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最新专利技术
  • 一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法
    一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法_宁波威远光电研究院有限公司_202510869512.X
    本发明公开了一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法， 包括：利用刻蚀气体扩散的原理及气体保护原理， 通过光刻制备出所需形貌， 再控制刻蚀条件实现角度继承， 通过光刻与刻蚀联用得到所需形貌；以简单的条件制备出复杂的形貌， 根据所用设备...
    2025-12-01
  • 高密度金属氧化物-碳混合掩模及其制备方法
    高密度金属氧化物-碳混合掩模及其制备方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202510940727.6
    本发明属于半导体领域， 具体地涉及一种高密度金属氧化物‑碳混合掩模及其制备方法。所述方法包括步骤：(1)提供碳掩膜；(2)使NO2改性所述碳掩膜， 得到吸附位点增多的碳掩膜；(3)使金属前驱体在所述吸附位点增多的碳掩膜内沉积得到金属氧化物掺...
    2025-12-01
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510344913.3
    本公开提供一种成膜方法和成膜装置， 能够提高硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；以及向所述非晶硅膜同时供给镍原料气体和氢气， 来使镍向所述非晶硅膜中扩散。
    2025-12-01
  • 成膜方法
    成膜方法_东京毅力科创株式会社_202510345126.0
    本公开提供一种成膜方法， 能够控制硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；变更所述非晶硅膜的表面状态；以及在进行所述变更的工序后， 向所述非晶硅膜供给镍原料气体来使镍向所述非晶硅膜中扩散。
    2025-12-01
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202410934298.7
    本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法。本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法通过在具有设置有半导体元件的第1面和与第1面相反侧的第2面的晶片的第2面形成凹部， 由此在第2面形成薄板部及将薄板部包围的环状凸部。本制造方法具有在第2面上形成...
    2025-12-01
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_中芯南方集成电路制造有限公司_202410407138.7
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法， 所述半导体结构包括：基底， 所述基底表面包括目标刻蚀层， 所述目标刻蚀层中形成有图案化的若干改性区， 所述图案化的若干改性区和所述目标刻蚀层的刻蚀选择比大于5， 相邻改性区之间的距离为第一距离， 单个...
    2025-12-01
  • 一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法
    一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511298372.1
    本发明提供了一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法， 涉及湿法刻蚀技术领域。该方法包括步骤：对覆盖光刻胶膜层后的待刻蚀金属膜层进行一次湿法刻蚀， 并持续监测被刻蚀部位侧壁的腐蚀宽度；当腐蚀宽度大于预设值时， 终止本次湿法刻蚀；对完成本次湿法刻蚀后的...
    2025-12-01
  • 一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用
    一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用_西南交通大学_202510693298.7
    本发明公开了一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用， 属于GaN材料技术领域， 其制备方法包括：在衬底上生长Mg掺杂GaN层， 制得基体材料；于N2或N2/O2混合气氛条件下， 将基体材料进行退火处理， 退火的同时对基体材料施加交变电场；...
    2025-12-01
  • 一种功率模块的封装方法及其固定装置
    一种功率模块的封装方法及其固定装置_采埃孚股份公司_202410424163.6
    本发明涉及一种功率模块的封装方法及其固定装置。该封装方法包括S1， 将可拆卸的固定装置装配到散热器上， 在固定装置上设有安装孔， 在散热器的表面设有凸块， 安装孔和凸块上下对应配合， 形成与功率模块适配的放置槽；S2， 将功率模块置入放置槽...
    2025-12-01
  • 电子装置以及其制造方法
    电子装置以及其制造方法_群创光电股份有限公司_202411316045.X
    本发明提供一种电子装置的制造方法， 包含以下步骤：提供基板；形成电路结构于基板上；形成孔洞于基板；形成导电组件于孔洞中；将芯片接合于电路结构上；以及实行第一切割步骤以切割电路结构与基板的一部分， 且于基板中形成凹槽。本发明亦提供一种由前述方...
    2025-12-01
  • 一种用于纯银凸块的化学镀防腐工艺
    一种用于纯银凸块的化学镀防腐工艺_晶度半导体科技(安徽)有限公司_202510801537.6
    本发明公开了一种用于纯银凸块的化学镀金防腐工艺， 包括如下步骤：在基底上电镀形成纯银凸块；对所述纯银凸块依次进行去胶、种子金层刻蚀和种子钛钨层刻蚀处理；对经处理的纯银凸块进行化学镀处理步骤， 所述化学镀处理步骤包括：在所述纯银凸块表面按预设...
