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最新专利技术
  • 半导体器件之间的背侧图案化的鳍隔离结构
    半导体器件之间的背侧图案化的鳍隔离结构_英特尔公司_202510222911.7
    提供了形成具有从结构的背侧图案化的鳍隔离结构的集成电路的技术。FET(场效应晶体管)各自包括在源极区域和漏极区域之间共线地延伸的半导体材料， 以及围绕每个FET的半导体材料延伸的栅极结构。鳍隔离结构可以在FET之间延伸以在FET之间提供电隔...
    2025-10-28
  • 氮化物半导体装置的制造方法以及氮化物半导体装置
    氮化物半导体装置的制造方法以及氮化物半导体装置_三垦电气株式会社_202510362703.7
    氮化物半导体装置的制造方法以及氮化物半导体装置， 降低低浓度载流子区域载流子浓度偏差及由此引起的耐压偏差， 导通电阻低且高耐压。氮化物半导体装置具有第1导电型第1氮化物半导体层、载流子浓度比第1氮化物半导体层高的第1导电型第2氮化物半导体层...
    2025-10-28
  • 半导体装置与其形成方法
    半导体装置与其形成方法_鸿扬半导体股份有限公司_202410331732.2
    一种半导体装置包含基板、漂移层、接面场效应晶体管区、阱区、源极区与栅极结构。漂移层在基板上。接面场效应晶体管区在漂移层上， 其中接面场效应晶体管区的掺杂浓度随着越远离基板而递减。阱区在漂移层上与接面场效应晶体管区的一侧。源极区在阱区中。栅极...
    2025-10-28
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510737792.9
    本发明提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法， 涉及半导体技术领域， 为解决相关技术中存在的半导体器件漏电风险较大的问题而设计。该半导体器件包括：衬底；绝缘层， 设置于衬底；至少一个沟道层， 设置于绝缘层， 至少一个沟道层在竖直方向间隔...
    2025-10-28
  • 一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺
    一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺_杭州清芯微电子有限公司_202511205237.8
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺， 包括若干个相互并列的MOS元胞， 单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极和源极， 所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层和P+...
    2025-10-28
  • 一种集成JBS二极管的碳化硅MOSFET及其制作方法
    一种集成JBS二极管的碳化硅MOSFET及其制作方法_山东大学_202511194677.8
    本发明涉及功率半导体技术领域， 尤其涉及一种集成JBS二极管的碳化硅MOSFET及其制作方法。该碳化硅MOSFET具有通过再生长技术制作的两层的元胞结构， 并且刻蚀碳化硅形成沟槽结构， 在沟槽底部和侧壁上部分进行p型离子注入并实现欧姆接触，...
    2025-10-28
  • 一种SiC MOSFET器件及其制作方法
    一种SiC MOSFET器件及其制作方法_浙江大学_202511188731.8
    本发明涉及一种SiC MOSFET器件及其制作方法， 所述SiC MOSFET器件的元胞包括：N+SiC衬底、N‑漂移区、N+源区、P体区、P+区、栅介质层、栅极、场钝化层、源电极和漏电极， 还包括：P底部区和空穴吸收区， 高掺杂的P底部区...
    2025-10-28
  • 一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺
    一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511158164.1
    本发明公开了一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺， 属于半导体领域。包括由若干个相互并列的MOS元胞构成， 单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，...
    2025-10-28
  • 一种集成霍尔效应电流传感器的沟槽栅场效应晶体管
    一种集成霍尔效应电流传感器的沟槽栅场效应晶体管_强华时代(成都)科技有限公司_202510959027.1
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种集成霍尔效应电流传感器的沟槽栅场效应晶体管， 本发明所述的集成霍尔效应电流传感器的沟槽栅场效应晶体管在传统沟槽栅场效应晶体管的基础上， 通过设置集成了霍尔半导体的电流传感器， 利用霍尔效应， 使器件内...
    2025-10-28
  • 一种宽安全工作区功率器件及制备方法
    一种宽安全工作区功率器件及制备方法_华羿微电子股份有限公司_202510869894.6
    本发明公开了一种宽安全工作区功率器件及制备方法， 该器件包括：金属层、绝缘层、多晶硅、多个接触孔、接触孔注入层、接触孔修饰层；接触孔为连接金属层和多晶硅的垂直通道， 接触孔注入层位于接触孔的孔底；接触孔修饰层覆盖于接触孔注入层外表面， 接触...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511135008.3
    一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构包括：基底；漂移区， 位于基底中， 漂移区中具有第一型掺杂离子， 漂移区包括多个掺杂离子浓度不同的子漂移区， 靠近基底顶面一侧的任一子漂移区位于相邻的另一子漂移区中， 且沿基底底面指向基底顶面的方向，...
