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  • 本发明公开一种晶圆承载装置和半导体工艺腔室, 所公开的晶圆承载装置包括基座、支撑件和驱动机构, 其中, 所述基座包括基座本体, 所述基座本体具有用于加热晶圆的加热面, 所述支撑件设于所述基座本体, 且可在以所述加热面的中心轴线为圆心的圆形轨...
  • 本发明公开了一种晶粒顶出组件及检测封装设备, 涉及半导体制造技术领域, 其技术要点包括工作台及固定安装在工作台上的带摄影功能的机械手臂, 工作台顶部的左端设置有晶粒顶出结构, 晶粒顶出结构包括固定安装在工作台顶部左端的晶粒顶出底座, 晶粒顶...
  • 本发明提供了一种晶圆载台和晶圆移载装置, 属于半导体驱动技术, 晶圆载台包括载台座、支撑模组、升降调平模组、旋转驱动模组、重力平衡模组和晶圆载盘;支撑模组通过升降调平模组和重力平衡模组设置在载台座上, 旋转驱动模组设置在支撑模组的中部并带动...
  • 本申请涉及一种微型芯片夹具, 涉及芯片夹持技术领域, 其包括夹具座、导向杆、夹持块和顶紧螺栓;夹具座上设有两个并排设置的导向杆, 导向杆平行于第一方向, 夹持块两端均固定连接有一滑块, 滑块套设于导向杆且沿第一方向滑动, 相邻两个夹持块之间...
  • 本发明属于半导体制造技术领域, 公开一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法, 该方法首先在衬底上构建硬掩模层, 所述硬掩模层中具有开口, 所述衬底的部分上表面从所述开口中露出;然后通过预先构建的倒圆角模型以及刻蚀模型对裸漏在外的衬底进行...
  • 本发明公开一种制作半导体元件的方法, 其主要先提供第一晶圆以及第二晶圆, 然后将该第一晶圆接合至一载体并于该载体以及该第一晶圆之间形成一粘着层, 对第一晶圆以及第二晶圆进行一前段制作工艺以及一后段制作工艺, 形成直接键结内连线(direct...
  • 本发明提供一种超级通孔互连结构及其制造方法, 具体涉及半导体领域。所述制造方法包括在第一介质层中形成第一金属互连结构;在第一介质层上依次形成第二介质层和介质阻挡层, 且介质阻挡层的刻蚀速率小于第二介质层的刻蚀速率;在介质阻挡层和第二介质层中...
  • 本发明公开了一种减少晶圆崩边的分离方法, 首先, 使用激光光束对晶圆的正面进行激光切割操作, 切割深度小于所述晶圆的厚度, 然后在晶圆的正面的非切割区域形成第一掩膜, 并在晶圆的背面形成第二掩膜, 从而对晶圆进行保护, 避免了后续的湿法刻蚀...
  • 本公开涉及一种具有高电压稳健性的集成电路IC。一种半导体装置(300)包括:半导体衬底(301), 其具有第一切割侧(309A)和相对的第二切割侧(309B);电路(305), 其形成于所述半导体衬底(301)中或上方位于所述第一切割侧(3...
  • 描述了具有保护环结构的半导体装置。在一些实例中, 半导体装置(201)包含半导体衬底(209)、所述半导体衬底(209)上方的III‑N层(210)。所述III‑N层(210)延伸越过所述半导体衬底(209)的装置区(202)。所述半导体装...
  • 本发明抑制扩展后的芯片布局的破坏。本发明的一方式的扩展环, 其周缘固定于环状部件并对粘贴有晶圆的片材施加张力以将所述片材拉伸, 扩展环包括:环主体, 外径比所述环状部件的内径小;以及唇部, 从所述环主体的外周上缘朝向外侧下方延伸设置, 并且...
  • 本发明属于晶圆切割技术领域, 公开了一种晶圆的激光切割方法, 包括以下步骤:在晶圆的正面依次涂覆保护胶和保护液, 得到晶圆A;将晶圆A的背面贴在UV膜上, 然后进行激光切割, 得到晶圆B;对晶圆B进行第一水流冲洗, 得到晶圆C;对晶圆C进行...
  • 本发明涉及包括叠置件的部件承载件、用于制造部件承载件的方法以及包括部件承载件的封装件, 其中, 叠置件包括电传导层结构和阻焊层结构, 电传导层结构和阻焊层结构沿叠置方向布置。阻焊层结构包括至少一个开口, 至少一个电传导层结构的部分通过至少一...
  • 本申请提供了一种芯片、电子组件和电子设备, 该电子组件包括芯片和电路板。芯片朝向电路板的表面包括中心区域和边缘区域, 边缘区域位于中心区域的周侧, 上述边缘区域位于中心区域朝向边缘的一侧。上述芯片的边缘区域通过第一焊点与电路板连接, 中心区...
  • 本申请实施例提供一种封装模组和基站, 封装模组包括封装载板, 设置在所述封装载板上的半导体衬底, 设置在所述半导体衬底上的功放电路和环行器, 以及包覆所述封装载板、所述半导体衬底、所述功放电路和所述环行器的塑封体, 所述功放电路与所述环行器...
  • 本发明公开一种整合式封装结构, 包含集成电路封装结构及电感元件。集成电路封装结构包含基板、芯片、接线端子及包覆材料。芯片设置于基板上, 以倒装封装方式与基板连结, 其中芯片的背部朝上。接线端子设置于基板上。包覆材料包覆于基板上, 且暴露芯片...
  • 封装内的管芯和模制材料上方的气密层。本文中的实施例涉及用于在半导体封装内施加气密层以防止或减轻湿气跨材料的层的迁移的系统、装置或过程。在实施例中, 气密层可以包括氮化物并且可以是介电层。气密层可以被放置在由填充材料围绕的一个或多个管芯的顶部...
  • 本发明提供一种功率模块。功率模块可以具备:绝缘基板;第一功率半导体, 搭载于绝缘基板;第一导体, 在俯视时至少一部分与第一功率半导体重叠, 与第一功率半导体的第一端子电连接, 沿着绝缘基板的面在第一方向上延伸;电流传感器, 以在俯视时至少一...
  • 本发明提供的塑封芯片封装方法及塑封芯片封装结构, 其包括基板, 基板上沿第一方向依次设置有第一芯片、中间芯片及第二芯片;中间芯片的至少一引脚通过第一引线与第一芯片电连接, 第一芯片通过第二引线与基板电连接;中间芯片的至少另一引脚通过第三引线...
  • 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括:层间绝缘层, 设置在基底上;多个中部互连件, 设置在层间绝缘层中;垫, 设置在层间绝缘层上;上部互连件, 设置在层间绝缘层上;保护绝缘层, 覆盖垫的边缘、上部互连件以及垫与上部互连件之间的水平的间隙...
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