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最新专利技术
  • 一种基于VR设备的吞咽障碍康复训练方法
    一种基于VR设备的吞咽障碍康复训练方法_首都医科大学附属北京天坛医院_202510552751.2
    本发明属于医疗技术领域，针对现有吞咽障碍治疗无法精准识别患者障碍动作及提供个性化康复方案的问题，提出一种基于VR设备的吞咽障碍康复训练方法。该方法先获取健康人吞咽的第一肌电信号和患者吞咽的第二肌电信号，利用LSTM模型对信号切片，通过特殊设...
    2025-12-25
  • 一种多维度绩效积分点数测算方法
    一种多维度绩效积分点数测算方法_中山大学附属第一医院广西医院_202510553115.1
    本发明公开了一种多维度绩效积分点数测算方法，属于医疗质量管理技术领域，包括如下步骤：1)构建医疗四维指标体系：预设临床质量、患者安全、运营效率、科研创新四大维度，集成DRG分组、JCI标准相关指标，新增诊疗项目时，通过临床路径映射自动关联专...
    2025-12-25
  • 基于VAE-transformer的癌症临床分期预测方法及系统
    基于VAE-transformer的癌症临床分期预测方法及系统_佛山大学_202510555783.8
    本发明公开了一种基于VAE‑transformer的癌症临床分期预测，该方法包括：获取目标患者的基因表达数据，并对所述基因表达数据进行预处理，获得初始数据；通过变分自编码器对所述初始数据进行特征提取，获得低维潜在特征表示；通过Transfo...
    2025-12-25
  • 一种冷却水补水装置
    一种冷却水补水装置_华能山东石岛湾核电有限公司_202510556851.2
    本发明涉及高温气冷堆核电厂设备技术领域，公开了一种冷却水补水装置，应用于高温气冷堆核反应厂冷却系统，包括：补水箱、输出泵组、感应元件和控制组件；通过设置在输出管道上的感应元件监测输出的补水压力参数，控制组件接收补水压力参数后，根据补水压力参...
    2025-12-25
  • 一种含氢放射性废气快速减容装置
    一种含氢放射性废气快速减容装置_三门核电有限公司_202510556456.4
    本发明提出了一种含氢放射性废气快速减容装置，该装置包括预处理组件，预处理组件通过管道依次连接压力调节组件、选择性膜分离组件和存储组件，预处理组件用于去除待处理气体中的颗粒物和水分，压力调节组件用于调节选择性膜分离组件进气的压力，存储组处理组...
    2025-12-25
  • 一种用于放射性废液处理的组合膜处理方法及装置
    一种用于放射性废液处理的组合膜处理方法及装置_核电运行研究(上海)有限公司_202510552916.6
    本发明属于核工业的废料处理技术领域，具体涉及一种用于放射性废液处理的组合膜处理方法及装置。包括如下步骤：步骤1：预处理；步骤2：主处理；步骤3：精处理；步骤4：后处理。本发明的有益效果在于：(1)本发明通过集成活性炭、超滤组成的预处理单元，...
    2025-12-25
  • 一种处理放射性废物的新型等离子体铅铋炉
    一种处理放射性废物的新型等离子体铅铋炉_海南核电有限公司_202510554259.9
    本发明属于放射性废物处理领域，具体涉及一种处理放射性废物的新型等离子体铅铋炉：等离子体炉顶部设有进料口、等离子体炬，等离子体炬用于对底料、玻璃料进行加热；底料采用固态铅铋颗粒，底料、玻璃料、配方料分别通过进料口进入等离子体炉炉体内，等离子体...
    2025-12-25
  • 脱除氮氧化物及吸附放射性核素的等离子体处置装置及方法
    脱除氮氧化物及吸附放射性核素的等离子体处置装置及方法_海南核电有限公司_202510554235.3
    本发明涉及放射性废物处理领域，尤其涉及脱除氮氧化物及吸附放射性核素的等离子体处置装置及方法。装置包括：等离子体炉通过排烟管与二燃室连接；二燃室后连接脱销炉、换热器、急冷塔、除尘布袋、洗涤塔、烟气冷却器、气液分离器及吸附器；吸附器至少两台并联...
    2025-12-25
  • 一种超高磁饱和锰锌铁氧体磁芯的制备方法
    一种超高磁饱和锰锌铁氧体磁芯的制备方法_常熟浩博电子科技有限公司_202510551982.1
    本发明涉及氧化物磁性材料制造技术领域，公开了一种超高磁饱和锰锌铁氧体磁芯的制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1.按质量份数计称取原料；S2.将所述稀土氧化物与三氧化二铁混合煅烧；S3.将所述稀土掺杂前驱体与氧化锰、氧化锌混合；S4.对所述...
    2025-12-25
  • 一种适用于高能和低能聚焦离子束加工的高分辨低像差聚焦系统
    一种适用于高能和低能聚焦离子束加工的高分辨低像差聚焦系统_北京航空航天大学_202510549728.8
    本发明公开了一种适用于高能和低能聚焦离子束加工的高分辨低像差聚焦系统，属于聚焦离子束技术及其微细加工应用领域。针对现有聚焦离子束系统低能模式下束斑直径大、分辨率差以及高能模式下材料损伤大等低能和高能模式不协调等问题，设计了新的聚焦系统，低能...
