(20)和基座部件(1...
    2025-09-15
  • 连杆机构、连杆装置及拉伸机
    连杆机构、连杆装置及拉伸机_株式会社日本制钢所_202480009099.3
    连杆机构所具备的夹具(21)具有：杆部(421)，其能够旋转地设于主体部(41)；抓持件(422)，其能够旋转地设在杆部(421)的一端，被压抵于树脂膜的一侧的面而与主体部(41)的一部分一起夹入树脂膜从而抓持树脂膜；和姿势保持部(423)...
    2025-09-15
  • 拉伸机及拉伸机用的轨道
    拉伸机及拉伸机用的轨道_株式会社日本制钢所_202480008878.1
    拉伸机包括被连结以构成环形链的多个连杆机构和供连杆机构行进的轨道(14)。轨道(14)是多个部分轨道(141)沿着轨道(14)延伸的延伸方向连结而构成的。在轨道(14)的两个侧面(142)中的至少一者上安装有板部件(147)。板部件(147...
    2025-09-15
  • 一种栅介质薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法
    一种栅介质薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202410192380.7
    本发明公开了一种栅介质薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法，栅介质薄膜生长工艺包括：执行原子层沉积的一次工艺循环，在基底表面上形成非晶栅介质薄膜；在所述一次工艺循环完成后，执行原位气体等离子体处理，得到处理后由所述非晶栅介质薄膜转变成的单晶...
    2025-09-15
  • 转运蛋白ABCA8阳性癌症相关成纤维细胞在制备诊断试剂盒中的用途及转运蛋白ABCA8在药物筛选中的用途
    转运蛋白ABCA8阳性癌症相关成纤维细胞在制备诊断试剂盒中的用途及转运蛋白ABCA8在药物筛选中的用途_上海交通大学医学院附属仁济医院_202510726899.3
    本发明提供了转运蛋白ABCA8阳性癌症相关成纤维细胞作为标记物在制备诊断SETD2缺陷胰腺癌的试剂盒中的用途。本发明还提供了转运蛋白ABCA8阳性癌症相关成纤维细胞作为制备诊断高氧化磷酸化代谢特征胰腺癌的标记物的用途。本发明还提供了转运蛋白...
    2025-09-15
  • 一种晶体氮化铝薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法
    一种晶体氮化铝薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202410192379.4
    本发明公开了一种晶体氮化铝薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法，晶体氮化铝薄膜生长工艺依次包括：提供基底；在第一温度下，采用原子层沉积工艺的一次工艺循环，依次包括：通入三甲基铝，进行氮气吹扫，通入氨气等离子体，再次进行氮气吹扫，在基底表面上...
    2025-09-15
  • 一种耐压氮化硅薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法
    一种耐压氮化硅薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202410192378.X
    本发明公开了一种耐压氮化硅薄膜生长工艺及HEMT器件和制备方法，耐压氮化硅薄膜生长工艺包括：提供基底；通入第一前驱体；通入第一气体进行吹扫；通入第二前驱体；通入第二气体进行吹扫；执行原位第三气体等离子体处理，得到耐高压的致密氮化硅薄膜。利用...
    2025-09-15
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