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最新专利技术
  • 显示面板及其制造方法
    显示面板及其制造方法_武汉华星光电技术有限公司_202510786689.3
    本申请提供了一种显示面板及其制造方法。显示面板包括基板、半导体层、钝化层、层间绝缘层、栅绝缘层、源极、漏极、第一连接件和第二连接件。钝化层、层间绝缘层和栅绝缘层中设置有第一通孔和第二通孔， 在垂直于基板的方向上， 第一通孔和第二通孔的底面均...
    2025-10-28
  • 阵列基板和显示面板
    阵列基板和显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510803588.2
    本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板；该阵列基板包括衬底和设于所述衬底上的有源层、源漏极层、钝化层和连接电极层， 所述连接电极层包括多个连接电极， 所述连接电极连接所述有源层和所述源漏极层， 所述钝化层覆盖所述源漏极层且所述钝化层为连续膜...
    2025-10-28
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510820201.4
    本申请实施例公开了一种阵列基板及显示面板， 本申请实施例阵列基板包括遮光层和第一有源层， 遮光层的第一极板和第一有源层的第一导电部至少部分重叠形成第一存储电容；所述第一极板包括第一电极部和第二电极部， 所述第一导电部包括第一部和第二部， 第...
    2025-10-28
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510828500.2
    本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板；该阵列基板通过将第一电极层设置于源漏极层与层间绝缘层之间， 可以采用半透光掩模板对第一电极层和层间绝缘层进行蚀刻， 减少工艺步骤， 且使得第一过孔的侧壁与第一过孔的底面所在的平面的夹角大于...
    2025-10-28
  • 显示面板及其制作方法
    显示面板及其制作方法_武汉华星光电技术有限公司_202510828680.4
    本申请提供了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括：栅极绝缘层；栅极和第一金属构件， 设置在栅极绝缘层上；层间绝缘层， 设置在栅极、第一金属构件和栅极绝缘层上；源极、漏极和第二金属构件， 设置在层间绝缘层上；其中， 第一金属构件与第二金属...
    2025-10-28
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510828722.4
    本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板；该阵列基板通过使第二绝缘层开设有多个第一过孔和多个凹槽， 一第一过孔与一有源图案对应， 且在第一方向上， 凹槽设置于相邻两个第一过孔之间， 第一过孔和凹槽仍然能够组成一条槽， 从而可以减小...
    2025-10-28
  • 显示面板
    显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202510829594.5
    本申请提供了一种显示面板， 包括基板、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极、漏极、像素电极、钝化层、公共电极、第一连接件和第二连接件。钝化层、层间绝缘层和栅极绝缘层中设置有贯穿的第一通孔和第二通孔， 钝化层中设置有贯穿的第三...
    2025-10-28
  • 显示面板及显示终端
    显示面板及显示终端_武汉华星光电技术有限公司_202510829635.0
    本申请涉及一种显示面板及显示终端。显示面板包括基板、有源部、栅绝缘层和栅极， 有源部包括沟道部、第一掺杂部和第二掺杂部， 第一掺杂部的离子平均浓度小于第二掺杂部的离子平均浓度；栅绝缘层包括覆盖沟道部及第一掺杂部的第一子层， 第一子层对应第一...
    2025-10-28
  • 阵列基板、显示面板以及显示装置
    阵列基板、显示面板以及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510893231.8
    本申请公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置， 涉及显示设备技术领域， 阵列基板包括：基板；位于基板一侧的电路层， 电路层至少包括串联的第一晶体管和第二晶体管， 第一晶体管和第二晶体管在第一方向上相邻设置， 第一方向平行于基板所在平面；第...
    2025-10-28
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_湖北长江新型显示产业创新中心有限公司_202510898080.5
    本申请公开了一种显示面板及显示装置， 涉及显示技术领域， 该显示面板中， 氧化物薄膜晶体管包括位于衬底一侧的第一氧化物层和位于第一氧化物层背离衬底一侧的第二氧化物层， 这两层氧化物层并联连接于源极电极和漏极电极之间， 构成纵向上层叠且并联的...
    2025-10-28
  • 异质结电池
    异质结电池_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202510925067.4
    本发明公开了一种异质结电池， 所述异质结电池包括硅衬底及层叠于所述硅衬底至少一侧表面上本征叠层， 所述本征叠层包括与所述硅衬底一侧表面相接触的第一本征层及与所述第一本征层相接触的第二本征层， 所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量小于所...
