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最新专利技术
  • 具有双向背侧互连的集成电路结构
    具有双向背侧互连的集成电路结构_英特尔公司_202510215065.6
    描述了具有双向背侧互连的集成电路结构。在示例中， 集成电路结构包括正侧结构， 正侧结构包括：具有多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍状物的晶体管的装置层， 以及位于装置层的多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍状物的晶体管上方的多个金属化层。背侧...
    2025-10-28
  • 背侧栅极切口形成
    背侧栅极切口形成_英特尔公司_202510215037.4
    本文公开了背侧栅极切口形成， 提供了一种用于形成集成电路的技术， 该集成电路具有由电介质壁分隔开的相邻对的半导体装置， 所述电介质壁是从结构的背侧形成的。相邻的半导体装置各自包括在源极区域与漏极区域之间延伸的半导体区域以及在相邻半导体装置的...
    2025-10-28
  • 用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙
    用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙_英特尔公司_202510215036.X
    本公开涉及用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙。本文提供了用于形成半导体器件的技术， 该半导体器件包括相邻半导体器件之间的电介质墙， 其中， 相邻半导体器件的栅电极在电介质墙上方导电连接。相邻的第一半导体器件和第二半导体器件各自包括在...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331831.0
    一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构包括：器件鳍部， 位于器件区的衬底上；隔离层， 位于所述器件鳍部侧部的衬底上， 所述隔离层覆盖所述器件鳍部的部分侧壁， 且所述隔离层顶部低于所述器件鳍部的顶部；隔离鳍部， 位于所述隔离区的隔离层中， ...
    2025-10-28
  • 具有低效率注入阳极的反向导通IGBT器件及其制造工艺
    具有低效率注入阳极的反向导通IGBT器件及其制造工艺_意法半导体国际公司_202510358690.6
    本公开涉及具有低效率注入阳极的反向导通IGBT器件及其制造工艺。反向导通IGBT器件形成在具有第一导电类型的衬底的管芯中， 所述衬底在第一部分中容纳IGBT， 在第二部分中容纳二极管。所述IGBT具有体部结构；源区；沟槽‑栅极区；第一接触结...
    2025-10-28
  • 高压装置及其形成方法
    高压装置及其形成方法_新唐科技股份有限公司_202411406833.8
    本申请实施例提供一种高压装置及其形成方法, 高压装置包括：衬底， 具有第一导电类型；外延层， 设置于衬底上， 其中外延层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；埋层， 设置于衬底内；第一深阱区， 设置于外延层中且具有第二导电类型， 其中第一深...
    2025-10-28
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510095299.1
    一种半导体器件包括：具有第一表面和相反的第二表面的衬底， 穿透所述衬底的一对沟槽隔离， 在所述衬底中位于所述一对沟槽隔离之间并切彼此接触的第一阱区和第二阱区。所述半导体器件包括交替堆叠在所述第一阱区和所述第二阱区上的纳米片和牺牲电介质图案，...
    2025-10-28
  • 一种半导体集成器件及其制备方法
    一种半导体集成器件及其制备方法_深圳平湖实验室_202511229682.8
    本发明公开了一种半导体集成器件及其制备方法， 该半导体集成器件的制备方法包括：提供衬底， 并在衬底上依次形成沟道层和势垒层， 衬底包括至少两个器件分区， 至少两个器件分区包括第一器件分区和第二器件分区；在势垒层背离沟道层的一侧形成位于第一器...
    2025-10-28
  • 半导体器件制作方法及半导体器件
    半导体器件制作方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511140902.X
    本申请公开了一种半导体器件制作方法及半导体器件， 该方法包括：在伪栅沉积层上形成应力抵消层和变性处理阻挡层， 得到第一半导体器件；以伪栅沉积层的顶部伪栅平台的顶面为化学机械抛光停止层对第一半导体器件进行第一化学机械抛光， 得到第二半导体器件...
    2025-10-28
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510906146.0
    一种半导体结构的形成方法， 包括：提供衬底；在衬底上形成依次堆叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在第一区内形成若干第一栅极沟槽；在第一栅极沟槽内形成第一电介质层和多晶硅层；去除位于第一区上的部分氮化硅层；在第一栅极沟槽内形成第一栅氧...
