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最新专利技术
  • 基板载体、基板载体保持机构、真空设备、用途及方法
    基板载体、基板载体保持机构、真空设备、用途及方法_冯·阿登纳资产股份有限公司_202510619560.3
    根据本发明各种实施方案涉及一种基板载体段(150)，包括：载体框架(102)；用于保持基板的基板保持机构(106)，至少部分地集成到载体框架(102)中或安装于载体框架(102)上；用于安装基板载体段的安装机构(104)，邻接载体框架(10...
    2026-01-27
  • 一种压针驱动装置及衬底固定装置
    一种压针驱动装置及衬底固定装置_江苏汉可智能装备有限公司_202511475962.7
    本申请公开了一种压针驱动装置及衬底固定装置，应用于半导体制造设备领域。衬底固定装置包括压针驱动装置和压针。压针驱动装置包括第一温变弹簧、第二温变弹簧和转子。当温度处于低温区间时，第一温变弹簧的形变量大于第二温变弹簧的形变量，使得转子带动压针...
    2026-01-27
  • 一种镀金属半导体膜用观察窗及观察方法
    一种镀金属半导体膜用观察窗及观察方法_河南微米光学科技有限公司_202510627590.9
    本发明涉及真空镀膜领域，公开了一种镀金属半导体膜用观察窗及观察方法，该镀金属半导体膜用观察窗，包括观察窗框架，所述观察窗框架的一侧安装有观察窗压盖，所述观察窗框架的内部安装有观察窗玻璃，所述观察窗框架的一侧固定连接有安装框，所述安装框的内部...
    2026-01-27
  • 一种半导体镀膜设备
    一种半导体镀膜设备_联合光科(上海)技术有限公司_202511111361.8
    本发明属于镀膜设备技术领域，尤其是一种半导体镀膜设备，现提出以下方案，包括箱体，所述箱体一侧外壁转动连接有盖板，所述箱体内壁两端均固定连接有固定板，所述固定板两端之间设置有升降板，所述升降板和固定板之间设置有高度调节机构，所述升降板顶部设置...
    2026-01-27
  • 水汽控制方法、水汽发生装置、水汽控制装置以及PVD沉积设备
    水汽控制方法、水汽发生装置、水汽控制装置以及PVD沉积设备_苏州迈为科技股份有限公司_202511232680.4
    本申请涉及一种水汽控制方法、水汽发生装置、水汽控制装置和PVD沉积设备。所述方法应用于水汽发生装置的控制器，水汽发生装置包括第一管道、第二管道、储水模块，储水模块设置有进气口和出气口，载气流经第一管道通过进气口流入储水模块，并通过出气口流出...
    2026-01-27
  • 一种蒸发镀膜机工作用辅助吸附装置
    一种蒸发镀膜机工作用辅助吸附装置_江苏派莱特光电科技有限公司_202511485077.7
    本发明提供一种蒸发镀膜机工作用辅助吸附装置，属于蒸发镀膜机技术领域，包括箱体，所述箱体的内底部设置有伺服电机，所述箱体的内顶部转动安装有连接轴，所述箱体的内部设置有清屑组件，且清屑组件包括除屑机构、启闭机构和传动机构，所述箱体的内底部由内至...
    2026-01-27
  • 一种无褶皱均匀单层石墨烯薄膜的化学气相沉积制备方法
    一种无褶皱均匀单层石墨烯薄膜的化学气相沉积制备方法_中国科学院金属研究所_202511050874.2
    本发明涉及石墨烯制备领域，具体为一种无褶皱均匀单层石墨烯薄膜的化学气相沉积制备方法。采用具有较好催化能力的金属基底，第一步在平坦的金属基底表面引入纳米粒子；第二步进行石墨烯的生长，形成“石墨烯‑纳米粒子‑金属基底”结构，利用纳米粒子减弱石墨...
    2026-01-27
  • 一种调控界面摩擦力或剪切阻力的方法
    一种调控界面摩擦力或剪切阻力的方法_清华大学_202510968148.2
    本申请涉及一种调控界面摩擦力或剪切阻力的方法。该方法包括：在基底材料的接触面形成改性材料层，以降低所述基底材料的界面摩擦力或剪切阻力；所述改性材料层为通过和频振动光谱(SFG)测定的3350～3450cm‑1处的振幅/峰的半高全宽值与315...
    2026-01-27
  • 一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品
    一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品_湖南德智新材料股份有限公司_202511468466.9
    本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品。该方法包括以下步骤：a)基材表面预处理形成沟槽，b)通入碳源气体、在金属盐催化剂的作用下进行第一化学气相沉积生长成碳纳米颗粒，对步骤a)预处理后...
    2026-01-27
  • 一种耐铝液浸润腐蚀的热解氮化硼坩埚及其制备方法
    一种耐铝液浸润腐蚀的热解氮化硼坩埚及其制备方法_中国科学院金属研究所_202511051139.3
    本发明涉及热解氮化硼坩埚技术领域，具体为一种耐铝液浸润腐蚀的热解氮化硼坩埚及其制备方法，适用于分子束外延镀铝坩埚。热解氮化硼坩埚由热解氮化硼坩埚本体及涂敷在其表面的耐铝液浸润腐蚀涂层组成，氮化铝涂层能有效隔离保护热解氮化硼于铝液，可以大幅避...
