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  • 本发明公开了一种超导硅通孔的制造方法、超导量子芯片。制造方法包括:提供衬底, 衬底具有相对的第一表面和第二表面;在衬底上形成从第一表面贯穿至第二表面的通孔;在第一表面、第二表面和通孔内壁形成超导种子层;在通孔内填入直径与通孔孔径相适配的超导...
  • 本申请公开了一种量子器件的制造方法和超导量子芯片, 属于量子比特芯片技术领域。量子器件的制造方法包括:提供衬底;在衬底表面沿第一方向设置一字结型约瑟夫森结;约瑟夫森结有垂直于第一方向上的两个正表面、平行于第一方向且垂直于衬底的两个侧表面、以...
  • 本发明公开了一种实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法, 该方法先在驱动芯片外封装第一塑封层, 依次制作第一钝化层、重布线层、第二钝化层, 并在第二钝化层上制作高铜柱, 用正装或倒装将霍尔芯片贴装于第二钝化层实现芯片的异质集成...
  • 本公开的实施例涉及一种用于改进集成电路中磁阻层的粘附性的结构和方法。一种集成电路包含延伸到半导体衬底中的多个晶体管。互连迹线将所述晶体管电连接到顶部层级金属层中的第一端子(106)和第二端子(108)。第一氮化硅层(302)在所述顶部层级金...
  • 本发明提供一种可调整磁检测灵敏度的纵型霍尔元件。纵型霍尔元件(100)具有:P型半导体基板(10);N型外延层(30), 形成在P型半导体基板(10)的表面;电极组(110), 配置在N型外延层(30)的表面, 以直线状配置有电极(111~...
  • 本发明提供一种能够以高精度去除失调电压的纵型霍尔元件。形成在P型半导体基板(10)的表面的纵型霍尔元件(100)具有:N型外延层(30), 形成在P型半导体基板(10)的表面;电极组(110), 配置在N型外延层(30)的表面, 由电极(1...
  • 本发明公开了一种基于Fe2O3缓冲层的垂直磁性层电流驱动无磁场翻转的磁性随机存储器, 本发明能够实现无外磁场下磁化层的定向翻转, 属于自旋电子学领域。器件结构从下至上依次包括 : 反铁磁层Fe2O3, 自旋流产生层Pt, 具有垂直各项异性的...
  • 包括至少一个霍尔传感器(110)的半导体芯片(100)。该至少一个霍尔传感器(110)包括:在半导体衬底中的具有第一导电类型的导电阱(111);布置在导电阱(111)的表面处并且具有第一导电类型的多个阱触点(114);在导电阱(111)的表...
  • 本发明提供了一种基于人工反铁磁结构的超低功耗多态自旋纳米器件, 包括阵列排布的自旋单元, 在水平面内, 自旋单元包括对角设置的人工反铁磁结构和对角设置的人工铁磁结构, 两个人工反铁磁结构与两个人工铁磁结构相互连接, 人工反磁铁结构为输入端,...
  • 本申请公开了一种磁性范德华薄膜及其制备方法、应用, 具体涉及器件制备的领域。包括:设置生长条件, 在衬底表面依次外延生长预设层数的磁性范德华薄膜;其中, 在得到每层磁性范德华薄膜后, 对其进行原位的RHEED、结构和本征磁性的测量, 根据测...
  • 本发明提供一种包括第一铁磁层、第二铁磁层、非磁性层和基底层的磁阻效应元件。非磁性层位于第一铁磁层和第二铁磁层之间。第一铁磁层位于基底层和非磁性层之间。基底层包含Ta。第一铁磁层由CoαFeβXγPtδ表示, X为硼或碳, 满足α+β+γ+δ...
  • 本申请公开了一种压电模组和电子设备。压电模组包括支撑板、护壳和压电陶瓷;护壳连接于支撑板的一侧, 并与支撑板之间形成有容纳空间, 压电陶瓷位于容纳空间, 并固定于支撑板, 与护壳之间具有第一间隙;护壳设置为沿第一方向延伸的槽型结构, 其两个...
  • 本发明公开了一种压电陶瓷堆叠应变片粘接装置及其粘接方法, 涉及压电陶瓷堆叠生产设备技术领域, 包括放置平台, 所述放置平台的上端面设置有工装框架, 所述工装框架的内部安装有压力检测平台, 所述压力检测平台的内部安装有粘接模具组件, 所述粘接...
  • 本发明涉及热电元件技术领域, 公开了一种防焊料溢流热电元件及其制备方法, 该热电元件由基体、设于基体非焊接面上的保护膜和设于基体焊接面上的防扩散层构成, 能够有效避免溢流焊料与热电半导体材料非焊接面接触, 避免对热电元件性能产生不利影响;该...
  • 本发明提供一种具备剥离片的热电转换组件, 该剥离片作为制造工序时的支撑基材而发挥功能, 可以在不抑制热电性能的情况下抑制搬运和处理时的变形及损伤, 该热电转换组件具有:以P型热电元件和N型热电元件交替且串联电连接的方式配置的热电元件层、设置...
  • 本发明采用光刻和掩膜技术开发了利用P型和N型热电材料制备平铺式和叠层式热电晶体管器件的集成制备方法。热电晶体管器件的核心结构包括由热电材料制备的从左至右或从下至上依次排列的P型发射极P、N型基极N和P型集电极P或N型发射极N、P型基极P和N...
  • 本申请涉及有机化合物层、有机电致发光元件和电子设备。本申请提供一种有机化合物层, 其包含1种以上第一化合物, 并且含有1种以上第二化合物, 第一化合物的亲和势小于5.10eV, 第二化合物为选自式(21)所示的化合物M21和式(22)所示的...
  • 本发明属于太阳能电池领域, 具体公开一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明的钙钛矿前驱体溶液中存在聚(丙烯腈‑2‑乙基丙烯酸), 聚(丙烯腈‑2‑乙基丙烯酸)可以提高钙钛矿吸光层的结晶质量, 以提升钙钛矿电池的光电转换效...
  • 本申请涉及一种碘化铅溶液的制备方法、钙钛矿电池、光伏组件、光伏系统、用电装置和发电装置, 其中碘化铅溶液的制备方法包括以下步骤:将铅单质和碘单质在包括极性溶剂的溶剂体系中混合反应形成碘化铅溶液, 极性溶剂的给体数大于或等于20。本申请的制备...
  • 公开了一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括:阳极, 阴极, 以及设置在阳极和阴极之间的有机层, 所述有机层包括第一有机层, 第二有机层和发光层。所述阳极、第一有机层、第二有机层依次直接接触。所述第一有机层包含满足特定能级要求和掺杂...
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