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最新专利技术
  • 一种BC太阳能电池的制备方法
    一种BC太阳能电池的制备方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511120101.7
    本发明公开了一种BC太阳能电池的制备方法， 涉及BC电池制备技术领域， 具体包括：选取N型硅片进行碱抛光处理；单面沉积隧穿氧化层和第一本征硅层；磷扩处理形成N型多晶硅；背面沉积氮化硅钝化层；正面碱制绒形成金字塔结构；正面依次沉积氧化铝和氮化...
    2025-10-27
  • 基于纳米材料的半导体薄膜制备方法
    基于纳米材料的半导体薄膜制备方法_重庆海视源科技有限公司_202510979014.0
    本发明涉及半导体材料技术领域， 公开了基于纳米材料的半导体薄膜制备方法， 包括以下步骤：步骤一、准备石墨烯、过渡金属二硫化物材料和量子点， 并将其以预定比例混合， 形成复合溶液；步骤二、将复合溶液涂布到基底上， 通过旋涂法、喷涂法或浸涂法形...
    2025-10-27
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_长三角太阳能光伏技术创新中心_202510932300.1
    本申请提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池， 所述制备方法包括：提供太阳能电池本体；采用原子层沉积法在所述太阳能电池本体的至少部分表面沉积亚波长纳米层；所述至少部分表面包括正面表面、背面表面和侧面表面中的一种或多种；采用水热法对设有所述...
    2025-10-27
  • 基于动态压力反馈的光伏组件真空层压系统及其控制方法
    基于动态压力反馈的光伏组件真空层压系统及其控制方法_晋能清洁能源科技股份公司_202510896472.8
    本发明涉及伏组件制造技术领域， 具体为基于动态压力反馈的光伏组件真空层压系统， 包括：控制模块；动态压力调节模块， 包括压电薄膜传感器和伺服电机， 压电薄膜传感器用于检测光伏组件受到的压力， 控制模块计算获得实时最优压力后控制伺服电机动作以...
    2025-10-27
  • 一种金属条互联的光伏组件制备方法
    一种金属条互联的光伏组件制备方法_马鞍山凌众新能科技有限公司_202510889607.8
    本发明涉及光伏叠片组件技术领域， 特别是本发明涉及一种金属条互联的光伏组件制备方法， 本发明改进导电背板的制作方式， 去除了覆膜工序、裁切工序、撕线工序， 缩短导电背板的加工时间， 提升生产效率；本发明无需进行大范围的刻蚀金属箔， 降低刀片...
    2025-10-27
  • 电池片的制作方法和电池片
    电池片的制作方法和电池片_中能创低碳新能源科技(常州)有限责任公司_202510881663.7
    本发明公开了电池片的制作方法和电池片， 电池片的制作方法包括：对硅片边缘依次进行粗抛和精抛， 得到抛光硅片；其中精抛使用的抛光液中含有抛光蜡， 对抛光硅片进行退火和冷却， 得到退火硅片；对退火硅片进行一次等离子清洗， 得到一次清洗硅片；在一...
    2025-10-27
  • 一种太阳能电池以及制备方法、装置
    一种太阳能电池以及制备方法、装置_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510857449.8
    本发明提供一种太阳能电池以及制备方法、装置。该方法包括：在激光烧结之前， 利用辐照强度检测仪实时监测紫外线钝化装置的当前辐照强度；将所述当前辐照强度与预设辐照强度进行比较， 并根据比较结果， 来调整紫外线钝化装置的电流， 以使辐照强度满足预...
    2025-10-27
  • TBC太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    TBC太阳能电池及其制备方法、光伏组件_芜湖协鑫集成新能源科技有限公司_202510803679.6
    本发明提供了TBC太阳能电池及其制备方法、光伏组件。制备TBC太阳能电池的方法包括：在硅衬底背面形成第一隧穿氧化层、第一p型掺杂多晶硅层、第一玻璃层， 第一玻璃层对激光的反射率大于等于70％；在第一玻璃层的一侧形成第二p型掺杂多晶硅层和第二...
    2025-10-27
  • 在晶体硅太阳能电池的p型表面之上进行金属化的方法及太阳能电池
    在晶体硅太阳能电池的p型表面之上进行金属化的方法及太阳能电池_江苏祥环科技有限公司_202410388499.1
    本发明提供了一种在晶体硅太阳能电池的p型表面之上进行金属化的方法及太阳能电池。该方法包括：在晶体硅太阳能电池的p型表面之上形成包含铝金属或铝硅合金的第一层；在第一层上形成包含镍金属或镍硅合金的第二层；以及在第二层上形成包含铜金属的第三层。通...