    2025-10-28
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件
    半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件_北京大学_202510889612.9
    本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。该半导体结构的制备方法包括：刻蚀衬底的第一部分， 形成鳍状结构， 鳍状结构包括在第一方向上依次堆叠的纳米片叠层结构和支撑结构；去除源漏区域内的鳍状结构；在衬底的第二部分之上， 沉积...
    2025-10-28
  • 集成电路结构以及其制造方法
    集成电路结构以及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510594957.1
    提供一种集成电路结构以及其制作方法。该方法包括：在半导体基板上方形成半导体装置， 其中半导体装置包含栅极结构以及第一源极/漏极区及第二源极/漏极区；在该半导体装置的前侧上方形成前侧互连结构， 其中前侧互连结构包含前侧金属接线及前侧介电层， ...
    2025-10-28
  • 沟槽电容电极结构及沟槽电容
    沟槽电容电极结构及沟槽电容_苏州苏纳光电有限公司_202511217027.0
    本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容， 通过具有多重旋转对称性的基元单元高密度排列构成的基元阵列， 结合用于后期工艺中金属互联的互联区域的排布设计， 大幅提升容值密度的同时， 有效增加了电极表面积并优化了电场分布， 提升了器件的高频特...
    2025-10-28
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_TCL华星光电技术有限公司_202510779552.5
    本申请实施例提供一种芯片封装结构及电子设备， 涉及芯片封装技术领域， 其目的是解决相关技术中芯片封装结构散热效果差的问题。该芯片封装结构包括基板、至少一个第一芯片、第一金属线、第一重布线层以及散热垫。所述基板开设有第一凹槽， 所述第一芯片位...
    2025-10-28
  • 一种功率器件及其制备方法、电子设备
    一种功率器件及其制备方法、电子设备_比亚迪股份有限公司_202511230243.9
    本申请公开了一种功率器件及其制备方法、电子设备， 涉及电子元器件技术领域。该功率器件包括半导体基材以及位于所述半导体基材表面上的二维金属材料层。本申请中通过采用二维金属材料层与半导体基材相接触形成电极接触， 由于形成二维金属材料层的二维层状...
    2025-10-28
  • 新型垂直场效应晶体管结构及制作方法
    新型垂直场效应晶体管结构及制作方法_浙江熙芯微电子科技有限公司_202511090908.0
    本发明公开了一种新型垂直场效应晶体管结构， 包括N型外延及N型外延上的介质层， 所述介质层上嵌入有欧姆接触孔， 垂直场效应晶体管的源极和栅极均利用所述欧姆接触孔的金属作为连接金属；本发明还公开了一种新型垂直场效应晶体管结构的制作方法， 本发...
    2025-10-28
  • 晶体管和包括该晶体管的显示装置
    晶体管和包括该晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202510223793.1
    公开了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管包括：设置在基板上的有源层， 该有源层包括具有第一金属的氧化物半导体材料；设置在有源层上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上至少部分地与有源层交叠的栅电极；第一源‑漏电极和第二源‑漏电极， 第一源‑漏电...
    2025-10-28
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_安徽大学_202511234762.2
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法， 包括：提供基底， 所述基底上形成有半导体结构， 所述半导体结构包括栅介质层和形成于所述栅介质层上的牺牲层；对所述半导体结构进行去耦等离子氮化处理， 处理后的所述半导体结构的氮元素含量高于处理前的所述半...
    2025-10-28
  • 用于功率装置和无源组件的蚀刻停止架构
    用于功率装置和无源组件的蚀刻停止架构_德州仪器公司_202510260699.3
    本公开涉及用于功率装置和无源组件的蚀刻停止架构。一种半导体装置包含：半导体衬底(310和/或320)；源极电极(334)、栅极电极(332)和漏极电极(336)， 其处于所述半导体衬底上；阶梯介电结构， 其处于所述半导体衬底上且横向处于所述...
    2025-10-28
  • 一种半导体芯片
    一种半导体芯片_三安日本科技株式会社_202510352461.3
    本申请涉及一种半导体芯片， 包含：由第一导电型的碳化硅形成的碳化硅基板， 由第一导电型的碳化硅形成的漂移层， 在漂移层上设置有源区域， 在俯视来看， 第二导电型半导体与第一主面侧电极被布置于该区域， 以及围绕有源区域以防止耐压劣化的终端区域...
    2025-10-28
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