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最新专利技术
  • 电子列印装置及使用其制造金属列印物品的方法
    电子列印装置及使用其制造金属列印物品的方法_群创光电股份有限公司_202410333628.7
    本公开提供一种电子列印装置及使用其制造金属列印物品的方法。电子列印装置， 其特征在于， 包含一列印基板， 该列印基板包含：一基板， 具有一主动区和一周边区， 该主动区邻近于该周边区；一电源层， 设置在该基板上；一绝缘层， 设置在该电源层上；...
    2025-10-27
  • 一种基于非晶硅衬底的锗衬底结构及其制造方法
    一种基于非晶硅衬底的锗衬底结构及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511062556.8
    本申请属于半导体工艺技术领域， 公开了一种基于非晶硅衬底的锗衬底结构及其制造方法， 该锗衬底结构包括自下到上依次堆叠的衬底层、绝缘层、氧化铝层和锗主体层， 衬底层为非晶硅衬底。本申请能够降低受主衬底的原材料成本， 在热扩散和电容耦合特性上的...
    2025-10-27
  • 用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构
    用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构_英特尔公司_202510886652.8
    本发明公开了用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构。本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域， 并且尤其是10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。在示例中， 集成电路结构包括在鳍的第一末端之上的第一隔离结构。栅...
    2025-10-27
  • 一种半导体器件以及一种用于形成半导体器件的方法
    一种半导体器件以及一种用于形成半导体器件的方法_IMEC非营利协会_202510374166.8
    在一方面， 提供了一种半导体器件， 包括：第一和第二平行的多层有源区， 每个多层有源区包括至少一个下半导体层以及堆叠在该至少一个下半导体层上方的至少一个上半导体层；以及PIN二极管结构， 包括：沿第一有源区的第一部分布置的外延第一下半导体本...
    2025-10-27
  • CFET结构及制造CFET结构的方法
    CFET结构及制造CFET结构的方法_IMEC非营利协会_202510371842.6
    本公开涉及互补场效应晶体管CFET结构(1)。CFET结构(1)包括：被布置在CFET结构(1)的第一排中的第一CFET元件(10)；以及被布置在CFET结构(1)的第二排中的第二CFET元件(10’)， 其中第二排被布置成在横向上偏离第一...
    2025-10-27
  • 用于产量和性能改进的自对准图案化沟槽隔离
    用于产量和性能改进的自对准图案化沟槽隔离_英特尔公司_202510235226.8
    公开了在晶体管沟槽和沟槽隔离中的集成电路(IC)器件电介质。IC器件可以包括沟槽中和相邻晶体管中的相邻源极或漏极主体， 以及位于源极或漏极主体之间的堆叠体中以及源极或漏极主体上的沟槽触点之间的至少三个电介质。所述堆叠体中的第一电介质在所述源...
    2025-10-27
  • 使用着色硬掩模的具有背面源极或漏极接触部选择性的集成电路
    使用着色硬掩模的具有背面源极或漏极接触部选择性的集成电路_英特尔公司_202510230182.X
    描述了使用着色硬掩模的背面源极或漏极接触部选择性。一种结构包括位于第一纳米线或鳍状物的端部的第一外延源极或漏极结构， 垂直位于第一外延源极或漏极结构的底部下方的第一导电源极或漏极接触部， 以及位于第一导电源极或漏极接触部下方并与其接触的第一...
    2025-10-27
  • 用于互补FET(CFET)器件中的电容减小的深过孔背侧(DVB)部分凹陷
    用于互补FET(CFET)器件中的电容减小的深过孔背侧(DVB)部分凹陷_英特尔公司_202510215048.2
    本公开内容涉及用于互补FET(CFET)器件中的电容减小的深过孔背侧(DVB)部分凹陷。一种堆叠式互补场效应晶体管(CFET)器件包括底部接触区域和顶部接触区域。第一类型的第一晶体管层在底部接触区域上方， 并且第二类型的第二晶体管层在第一晶...
    2025-10-27
  • 半导体集成电路及其制造方法
    半导体集成电路及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410320092.5
    本发明提供一种半导体集成电路及其制造方法， 在现有方案形成寄生BJT器件的基础上， 进一步基于IO器件的同导电类型的轻掺杂漏离子注入条件， 在寄生BJT器件的发射区中寄生形成相应的轻掺杂离子注入区， 进而相对现有方案形成的寄生BJT器件的发...
    2025-10-27
  • 具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触器切割的外延小块的集成电路结构
    具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触器切割的外延小块的集成电路结构_英特尔公司_202510231510.8
    描述了具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触器切割的外延小块的集成电路结构。结构包括：水平纳米线的垂直堆， 纳米线中的个体纳米线在纳米线的末端具有对应外延源极或漏极结构， 沿着水平纳米线的垂直堆， 外延源极或漏极结构彼此不连续。栅极电极位于水平...