    2025-10-27
  • 活化处理后清洁CdTe基薄膜层表面的方法和形成光伏设备方法
    活化处理后清洁CdTe基薄膜层表面的方法和形成光伏设备方法_中国建材国际工程集团有限公司_202410368072.5
    本发明涉及一种在活化处理后清洁CdTe基薄膜层表面的方法。该方法包括形成CdTe基薄膜层， 在有活化剂存在的情况下进行活化处理， 并用含有甲磺酸的溶液清洁CdTe基薄膜层。此外， 本发明还提供了一种用于形成光伏设备的方法， 其包括在活化处理...
    2025-10-27
  • 提升多晶硅钝化和接触性的方法及太阳能电池的制备方法
    提升多晶硅钝化和接触性的方法及太阳能电池的制备方法_泰州中来光电科技有限公司_202410357796.X
    本发明属于太阳能电池技术领域， 提供一种提升多晶硅钝化和接触性的方法及太阳能电池的制备方法， 该提升多晶硅钝化和接触性的方法包括：在硅片表面制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层表面制备第一杂原子掺杂非晶硅层；杂原子为C、N、O中的一种或多种；在第一...
    2025-10-27
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410285832.6
    本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 图像传感器制备包括：提供包括器件功能层的半导体基底， 器件功能层中形成有电性改性层， 电性改性层朝向半导体基底的第二面的一侧显露于器件功能层；于器件功能层中制备器件隔离区， 器件隔离区远离半...
    2025-10-27
  • Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器
    Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511188486.0
    本申请提供了一种Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器， 属于红外焦平面阵列芯片领域；解决了现有技术台面刻蚀深度较深导致红外焦平面阵列芯片的表面漏电流较大的问题；该方法包括以下步骤：外延材料生长和清洗；硬掩膜沉积、台面光刻和刻...
    2025-10-27
  • 异质集成单行载流子光电探测器阵列以及制备方法和应用
    异质集成单行载流子光电探测器阵列以及制备方法和应用_西南交通大学_202510800829.8
    本发明公开了一种异质集成单行载流子光电探测器阵列及其制备方法和应用， 在薄膜铌酸锂平台上制备脊波导及多模干涉耦合器结构， 采用1×N多模干涉耦合器， 通过N个波导向光电探测器馈送光信号；外延层结构采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬...
    2025-10-27
  • 一种图像传感器的制备方法及图像传感器
    一种图像传感器的制备方法及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511235297.4
    本申请公开了一种图像传感器的制备方法及图像传感器， 图像传感器的制备方法包括：在衬底上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成抗蚀剂掩模层， 并且采用纳米压印工艺图案化抗蚀剂掩模层；经由图案化的抗蚀剂掩模层刻蚀硬掩模层以及衬底， 在衬底中形成深沟槽；...
    2025-10-27
  • 一种半导体结构及其制备方法、图像传感器及电子设备
    一种半导体结构及其制备方法、图像传感器及电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202511232816.1
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法、图像传感器及电子设备， 涉及半导体技术领域， 半导体结构包括：依次层叠设置的至少两个半导体基底；相邻两个半导体基底的键合表面包括导电网格结构， 导电网格结构包括分别位于两个半导体基底上的间隔排布的多条...
    2025-10-27
  • 半导体结构及其制备方法、图像传感器
    半导体结构及其制备方法、图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511221844.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、图像传感器， 所述半导体结构包括：衬底；衬底中形成有阱区；浅沟槽隔离结构， 浅沟槽隔离结构用于在所述阱区中定义像素单元；其中， 浅沟槽隔离结构与阱区之间还设置有对浅沟槽隔离结构的侧壁和底部形成包围的N...
    2025-10-27
  • 图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备
    图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511172933.3
    本申请公开了一种图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备。其中， 图像传感器的制备方法包括：提供一形成有浅槽隔离结构的衬底；在浅槽隔离结构的上方形成绝缘层；在绝缘层上形成多个间隔分布的隔离区域；在每个隔离区域形成具有双层的交错结构的光电二...
    2025-10-27
  • 背照式图像传感器制备方法、背照式图像传感器及电子设备
    背照式图像传感器制备方法、背照式图像传感器及电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511159111.1
    本申请涉及一种背照式图像传感器制备方法、背照式图像传感器及电子设备， 包括：提供衬底， 衬底内包括经由衬底的第一表面朝向衬底内延伸， 且沿平行于第一表面的第一方向间隔排布的多个第一隔离结构；于第一表面上形成第一SiP层， 以及沿朝向衬底的第...
    2025-10-27
  • 掩模及其形成方法、图像传感器的形成方法
    掩模及其形成方法、图像传感器的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510905170.2
    一种掩模及其形成方法、图像传感器的形成方法， 其中掩模的形成方法包括：在衬底上形成阻挡结构材料层；在所述阻挡结构材料层上形成图形化的光阻层；将所述光阻层的图形转移至所述阻挡结构材料层， 形成阻挡结构， 所述阻挡结构的平均刚度大于所述光阻层的...
    2025-10-27
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