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  • 本发明公开了一种安全散热结构的电气柜,包括电气柜主体,电气柜主体的顶部对称设置有第一电机,本发明通过第一电机带动第一连接块转动,第一连接块转动推动第一固定门架向上运动,第一固定门架向上运动停止时,移动杆在第一限位槽中滑动,会带动第一固定门架...
  • 本发明涉及供电装置的技术领域,具体公开了一种设备柜体内自发电供电装置,包括电控柜和三色警示灯,三色警示灯固定连接于电控柜的顶部一侧;电控柜的内部设置有自发电箱,自发电箱设置于电控柜的一侧,自发电箱电连接三色警示灯;自发电箱的内部设置有隔板、...
  • 本发明涉及一种电气设备节能增效的多模式智能调控装置,包括主体,所述主体的内部设置有节能散热结构,所述节能散热结构包括设备箱,所述主体的顶部固定安装有设备箱,所述设备箱的内底壁固定安装有蓄电池。该电气设备节能增效的多模式智能调控装置,通过设置...
  • 本发明公开了一种用于GaN基太赫兹量子级联激光器的双金属波导结构,其结构包括:自接收衬底向上依次设置的金属In层、共熔合金AuIn层、下电极金属层,在下电极金属层上设置脊形波导结构,每个脊形波导结构依次包括下n型重掺杂接触层、GaN/AlG...
  • 本发明提供一种用于输出单双波长激光的锁模光纤激光器,该系统包括:泵浦源1,用于输出激光源;环形谐振腔,所述第二光耦合器9连接所述波分复用器2形成激光环形谐振腔;所述泵浦源1通过所述波分复用器2耦合进所述环形谐振腔;光环形10和光纤光栅11,...
  • 本发明公开了一种基于混合增益介质的啁啾脉冲放大系统及方法,本发明通过利用不同种类增益介质的发射谱中心波长不同的特点,在不依赖光谱整形的情况下高效地抑制了啁啾脉冲放大过程中的增益窄化问题,又不额外引入光学元件,避免放大过程中由于光谱整形引起的...
  • 本发明公开了一种分布式啁啾脉冲色散调控系统,该系统利用不同种类色散调控器件二阶色散符号互异的特性,通过二阶正色散对近傅里叶变换极限脉冲进行过量展宽,再利用二阶负色散在脉冲放大前对过量展宽的种子光的二阶色散进行一部分补偿,再在放大后利用负色散...
  • 本发明公开了一种外壳定位矩形连接器铆接工装及方法,涉及铆接工装及方法领域,铆接工装包括铆接机构和液压机构,铆接机构包括连接板和水平设置的上支撑平台,上支撑平台与连接板垂直连接,上支撑平台的底部与连接板的底部所在的水平面之间存在产品放置空间;...
  • 本发明公开了一种用于通信传输设备的连接机构,具体涉及通信传输设备技术领域,包括:通信传输设备,所述通信传输设备上设有多个连接端口,所述连接端口内部插接有连接插头,所述连接插头上连接有连接线;固定防护框,所述固定防护框一端设有活动框,所述活动...
  • 本发明设计公开了一种基于方矩形多嵌套结构的超表面吸波体,该结构由顶层金属谐振层、介质层和底层金属层构成。所提出的吸波体由多个谐振单元周期阵列组成,其谐振层由衔接矩形分裂环和方形环组成。衔接矩形分裂环分布在介质层的最外围,每个衔接矩形分裂环由...
  • 本申请涉及宽带滤波器领域,公开了一种腔体宽带滤波器加电容耦合的方法,包括以下步骤:在宽带滤波器中设置腔体,所述腔体内设有若干谐振柱,所述谐振柱按预定间距排列以形成滤波器的谐振模式;在所述腔体内部安装电容片,所述电容片跨越至少一个谐振柱,并通...
  • 本发明涉及电池技术领域,公开了电芯排气组件及电池包。其中,电芯排气组件包括基板和盖板,基板侧壁设有排气槽,排气槽包括至少一个主干通道和若干个分支通道,主干通道沿基板的长度方向延伸,每个主干通道与若干个分支通道分别连通,每个分支通道均为弧形结...
  • 本发明涉及电池技术领域,公开了一种电池包安装边梁及电池包,本发明的电池包安装边梁包括至少两个边梁部,每个边梁部包括至少两个上下设置并且封闭的缓冲腔。此结构的电池包安装边梁的材质为钢板,相比铝合金材质可以显著提高安装边梁的强度;并且安装边梁包...
  • 本申请涉及一种电池盖的热封模具,属于热封模具领域,该热封模具包括石墨基座和至少一个治具,治具包括第一台阶盲孔、限位片、上板和石墨柱;第一台阶盲孔包括第一踢面、第一踏面、第二踢面和第二踏面,第一踏面位于第一台阶盲孔的开口端,第二踏面位于第一台...
  • 本发明公开了一种回收废旧三元锂电池中金属制备催化剂的方法,获得正极粉末后,将正极粉末加入低共熔溶剂中,浸出得到浸出液;向浸出液中加入丁二酮肟溶液除镍,根据所测的Co、Mn的元素浓度,计算后向混合溶液中补充Co盐或者Mn盐,或者还加入钾盐或钠...
  • 一种具有形状记忆和自愈合功能的固态电解质膜及其制备方法。该固态电解质膜是通过聚乙二醇与六亚甲基二异氰酸酯反应生成的NCO‑PEG‑NCO前驱体与四氟苯基氨基甲酸酯进行反应,制备出聚氨酯作为基体材料。然后在基体材料中加入锂盐,以提高离子导电性...
  • 本发明涉及锂离子电池技术领域,具体而言,涉及无钴富锂锰基正极材料、应用及双修饰制备方法。该方法将铝掺杂的无钴富锂锰基正极材料与氧化铝混合并后发生水热反应,蒸干溶剂后煅烧,得到修饰的无钴富锂锰基正极材料;铝掺杂可以稳定富锂锰基材料的晶体结构,...
  • 本发明公开了一种聚合物修饰层的水系锌离子电池负极材料及其制备方法,通过化学氧化的方法制备了缬氨酸掺杂的聚苯胺,采用滴涂的方法制备得到所需要的水系锌离子电池负极材料,该水系锌离子电池负极材料制备简单,易于操作。将其应用于水系锌离子电池中,可有...
  • 本公开涉及一种芯片扇出型封装结构及芯片制作方法,涉及半导体封装技术领域,包括:重组硅片,重组硅片包括挡片和芯片,芯片位于沿第一方向贯穿挡片的凹槽中;塑封层和重布线层,塑封层位于重组硅片沿第一方向的一侧,塑封层包括塑封料,沿第二方向,塑封料填...
  • 本发明公开了一种芯片封装结构、存储器及芯片封装方法,所述芯片封装结构包括:基板;芯片组,包括多个由下至上依次堆叠于所述基板上表面的单元芯片,所述单元芯片表面设置有重布线层,所述重布线层两侧边缘设置有连接焊点,所述单元芯片的IO接口与所述重布...
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