    2025-12-25
  • 一种半导体封装件及散热结构形成方法与散热管理系统
    一种半导体封装件及散热结构形成方法与散热管理系统_成都海光微电子技术有限公司_202510560792.6
    本发明实施例公开一种半导体封装件及散热结构形成方法与散热管理系统，涉及半导体封装散热技术领域。所述半导体封装件包括：芯片堆叠体和散热液冷流道；所述芯片堆叠体包括堆叠的第一堆叠体和第二堆叠体，所述第一堆叠体和第二堆叠体之间通过各自的键合层键合...
    2025-12-25
  • 一种锂离子电池及其制备方法和电子装置
    一种锂离子电池及其制备方法和电子装置_浙江锂威电子科技有限公司_202510551238.1
    本发明公开了一种锂离子电池及其制备方法和电子装置，该锂离子电池包括正极片、隔膜、负极片和电解液，隔膜夹设于正极片和负极片之间；正极片包括正极集流体和设于正极集流体的至少一侧表面的正极材料层，正极材料层包括有机磷化物和含钴元素的正极活性材料，...
    2025-12-25
  • 一种n型掺杂硅碳复合材料及其制备方法与应用
    一种n型掺杂硅碳复合材料及其制备方法与应用_合肥国轩高科动力能源有限公司_202510554286.6
    本发明公开了一种n型掺杂硅碳复合材料及其制备方法与应用。所述n型掺杂硅碳复合材料包括碳基体和活性物质；碳基体为多孔碳骨架材料，活性物质包括硅基物质和n型掺杂物；硅基物质包含在碳基体的孔隙中，n型掺杂物包含在碳基体或硅基物质中；n型掺杂硅碳复...
    2025-12-25
  • 磷酸盐系正极材料及其制备方法与应用
    磷酸盐系正极材料及其制备方法与应用_深圳市德方纳米科技股份有限公司_202510555981.4
    本申请涉锂离子正极材料技术领域，尤其涉及一种磷酸盐系正极材料及其制备方法与应用。提供了一种磷酸盐系正极材料，所述磷酸盐系正极材料包括磷酸盐内核以及包覆在所述磷酸盐内核表面的碳包覆层，其中，所述碳包覆层掺杂有由胺基碳源经烧结热解形成的氮元素；...
    2025-12-25
  • 过放电电池修复方法及装置
    过放电电池修复方法及装置_东风商用车有限公司_202510557427.X
    本申请提供了一种过放电电池修复方法及装置，涉及电池领域，其中，过放电电池修复方法包括：以第一电流将过放电电池充电至第一容量，静置所述过放电电池至所述过放电电池的电压达成稳定状态；以第二电流将所述过放电电池充电至额定电压，重复执行小电流充电过...
    2025-12-25
  • 一种电池监测装置及高压检测方法
    一种电池监测装置及高压检测方法_中国华电科工集团有限公司_202510557182.0
    本发明提供了一种电池监测装置及高压检测方法，涉及电池监测技术领域，包括监测模块，所述监测模块用于监测电芯的状态数据；触发模块，所述触发模块与所述监测模块的导线串联，所述触发模块未触发时所述监测模块断电，所述触发模块触发时所述监测模块通电；安...
    2025-12-25
  • 一种储能集装箱
    一种储能集装箱_武汉亿纬储能有限公司_202510559075.1
    本发明公开了一种储能集装箱，包括箱体，箱体内设有容置舱以及第一隔板，第一隔板安装于容置舱，并分隔容置舱形成为第一舱室以及第二舱室，第一舱室以及第二舱室在竖直方向上分布；第一舱室内设有多个储能变流器；第二舱室内设有多个电池组，多个电池组与多个...
    2025-12-25
  • 一种加酸机酸箱防溅酸机构
    一种加酸机酸箱防溅酸机构_天能电池(芜湖)有限公司_202510552691.4
    本发明公开了一种加酸机酸箱防溅酸机构，涉及加酸机技术领域。本发明包括在使用时存储酸液的酸箱，连通设置在酸箱底侧面的酸量杯，上下活动插入酸量杯内并对酸量杯的顶端进行封堵的调节棒，用于安装调节棒的安装架，同时在位于酸量杯上方的酸箱顶部开口端设置...
    2025-12-25
  • 一种轻量化的基站天线
    一种轻量化的基站天线_摩比天线技术(深圳)有限公司_202510555854.4
    本发明提出了一种轻量化的基站天线，包括：反射板、介质基板、多个辐射振子和多个巴伦基板；反射板包括多块固定相连的第一部和第二部，第一部和第二部交替排布；介质基板的一面固定设有阵列排布的辐射振子，介质基板的另一面与巴伦基板固定连接；每个辐射振子...
    2025-12-25
  • 单片集成器件及其制备方法
    单片集成器件及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202510556349.1
    本公开提供了一种单片集成器件，包括：衬底层；高电子迁移率晶体管叠层，设置在衬底层上；激光二极管叠层，设置在高电子迁移率晶体管叠层上的一侧。其中，激光二极管叠层复用为高电子迁移率晶体管叠层的漏极，高电子迁移率晶体管叠层复用为激光二极管叠层的阴...
    2025-12-25
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