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最新专利技术
  • 一种超高强Al-Zn-Mg-Cu-Zr-RE合金及其制备方法
    一种超高强Al-Zn-Mg-Cu-Zr-RE合金及其制备方法_苏州星波动力科技有限公司_202510712712.4
    本发明公开了一种超高强Al‑Zn‑Mg‑Cu‑Zr‑RE合金及其制备方法，涉及铝合金材料技术领域。该合金的成分以重量百分比计包括Zn 7.6‑8.6％、Mg 2.5‑3.3％、Cu 1.5‑2.4％、Zr 0.05‑0.25％、Mn 0.0...
    2026-01-22
  • 低铜高强铝合金材料及其制备方法和应用
    低铜高强铝合金材料及其制备方法和应用_苏州星波动力科技有限公司_202510712713.9
    本发明涉及铝合金材料技术领域，公开了低铜高强铝合金材料及其制备方法和应用。低铜高强铝合金材料，按质量分数计，包括如下成分：Zn7.3～8.3％、Mg 2.2～3.2％、Cu 0.2～0.8％、Zr 0.05～0.3％、RE 0.05～0.3...
    2026-01-22
  • 经变质处理的高铬铸铁磨球的制备方法和高铬铸铁磨球
    经变质处理的高铬铸铁磨球的制备方法和高铬铸铁磨球_攀枝花市蓝天锻造有限公司_202510722170.9
    本发明提供了一种经变质处理的高铬铸铁磨球的制备方法和高铬铸铁磨球，具体涉及耐磨材料技术领域。所述制备方法是将第一高铬铸铁液进行真空精炼除渣后，在精炼炉底部吹入碳化钛形成第二高铬铸铁液；接着将第二高铬铸铁液倒入预置有钒氮合金的浇注包中，让钒氮...
    2026-01-22
  • 一种高硬度高耐蚀马氏体不锈钢、制备方法及应用
    一种高硬度高耐蚀马氏体不锈钢、制备方法及应用_海盐中达金属电子材料有限公司_202510721294.5
    本发明公开了一种高硬度高耐蚀马氏体不锈钢、制备方法及应用，涉及钢铁冶炼技术领域，高硬度高耐蚀马氏体不锈钢化学成分按重量百分比表示：C：0.15%‑0.23%；Si：0.15%‑0.30%；Mn：0.30%‑0.60%；P：＜0.020%；S...
    2026-01-22
  • 高玻璃形成能力及高强度的锆基块体非晶合金、制备方法及应用
    高玻璃形成能力及高强度的锆基块体非晶合金、制备方法及应用_索罗曼(常州)合金新材料有限公司_202510719082.3
    一种高玻璃形成能力及高强度的锆基块体非晶合金、制备方法及应用，其中高玻璃形成能力及高强度的锆基块体非晶合金的原子表达式为：ZraTibBecAldAg<...
    2026-01-22
  • 一种提高双态Ti2AlNb基合金组织均匀与性能的热处理方法
    一种提高双态Ti<Sub>2</Sub>AlNb基合金组织均匀与性能的热处理方法_沈阳航空航天大学_202510715236.1
    本发明公开了一种提高双态Ti2AlNb基合金组织均匀与性能的热处理方法，通过一重固溶、二重固溶、时效工艺的热处理，克服了Ti2AlNb基合金塑性差、组织的不均匀、偏析严重等问题，通过双固溶协同调控...
    2026-01-22
  • 一种用于气相沉积镀膜的复合掩膜夹具
    一种用于气相沉积镀膜的复合掩膜夹具_杭州比凡科电子科技有限公司_202510717790.3
    本发明涉及一种用于气相沉积镀膜的复合掩膜夹具，包括上刚性掩模板、下刚性掩模板和被夹于中间的弹性夹持板；所述上刚性掩模板上设置有第一圆锥孔和第一紧固孔；所述下刚性掩模板上设置有与第一圆锥孔对称的第二圆锥孔、与上刚性掩模板的第一紧固孔配合使用的...
    2026-01-22
  • 锰氧化物薄膜的铁磁绝缘相到铁磁金属相的可调方法
    锰氧化物薄膜的铁磁绝缘相到铁磁金属相的可调方法_金华高等研究院(金华理工学院筹建工作领导小组办公室)_202510721484.7
    本发明公开了锰氧化物薄膜的铁磁绝缘相到铁磁金属相的可调方法，包括：在衬底上采用脉冲激光沉积法生长锰氧化物薄膜，所述锰氧化物薄膜的材质通式为Pr1‑bSrbMnO3，b的范围为...
    2026-01-22
  • 一种可以实现有机物线性蒸发的装置及方法
    一种可以实现有机物线性蒸发的装置及方法_繁枫新能源(上海)有限公司_202510719049.0
    本发明公开了一种可以实现有机物线性蒸发的装置，包括金属围罩，所述金属围罩内部设有油浴加热区，所述油浴加热区内部设有多对进油口和出油口以及两个隔绝层，每对所述进油口和出油口端部均连接有输油泵口，所述油浴加热区内部设有蒸发区，所述蒸发区内部通过...
    2026-01-22
  • 一种基于真空溅射的铜表面纳米化界面制备方法
    一种基于真空溅射的铜表面纳米化界面制备方法_南通威斯派尔半导体技术有限公司_202510715748.8
    本发明公开了一种基于真空溅射的铜表面纳米化界面制备方法，具体步骤包括：S1.基底预处理：将无氧铜基底依次经丙酮、乙醇超声清洗，氮气吹干后置于真空腔体内进行Ar等离子体刻蚀，去除表面氧化物并形成纳米级粗糙表面；S2.磁控溅射沉积：采用直流磁控...
