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最新专利技术
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202311765396.4
    本申请提供一种显示面板及显示装置。其中，显示面板，包括：显示区和周边区；周边区包括多个圆角区；圆角区内设置有依次排布的多级有效移位寄存器，和设置在最后一级有效移位寄存器之前的第一虚拟移位寄存器；第一虚拟移位寄存器用于连接相邻级有效移位寄存器...
    2026-03-15
  • 一种图像处理方法、电子设备及存储介质
    一种图像处理方法、电子设备及存储介质_华为技术有限公司_202311765245.9
    本申请实施例提供一种图像处理方法、电子设备及存储介质，该方法包括：获取待显示的第一图像以及当前显示的第二图像；第一图像为第二图像的下一帧图像；根据第一图像、第二图像以及墨水屏的历史显示色阶信息，确定第一图像对应的第一显示结果，历史显示色阶信...
    2026-03-15
  • 一种进行化学有机分子多步逆合成规划的高效系统
    一种进行化学有机分子多步逆合成规划的高效系统_上海交通大学_202311769199.X
    本发明提供一种进行化学有机分子多步逆合成规划的高效系统，包括：一步逆合成预测模块：将待合成分子作为输入，产生化学反应及反应物；分子合成成本估计模块：估计输入分子合成成本；搜索模块：将多步逆合成规划问题作为在一步逆合成预测模块的搜索问题，将蒙...
    2026-03-15
  • 压裂潜力评价指数确定方法、装置、介质及电子设备
    压裂潜力评价指数确定方法、装置、介质及电子设备_中国石油天然气股份有限公司_202311755572.6
    本申请揭示了一种压裂潜力评价指数确定方法、装置、介质及电子设备。该方法包括：计算煤层气储层品质指数，所述煤层气储层品质指数通过煤层气储层对应的煤层含气饱和度、煤层厚度、煤层渗透率和煤层总孔隙度计算得到；计算煤层气储层工程品质指数，所述煤层气...
    2026-03-15
  • 基于人体皮肤局部精准冷热刺激的睡眠质量改善方法
    基于人体皮肤局部精准冷热刺激的睡眠质量改善方法_上海交通大学_202311769871.5
    本发明提供了一种基于人体皮肤局部精准冷热刺激的睡眠质量改善方法，包括：步骤S1：进行睡眠期间人体热平衡计算得到人体热负荷数值；步骤S2：基于热平衡计算得到的人体热负荷数值，与睡眠人体热中性临界热负荷数值进行比较，判别人体处于偏热、偏冷或中性...
    2026-03-15
  • 透明导电薄膜
    透明导电薄膜_浙江欧仁新材料有限公司_202311760557.0
    本发明公开了一种透明导电薄膜，包括：透明基材层、位于透明基材层表面的导电层，此导电层由导电液涂覆烘干获得，所述导电液由以下重量份数的组分组成：溶剂100份、银纳米线10~15份、聚乙烯醇缩丁醛2~5份、聚乙烯吡咯烷酮1~3份、分散剂0.1~...
    2026-03-15
  • 导电薄膜的制备工艺
    导电薄膜的制备工艺_浙江欧仁新材料有限公司_202311757247.3
    本发明公开了一种导电薄膜的制备工艺，所述导电薄膜包括：透明基材层、位于透明基材层表面的导电层，包括以下步骤：步骤一、在溶剂中依次投入银纳米线、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、分散剂、硅烷偶联剂、流平剂、聚柠檬酸通过磁力搅拌形成均匀的混合溶液...
    2026-03-15
  • 一种适用于高频高功率的金属软磁复合材料及其制备方法
    一种适用于高频高功率的金属软磁复合材料及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202311762565.9
    本发明提供了一种适用于高频高功率的金属软磁复合材料及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将铁硅铝粉末和铁镍粉末经一步混合后，与氮化铝粉末进行二步混合，得到混合物料；(2)将硅烷偶联剂与溶剂混合，加入所述混合物料，干燥后与有机硅树脂溶...
    2026-03-15
  • 一种钕铁硼磁体组件及其制备方法和应用
    一种钕铁硼磁体组件及其制备方法和应用_烟台正海磁性材料股份有限公司_202311762807.4
    本发明公开了一种钕铁硼磁体组件及其制备方法和应用，所述钕铁硼磁体组件包括方形磁体基体和导磁材料；所述导磁材料的上方为半弧形，下方为平整的表面；所述导磁材料位于所述方形磁体基体的上方，且导磁材料的下方与所述方形磁体基体贴合；所述导磁材料和方形...
    2026-03-15
  • 一种散热结构及超级电容模组
    一种散热结构及超级电容模组_中南大学_202311761056.4
    本发明提供一种散热结构及超级电容模组，其中，散热结构包括导热管组件、翅片组、两个第一导热件和若干个第二导热件，若干个第二导热件依次并排分布在两个相对设置的第一导热件之间；第一导热件和第二导热件均采用高导热系数的材料制成；第一导热件的一侧设置...