    2025-10-27
  • 具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构
    具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构_英特尔公司_202510231509.5
    本发明涉及具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构。描述了具有直接背侧源极或漏极接触部的集成电路结构。在示例中， 集成电路结构包括第一、第二和第三多个水平堆叠纳米线或鳍， 以及第一、第二和第三栅极堆叠。第一外延源极或漏极结构...
    2025-10-27
  • 具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构
    具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构_英特尔公司_202510230505.5
    描述了具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构。一种结构包括在栅极电极和导电沟槽触点之间的电介质侧壁间隔件。第一和第二平行电介质切口插塞结构延伸穿过栅极电极、穿过电介质侧壁间隔件、并穿过导电沟槽触点。所述第二电介质...
    2025-10-27
  • 具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构
    具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构_英特尔公司_202510230418.X
    描述了具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构。例如， 一种集成电路结构包括横向位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的绝缘结构， 其中， 所述绝缘结构从鳍或水平纳米线的第一垂直堆叠体以及鳍或水平纳米线的第二堆叠体上方...
    2025-10-27
  • 抑制n型外延源极-漏极晶体管中的外延畸形的掺杂剂工程
    抑制n型外延源极-漏极晶体管中的外延畸形的掺杂剂工程_英特尔公司_202510230414.1
    讨论了与在一个或多个半导体结构上形成外延n型源极和漏极材料相关的方法、晶体管和系统。n型源极和漏极材料包括主体材料中的n型掺杂剂。与一个或多个半导体结构横向相邻的每个n型源极和漏极材料的第一区域具有比第一区域上方的第二区域低的n型掺杂剂浓度...
    2025-10-27
  • 向MOSFET沟道提供高导电性接触界面和应变的源极和漏极结构
    向MOSFET沟道提供高导电性接触界面和应变的源极和漏极结构_英特尔公司_202510230412.2
    本文公开了向MOSFET沟道提供高导电性接触界面和应变的源极和漏极结构。外延源极和漏极结构向晶体管沟道提供应变。晶体管结构可以具有在基本上单晶的源极和漏极区域之间的沟道， 每个晶体区域具有衬层部分和居间部分两者。晶体区域可以是硅和锗制成的。...
    2025-10-27
  • 用于改善晶体管密度的零扩散中断
    用于改善晶体管密度的零扩散中断_英特尔公司_202510230253.6
    公开了集成电路(IC)装置中的逻辑单元之间的隔离中断。相邻沟道区域之间的源极‑漏极沟槽包括一对源极或漏极半导体主体， 所述源极‑漏极沟槽中的所述源极或漏极主体中的第一者连接到所述沟道区域中的第一者， 所述源极‑漏极沟槽中的所述源极或漏极主体...
    2025-10-27
  • 带状物互补FET(CFET)金属栅极多电压阈值集成
    带状物互补FET(CFET)金属栅极多电压阈值集成_英特尔公司_202510230228.8
    公开了带状物互补FET(CFET)金属栅极多电压阈值集成。一种堆叠互补场效应晶体管(CFET)装置包括底部接触区域和顶部接触区域。多个堆叠CFET装置在底部接触区域与顶部接触区域之间。多个堆叠CFET装置中的相应堆叠CFET装置包括在底部接...
    2025-10-27
  • 具有经调整的数量的有源纳米带的栅极全环绕装置
    具有经调整的数量的有源纳米带的栅极全环绕装置_英特尔公司_202510230209.5
    公开了具有经调整的数量的有源纳米带的栅极全环绕装置。公开了用于形成使纳米带(或其他半导体主体)的其总数的仅子集合参与到有源沟道区域中的半导体装置的技术。在示例中， 任何数量的半导体装置包括在第一方向上延伸的纳米带的集合， 以及在所述纳米带中...
    2025-10-27
  • 没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管
    没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管_英特尔公司_202510230181.5
    公开了没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管。本文中提供了用于形成具有代替电介质间隔物的将栅极结构与源极或漏极区域分开的半导体层的集成电路的技术。FET(场效应晶体管)包括具有处于栅极电介质上的栅极电极的栅极结构。栅极结构在半导体材料的任何数...
    2025-10-27
  • 使用注入物的选择性沟道宽度缩放
    使用注入物的选择性沟道宽度缩放_英特尔公司_202510222561.4
    公开了使用注入物的选择性沟道宽度缩放。一种集成电路包括源极区域和漏极区域以及主体， 主体包括在源极区域和漏极区域之间延伸的半导体材料。主体具有第一端部和第二端部以及在第一端部和第二端部之间的中间部分。主体包括注入物质， 主体的中间部分中的注...
    2025-10-27
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