    2025-10-28
  • 具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法
    具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法_德州仪器公司_202411912177.9
    本公开描述了具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法。例如， 一种半导体装置(100)包含半导体层(108)、设置在所述半导体层(108)中的漏极区(110)、设置在所述半导体层(108)中的源极区(114)、设置在所述漏极区(110)与所述...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331156.1
    一种半导体结构及其形成方法， 所述形成方法包括：提供基底；在所述基底内形成相邻接的阱区和漂移区， 在阱区和漂移区交界处的所述基底上形成栅极结构， 对所述栅极结构掺杂离子， 用于调节栅极结构表面的电场， 在所述栅极结构一侧的所述阱区中形成源极...
    2025-10-28
  • 一种碳化硅场效应晶体管及其制造方法
    一种碳化硅场效应晶体管及其制造方法_安建科技有限公司_202510969883.5
    本发明提供了一种碳化硅场效应晶体管及其制造方法， 其中碳化硅场效应晶体管包括从下往上依次层叠有漏极金属层、衬底、外延层、掺杂层及源极金属层， 外延层的上表面设有沿第一方向布设的第一深埋区， 掺杂层包括元胞沟槽， 元胞沟槽沿第一方向延伸设置，...
    2025-10-28
  • 一种无掺杂隧穿结线隧穿场效应晶体管及其制备方法
    一种无掺杂隧穿结线隧穿场效应晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202510853532.8
    本发明公开了一种无掺杂隧穿结线隧穿场效应晶体管及其制备方法。该线隧穿场效应晶体管包括：衬底、漏极、N+Si层、SiO2隔离、本征Si、L型金属结构、本征Ge、栅极、第一氧化层和第二氧化层；在衬底上的N+Si层的两侧堆叠漏极；N+Si层的上方...
    2025-10-28
  • 用于改进的全环栅晶体管性能的堆叠体内纳米带厚度调整
    用于改进的全环栅晶体管性能的堆叠体内纳米带厚度调整_英特尔公司_202510222562.9
    本文描述了涉及全环栅场效应晶体管的器件、晶体管结构、系统和技术， 该全环栅场效应晶体管具有纳米带(即， 半导体结构)的堆叠体， 这些纳米带具有被调整为跨越堆叠体而变化的厚度。纳米带源极到漏极长度是从分别与源极结构的源极界面到与漏极结构的漏极...
    2025-10-28
  • 堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体
    堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体_英特尔公司_202510222237.2
    公开了堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体。集成电路包括带状或线状(RoW)晶体管堆叠结构， 该结构包括具有相同导电类型的多个单独源极和/或漏极材料主体。金属化部与源极和/或漏极材料主体中的单独材料主体界面相接， 实现了更大的界面面积以降低接触...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331412.7
    一种半导体结构及其形成方法， 形成方法包括：提供衬底， 衬底上形成有沟道凸起结构以及横跨沟道凸起结构的栅极结构；在栅极结构两侧的沟道凸起结构中形成初始源漏掺杂层；在栅极结构的延伸方向上， 在沟道凸起结构侧部的位置处对初始源漏掺杂层进行去除操...
    2025-10-28
  • 一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法
    一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法_深圳市芯控源电子科技有限公司_202510922483.9
    本申请公开的属于半导体技术领域， 具体为一种集成式高压半导体器件结构， 包括器件元胞单元， 所述器件元胞单元包括漏极金属、设置在漏极金属上的衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层上的P‑body基区、设置在P‑body基区上的第一P+区和...
    2025-10-28
  • 一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法
    一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法_江苏能华微电子科技发展有限公司_202511196525.1
    本发明属于功率电子器件技术领域， 具体涉及一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法。本发明提供的高动态稳定性高耐压GaN功率器件， 在硅衬底上增设阻挡层， 由于阻挡层的材料为绝缘材料， 衬底中的电子不能穿过阻挡层， 因此阻止了衬底电...
    2025-10-28
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