    2026-03-15
  • 卷绕型双电层超级电容器单体电芯及其制作方法
    卷绕型双电层超级电容器单体电芯及其制作方法_深圳长城开发科技股份有限公司_202311766612.7
    一种卷绕型双电层超级电容器单体电芯及其制作方法，电芯包括两条电极片，其中：第一条电极片包括两根电极带且两根电极带之间是通过一根绝缘带连接，第一个电极带一侧连接第一电容外接端，第二个电极带一侧连接第二电容外接端；第二条电极片在第一条电极片上的...
    2026-03-15
  • 一种可快速密封的热保护器
    一种可快速密封的热保护器_扬州宝湖电子科技有限公司_202311755226.8
    本申请公开了一种可快速密封的热保护器，涉及热保护器的技术领域，包括下壳体和设置在下壳体上方的顶盖，下壳体的内底面中部安装有热保护器本体，下壳体的上表面两端开设有上矩形槽，下壳体的两侧上端外壁开设有侧矩形槽，侧矩形槽的内部容腔与上矩形槽的底端...
    2026-03-15
  • 电子熔断器、电力分配单元和车辆电气系统
    电子熔断器、电力分配单元和车辆电气系统_纬湃汽车电子(长春)有限公司_202311764406.2
    本发明涉及一种该电子熔断器连接在电源与待由该电源供电的负载之间，所述电子熔断器包括：参考端子；输出端子；采样端子；熔断电路，其包括测量电阻和电子开关；以及控制芯片，其一方面连接至所述熔断电路，另一方面连接至所述采样端子，所述控制芯片配置为：...
    2026-03-15
  • 一种上电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    一种上电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202311763658.3
    本申请公开了一种上电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，上电极结构包括：上电极组件，用于设置于半导体工艺腔室的顶部；磁性组件，设置于上电极组件的上方，磁性组件包括至少两个线圈组，所述至少两个线圈组在竖直方向排列；每个线圈组包括第一线圈和...
    2026-03-15
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司_202311765583.2
    本发明提供一种半导体工艺设备，包括远程等离子体源，用于生成等离子体；反应腔室；连接区域，通过所述连接区域将所述远程等离子体源生成的等离子体输送至所述反应腔室；所述连接区域至少包括设置在所述远程等离子体源上的等离子体输出口处的排气歧管；在所述...
    2026-03-15
  • 一种聚焦环控温系统及静电卡盘机构
    一种聚焦环控温系统及静电卡盘机构_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311771058.1
    本发明公开了一种聚焦环控温系统及静电卡盘机构，包括聚焦环组件和冷却装置，其中，聚焦环组件具有冷却腔，冷却腔具有进液通道和出液通道；冷却装置至少包括与进液通道连通的第一输出管路和与出液通道连通的第一回液管路，以使冷却装置的冷却液能够循环流入冷...
    2026-03-15
  • 一种基片处理方法、基片及等离子体处理设备
    一种基片处理方法、基片及等离子体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311770168.6
    本发明公开了一种基片处理方法、基片及等离子体处理设备，其中，本发明的基片处理方法，包括如下步骤：提供一反应腔，所述反应腔内设有一基座；将基片放置于所述基座上；所述基片包括位于所述基片中部的功能区和位于所述基片边缘的边缘区，所述功能区用于容纳...
    2026-03-15
  • 晶圆翘曲度检测方法及装置、电子设备、存储介质
    晶圆翘曲度检测方法及装置、电子设备、存储介质_北京超弦存储器研究院_202311759862.8
    本公开涉及一种晶圆翘曲度检测方法及装置、电子设备、存储介质，晶圆翘曲度检测方法，包括以下步骤。提供待测晶圆，待测晶圆的一侧表面设有由多层薄膜堆叠构成的目标结构。向目标结构依次入射波段不同的多个检测光，并获取目标结构在各检测光下的反射率。根据...
    2026-03-15
  • 半导体封装结构的检测方法、模块及半导体封装系统
    半导体封装结构的检测方法、模块及半导体封装系统_华润微集成电路(无锡)有限公司_202311772558.7
    本发明提供一种半导体封装结构的检测方法、模块及半导体封装系统，包括：步骤1)采集运行参数并结合基准线计算波动值，根据波动值求取工艺波动系数，判断运行参数是否超标；若不超标则执行步骤1)，反之执行步骤2)；步骤2)基于涂布次数及每次涂布的涂层...
    2026-03-15
  • 半导体器件及其形成方法、检测方法
    半导体器件及其形成方法、检测方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311766954.9
    本发明提供一种半导体器件及其形成方法、检测方法，通过先执行化学机械研磨工艺获得预定厚度的第一介质层，然后，在化学机械研磨工艺之后进行刻蚀工艺和修边工艺以获得修边台阶，避免了现有技术中先进行刻蚀工艺和修边工艺，再进行化学机械研磨工艺，晶圆边缘...
    2026-03-15
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