    2025-12-01
  • 一种预植铜柱基板的巨量转移方法
    一种预植铜柱基板的巨量转移方法_日月新半导体(苏州)有限公司_202510873591.1
    本发明公开了一种预植铜柱基板的巨量转移方法， 包括制备预植板， 所述预植板包括在不锈钢板上设置离型剂， 在离型剂上方形成多组铜柱；通过在不锈钢板上涂抹离型剂制成预植板， 并采用干膜电镀工艺形成多组铜柱， 可精确控制铜柱的位置、高度及排列密度...
    2025-12-01
  • 防止产生气泡的加热固晶方法
    防止产生气泡的加热固晶方法_梭特科技股份有限公司_202410400077.1
    本发明提供一种防止产生气泡的加热固晶方法， 包括下列步骤：将液体分布在基板上；晶粒在液体中固定在基板上；对晶粒加热， 使得液体蒸发成水蒸气；对晶粒加热加压；以及停止对晶粒加热加压， 使得晶粒逐渐冷却并且固定在基板上。借此， 液体会附着在基板...
    2025-12-01
  • 一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法
    一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法_钱塘科技创新中心_202410406330.4
    本申请涉及一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法。制备方法包括：提供集成衬底， 集成衬底包括依次设置的保护层、纳米烧结金属层、钝化层、氮化镓层和衬底层， 保护层的厚度大于衬底层的厚度；在衬底层表面形成微孔通道；在微孔通道内及衬底层的背向氮化...
    2025-12-01
  • 一种扇出型封装结构及制作方法
    一种扇出型封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202510902610.9
    本发明公开了一种扇出型封装结构及制作方法， 步骤一：所述对作业产品第一面进行线路层一制作， 通过旋转涂布的方式涂布PI‑1层， 再进行曝光显影并固化， 在所述PI‑1层上制作开孔， 所述开孔包括开孔A和开孔B， 通过溅射工艺在所述PI‑1层...
    2025-12-01
  • 基板处理方法及半导体装置
    基板处理方法及半导体装置_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510947451.4
    本发明涉及一种基板处理方法及一种半导体装置。所述基板处理方法中， 对于被钝化层暴露的金属连接垫的测试区， 进行第一平坦化处理使测试区的金属凸起不高于钝化层对应暴露测试区的开口处的表面， 之后形成补偿介质层以补偿钝化层表面的高度差并填充钝化层...
    2025-12-01
  • 晶圆结构及其形成方法
    晶圆结构及其形成方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510948499.7
    本发明涉及一种晶圆结构及其形成方法。所述形成方法中， 用于键合的晶圆上形成有识别标记， 方便在键合工艺流程中识别追踪晶圆， 并且， 在所述边缘区形成覆盖所述识别标记的第一介质层并进行第一平坦化处理， 降低了所述识别标记产生的高度落差， 使得...
    2025-12-01
  • 半导体管芯封装和形成其的方法
    半导体管芯封装和形成其的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510657908.8
    提供了一种半导体管芯封装和形成其的方法。从半导体管芯封装中的半导体管芯的装置层的背侧表面省略高介电常数(高k)钝化层。代替地， 硬掩模层直接形成在装置层的背侧表面上， 以及图案化硬掩模层并用于形成通过装置层的一个或多个延伸导电结构(例如， ...
    2025-12-01
  • 一种双向对接的植球机
    一种双向对接的植球机_讯科半导体(苏州)有限公司_202510883506.X
    本发明公开了一种双向对接的植球机， 包括机架本体， 第一移载机构， 第二移载机构， 定位机构， 第三移载机构， 第四移载机构， 助焊剂上料组件， 植球组件， 检测组件和第五移载机构， 机架本体的两侧分别开设有第一对接口和第二对接口， 第一对...
    2025-12-01
  • 芯片封装方法及芯片封装体
    芯片封装方法及芯片封装体_华宇华源电子科技(深圳)有限公司_202511041892.4
    本发明公开了一种芯片封装方法及芯片封装体， 芯片封装方法包括：S1、在载体上设置第一焊盘以及第一绝缘层；S2、在第一绝缘层上设置第二焊盘；S3、贴装芯片；S4、设置塑封体， 芯片以及第二焊盘被包裹在塑封体中；S5、设置线路层， 线路层导电连...
    2025-12-01
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