    2026-01-22
  • 化学气相沉积设备及其扩散组件
    化学气相沉积设备及其扩散组件_合肥维信诺科技有限公司_202510719438.3
    本申请实施例提供了一种化学气相沉积设备及其扩散组件。该化学气相沉积设备包括工艺腔室，工艺腔室具有相对的顶部和底部，该扩散组件包括第一电极和至少一级辅助扩散板，第一电极靠近所述顶部设且设置有多个第一通孔，辅助扩散板位于第一电极靠近底部的一侧且...
    2026-01-22
  • 一种适用于精密轴承零件的高温发黑液及使用方法
    一种适用于精密轴承零件的高温发黑液及使用方法_浙江天马轴承集团有限公司_202510727441.X
    本发明公开了一种适用于精密轴承零件的高温发黑液，所述发黑液由以下原料按如下重量体积比配制：氢氧化钠500‑750g/L、亚硝酸钠120‑220g/L、硝酸钠50‑100g/L、添加剂2‑10g/L、络合剂5‑15g/L、促进剂5‑10g/L...
    2026-01-22
  • 一种二氧化碳电还原膜电极及其制备方法
    一种二氧化碳电还原膜电极及其制备方法_上海空间电源研究所_202510720172.4
    本发明公开了一种二氧化碳电还原膜电极及其制备方法，该方法包含：步骤1，向长链烷基溶液中加入金属前驱体，水热反应后退火，得到纳米级阴极催化剂；步骤2，将阳极、纳米级阴极催化剂分别和阴离子交换树脂分散于第一溶剂，得到阳极、纳米级阴极催化剂浆料；...
    2026-01-22
  • 一种催化透氨膜及其在与电催化耦合制氨的应用
    一种催化透氨膜及其在与电催化耦合制氨的应用_南京工业大学_202510715430.X
    本发明涉及一种催化透氨膜及其在与电催化耦合制氨的应用，属于膜材料制备与膜反应器应用领域。本发明通过利用透氨性膜亚埃米级范围孔道的优势，使合成氨过程具有更高的生产效率并且在平衡反应速率和分离速率方面具有更充分的调节空间。采用透氨性膜与电催化耦...
    2026-01-22
  • Cu/Zn双金属有机框架催化剂及其应用
    Cu/Zn双金属有机框架催化剂及其应用_天津大学_202510713749.9
    本发明提供了Cu/Zn双金属有机框架催化剂及其应用。本发明将Cu基MOF HKUST‑1与Zn基MOF ZIF‑8通过共沉淀法复合制备Cu/Zn双金属有机框架催化剂，通过调控Cu和Zn活性位点的几何隔离与电子结构，实现CO2
    2026-01-22
  • 铜箔的表面处理工艺和铜箔
    铜箔的表面处理工艺和铜箔_深圳惠科新材料股份有限公司_202510724243.8
    本申请公开了一种铜箔的表面处理工艺和铜箔，该铜箔的表面处理方法包括对铜箔依次进行酸洗、第一次粗化、第二次粗化、第三次粗化、第四次粗化、镀锌、镀铬、涂覆硅烷和烘干；其中，所述第一次粗化与所述第三次粗化的粗化步骤条件相同，所述第二次粗化与所述第...
    2026-01-22
  • 一种抗磨减摩梯度纳米结构Ni镀层及其制备方法
    一种抗磨减摩梯度纳米结构Ni镀层及其制备方法_长安大学_202510718345.9
    本发明提出了一种抗磨减摩梯度纳米结构Ni镀层，包括从内到外依次置于金属基材上的晶粒尺寸为430‑530nm的镀层a、非晶带层a、晶粒尺寸为100‑140nm的镀层b、非晶带层b和晶粒尺寸为27‑33nm的镀层c，所述镀层a、镀层b、镀层c、...
    2026-01-22
  • 一种NaCrO2单晶正极材料的制备方法
    一种NaCrO<Sub>2</Sub>单晶正极材料的制备方法_中国科学院青海盐湖研究所_202510720906.9
    本发明公开了一种NaCrO2单晶正极材料的制备方法，属于正极材料制备技术领域。本发明提出一种用于制备高性能钠离子电池用单晶正极材料的新方法，首先以大尺寸单晶Cr2O3为原料(...
    2026-01-22
  • 一种NaCrO2单晶正极材料的制备方法和应用
    一种NaCrO<Sub>2</Sub>单晶正极材料的制备方法和应用_中国科学院青海盐湖研究所_202510720962.2
    本发明属于钠离子电池技术领域，涉及一种NaCrO2单晶正极材料的制备方法和应用，更具体的提供了一种大尺寸Cr2O3单晶材料，以及由该大尺寸Cr2O
    2026-01-22
  • 用于外延反应的基座以及晶圆承载限位组件
    用于外延反应的基座以及晶圆承载限位组件_广东天域半导体股份有限公司_202510718970.3
    本发明公开一种用于外延反应的基座以及晶圆承载限位组件，该基座用于承接托盘，托盘底部中心向内凹陷形成凹孔，基座的本体中部向上凸伸形成托盘承接部，托盘承接部的顶部向托盘承接部底部方向凹陷，以形成容置腔和环绕容置腔的限位部，容置腔与托盘形状适配，...
    2026-01-22
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