    2026-01-27
  • 气化生物质碱金属沉积装置和沉积方法
    气化生物质碱金属沉积装置和沉积方法_国家能源集团科学技术研究院有限公司_202510904323.1
    本发明公开了一种气化生物质碱金属沉积装置和沉积方法，气化生物质碱金属沉积装置包括：炉体，炉体的上端设有出气口和第一通孔，炉体的下端设有进气口和第二通孔；多个加热保温层，加热保温层套设在炉体的外侧，多个加热保温层上下依次布置，加热保温层内设有...
    2026-01-27
  • 一种多用途回转式气相沉积包覆炉
    一种多用途回转式气相沉积包覆炉_株洲迪远冶金工业炉股份有限公司_202511111505.X
    本发明涉及工业炉技术领域，具体涉及一种多用途回转式气相沉积包覆炉。一种多用途回转式气相沉积包覆炉包括炉体和进气机构，进气机构包括从内到外依次套设的内管、中管和外管。内管上设置有第一出气管。中管上设置有第二出气管，外管上设置有第三出气管。每个...
    2026-01-27
  • 一种基于化学气相沉积反应器的清洗装置及其残渣回收结构
    一种基于化学气相沉积反应器的清洗装置及其残渣回收结构_苏州仕科泰新材料科技有限公司_202511492594.7
    本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，且公开了一种基于化学气相沉积反应器的清洗装置及其残渣回收结构，包括CVD反应器1，CVD反应器1内设置有反应部2，作为CVD反应器1的基础承载与工艺适配结构，提供反应所需温度环境，辅助残渣向回收区域汇聚，...
    2026-01-27
  • 粉末旋转夹持器组件及粉末原子层沉积装置
    粉末旋转夹持器组件及粉末原子层沉积装置_华中科技大学_202510988318.3
    本申请涉及粉末旋转夹持器组件及粉末原子层沉积装置。旋转夹持器设有内腔及可拆卸地凸设于内腔中的挡板，连接器设有与夹持器挡块形状相适配的装配腔；夹持器挡块可拆卸地插设于装配腔中，以使连接器的转矩通过夹持器挡块传递给旋转夹持器。可以应用在满足原子...
    2026-01-27
  • 分气装置及半导体薄膜设备
    分气装置及半导体薄膜设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511055593.6
    本发明公开了一种分气装置及半导体薄膜设备，分气装置设置在喷淋板的上方，该分气装置包括分气件和分气阀岛，所述分气件内部设有多个沿径向间隔分布且呈同心布置的环形流道，每个环形流道沿圆周方向均匀开设有多个轴向贯穿分气件的出气孔；所述分气阀岛包括多...
    2026-01-27
  • 镀膜装置
    镀膜装置_江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司_202511211977.2
    一种镀膜装置，包括：壳体，具有容纳腔；至少一个滚筒，容置于所述容纳腔并能够在所述容纳腔内转动，每一所述滚筒包括用于放置待镀膜的基材的镀膜腔，随所述滚筒转动，所述基材在所述镀膜腔内翻滚，所述滚筒的壁上设置有连通部，用于连通所述镀膜腔和所述容纳...
    2026-01-27
  • 具有流量分配器的蒸气递送容器
    具有流量分配器的蒸气递送容器_弗萨姆材料美国有限责任公司_202511306346.9
    本发明公开了化学前体容器。所述容器包括器皿和限定内部容积的盖、进口导管、出口导管和定位在器皿内部并与进口导管流体流连通的流量分配器。所述流量分配器具有环形形状且包括分配器底板，所述分配器底板具有在其中形成的、用于经过其排出载气的多个孔。所述...
    2026-01-27
  • 一种垂直型石墨载盘及MOCVD设备
    一种垂直型石墨载盘及MOCVD设备_江西兆驰半导体有限公司_202511069479.9
    本发明公开了一种垂直型石墨载盘及MOCVD设备，该垂直型石墨载盘应用于MOCVD设备中，垂直型石墨载盘包括载盘本体以及设于载盘本体上的多个放置槽，放置槽用于容纳衬底，其中，载盘本体垂直布置在MOCVD设备的反应腔体中，使得载盘板体的一部分边...
    2026-01-27
  • 一种主轴架体精度调节方法
    一种主轴架体精度调节方法_曲红杰_202511132902.5
    本发明公开了一种主轴架体精度调节方法，包括以下步骤：将静音线轨组件安装在主轴架体上；在水平基准检测平台对架体安装基准面进行水平精度检测并调节使其水平精度达到设定第一阈值；在水平基准检测平台上通过竖向基准检测平台对静音线轨组件的静音线轨竖向精...
    2026-01-27
  • 一种钨的沉积工艺及等离子体设备
    一种钨的沉积工艺及等离子体设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410594260.X
    本发明公开了一种钨的沉积工艺及等离子体设备，沉积工艺包含：提供一含有凹陷结构的基片，凹陷结构包括第一部分和第二部分，第一部分位于第二部分的上部，且特征尺寸小于第二部分的特征尺寸；第一沉积步骤：在第一部分和第二部分沉积第一沉积层；第一沉积层至...
    2026-01-27
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