    2025-10-28
  • 一种背面接触太阳能电池结构及其制造工艺
    一种背面接触太阳能电池结构及其制造工艺_泰州中来光电科技有限公司_202410376703.8
    本发明涉及光伏电池技术领域， 具体公开了一种背面接触太阳能电池结构及其制造工艺。其包括硅片， 所述硅片背面交替设有制绒面与抛光面， 所述制绒面上形成有P型掺杂区， 所述P型掺杂区以及抛光面上整面沉积隧穿氧化层与本征多晶硅， 所述本征多晶硅在...
    2025-10-28
  • 一种层压单元及层压机
    一种层压单元及层压机_秦皇岛奥特维智远设备有限公司_202410243446.0
    本申请提供了一种层压单元及层压机， 包括上加热板、下加热板及压板， 其中：下加热板固定贴装在上加热板的下表面， 下加热板与上加热板之间形成有气腔， 上加热板上设置有与气腔连通的抽气孔， 下加热板上设置有若干与气腔连通的吸附孔， 吸附孔具有位...
    2025-10-28
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202510950733.X
    本申请提供一种光伏组件， 涉及光伏技术领域， 光伏组件包括沿第一方向串联连接的两个电池串组， 电池串组包括第一电池串组和第二电池串组；第一电池串组包括多个并联连接的第一电池串， 第二电池串组包括多个并联连接的第二电池串， 所有第一电池串和所...
    2025-10-28
  • 晶硅电池组件、制备方法及光伏系统
    晶硅电池组件、制备方法及光伏系统_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202511153356.3
    本申请公开了一种晶硅电池组件、制备方法及光伏系统， 属于太阳能电池技术领域。晶硅电池组件包括多个晶硅电池片， 多个晶硅电池片包括第一晶硅电池片和第二晶硅电池片， 第一晶硅电池片中的向光面设有第一连接件， 第二晶硅电池片的背光面设有第二连接件...
    2025-10-28
  • 焊带、串焊装置和光伏组件
    焊带、串焊装置和光伏组件_天合光能股份有限公司_202511221127.0
    本申请实施例提供一种焊带、串焊装置和光伏组件， 属于光伏电池生产技术领域。其中， 焊带包括至少两个侧面， 其中， 至少两个侧面中包括至少一个第一目标侧面， 第一目标侧面在至少一个目标区域镀设有磁性材料， 以使得第一目标侧面基于磁力件的吸附引...
    2025-10-28
  • 背照式倒装键合改进型单行载流子光电探测器及其封装
    背照式倒装键合改进型单行载流子光电探测器及其封装_西南交通大学_202510800758.1
    本发明公开了一种背照式倒装键合改进型单行载流子光电探测器及其封装方法， 在半绝缘磷化铟衬底上采用金属有机化学气相沉积技术外延生长层结构， 采用渐变掺杂的铟镓砷吸收层形成准电场， 以加速光生载流子的传输；引入两个铟镓砷磷四元层以缓解因InGa...
    2025-10-28
  • 基于双异质结纳米线网络的深紫外光电探测器及其制作方法
    基于双异质结纳米线网络的深紫外光电探测器及其制作方法_厦门大学_202510841141.4
    本发明公开一种基于双异质结纳米线网络的深紫外光电探测器及其制备方法， 包括由下到上的衬底、双异质结纳米线网络层和平行金属电极， 第一电极下方的双异质结纳米线网络层为铜芯纳米线并作为深紫外光电探测器的其中一个电极与第一电极电连接；其他区域下方...
    2025-10-28
  • 一种半导体中子探测器及其制造方法
    一种半导体中子探测器及其制造方法_嘉善复旦研究院_202511177261.5
    本发明提供一种半导体中子探测器及其制造方法。一种半导体中子探测器， 包括：半导体衬底层；形成于所述半导体衬底层表面的沟槽阵列， 所述沟槽阵列在所述半导体衬底层表面限定出隔离于所述沟槽阵列的槽底区域的半导体台面区域；填充于所述沟槽阵列内的中子...
    2025-10-28
  • 一种高深宽比沟槽单次外延填充方法
    一种高深宽比沟槽单次外延填充方法_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202510897211.8
    本发明提供了一种高深宽比沟槽单次外延填充方法， 根据外延沉积温度与沟槽变形温度的大小关系， 确定相应的外延沉积压力， 若外延沉积温度＞沟槽变形温度， 外延沉积压力为150～400Torr， 若外延沉积温度＜沟槽变形温度， 外延沉积压力为5～...
    2025-10-28
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