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最新专利技术
  • 一种掺杂稀土元素的光学成像膜及其制备方法
    一种掺杂稀土元素的光学成像膜及其制备方法_中科宝溢视觉科技(江苏)有限公司_202511108252.0
    本发明公开了一种掺杂稀土元素的光学成像膜及其制备方法，方法具体包括：提供光学玻璃基片，并对光学玻璃基片的表面进行预处理；在光学玻璃基片的表面溅射出基底层；在基底层的表面沉积出掺杂有稀土元素的掺杂层；在掺杂层的表面刻蚀出微纳米结构；微纳米结构...
    2026-02-04
  • 正极集流体、其制备方法以及包含其的电池
    正极集流体、其制备方法以及包含其的电池_江门市德众泰高新技术有限公司_202511031141.4
    本发明公开了一种正极集流体、其制备方法以及包含其的电池，所述正极集流体的制备方法包括以下步骤：将高分子材料制成连续薄膜；对所述连续薄膜进行表面预处理；将预处理后的薄膜进行化学镀，形成金属导电层；将经过化学镀的薄膜进行电化学沉积金属层；将经过...
    2026-02-04
  • 一种基于三维自旋控制磁控共溅射制备硅合金负极的方法
    一种基于三维自旋控制磁控共溅射制备硅合金负极的方法_西安交通大学_202511161795.9
    本发明属于锂离子电池负极材料制备技术领域，涉及一种基于三维自旋控制磁控共溅射制备硅合金负极的方法，包括：1、基材准备：选取碳颗粒作为负极材料基底；2、颗粒三维自旋悬浮：将碳颗粒置于三维自旋悬浮装置中，在高真空环境下在多个空间方向的连续翻滚与...
    2026-02-04
  • 一种高结合强度复合铝箔及其制备方法
    一种高结合强度复合铝箔及其制备方法_合肥源元科技股份有限公司_202511125481.3
    本发明涉及复合铝箔技术领域，具体公开了一种高结合强度复合铝箔及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.将薄膜上料至卷绕式镀膜机，所述薄膜的一侧表面形成有铝预镀层；S2.对所述薄膜进行氮气等离子体前处理，得到薄膜基材；S3.在所述薄膜基材...
    2026-02-04
  • 一种高通量蒸镀设备
    一种高通量蒸镀设备_苏州光拓科技有限公司_202511077483.X
    本发明公开了一种高通量蒸镀设备，涉及真空镀膜设备领域，包括镀膜腔室和镀膜机机架，所述镀膜腔室内设有多层样品架，所述多层样品架由基片架上板和两个基片架侧板组成，且两个基片架侧板上均设有7层基片托，所述多层样品架的一侧设置有基片挡板本体，所述镀...
    2026-02-04
  • 一种蒸镀机台复机方法
    一种蒸镀机台复机方法_江西兆驰半导体有限公司_202511189976.2
    本发明公开了一种蒸镀机台复机方法，涉及半导体制备技术领域，该方法包括：依次对所述蒸镀机台中用于镀源切换的调节挡板进行喷砂、酸洗、水洗与烘烤处理；对烘烤后的所述调节挡板进行复机镀膜，包括在真空环境下于所述调节挡板的表面依次蒸镀第一材料与第二材...
    2026-02-04
  • 蒸镀机磁力对位装置及蒸镀机
    蒸镀机磁力对位装置及蒸镀机_京东方科技集团股份有限公司_202511462171.0
    本发明提供了一种蒸镀机磁力对位装置及蒸镀机，属于显示面板生产领域。蒸镀机磁力对位装置，用于将金属掩膜板固定于待蒸镀的基板上，蒸镀机磁力对位装置包括背板以及固定于背板上的多个磁石，磁石具有N极和S极，背板上排列有至少一排磁石，每排磁石包括交替...
    2026-02-04
  • 一种线型蒸发源加热丝张紧结构及控制方法
    一种线型蒸发源加热丝张紧结构及控制方法_合肥欣奕华智能机器股份有限公司_202410630606.7
    本发明公开了一种线型蒸发源加热丝张紧结构及控制方法，包括线源坩埚以及沿线源坩埚侧壁布置的加热丝，所述加热丝安装在固定座上，所述固定座上安装有若干个对加热丝进行张紧固定的张紧机构；所述张紧结构包括相连的第一金属薄片和第二金属薄片，所述第一金属...
    2026-02-04
  • 一种可调节脉冲宽度的OLED屏幕脉冲激光沉积设备
    一种可调节脉冲宽度的OLED屏幕脉冲激光沉积设备_江苏和熠光显科技有限公司_202511164908.0
    本发明公开了一种可调节脉冲宽度的OLED屏幕脉冲激光沉积设备，包括机体、衬底及四个靶材，所述机体一侧内部开设工作腔；本发明靶材搭载结构中滑移台可以在X轴上水平移动，滑移板则在Y轴上水平移动，这样可以微调靶材的烧蚀位置，避免过度烧蚀，也提高了...
    2026-02-04
  • 一种电弧蒸发源镀氧化膜用设备
    一种电弧蒸发源镀氧化膜用设备_济南华耀环保设备有限公司_202511014401.7
    本发明提出了一种电弧蒸发源镀氧化膜用设备，包括真空室和与真空室铰接的蒸发源，真空室作为弧源阳极，蒸发源包括导磁中心柱、外导磁筒和磁靴，外导磁筒一端与磁靴固定连接，外导磁筒另一端设有环形屏蔽盘，屏蔽盘内环侧设有靶材，所述导磁中心柱位于外导磁筒...
    2026-02-04
  • 一种离子多弧靶的引弧装置
    一种离子多弧靶的引弧装置_广东振华科技股份有限公司_202511179033.1
    本发明涉及真空镀膜设备领域，特别是涉及一种离子多弧靶的引弧装置，包括两个安装座、导向座、限位杆件、转接件和引弧针；两个安装座分别安装在离子多弧靶上开设的安装孔的两端；导向座位于安装孔内，且两端分别抵接在两个安装座上；限位杆件依次贯穿安装座和...
    2026-02-04
  • 一种高密度、高纯度WSix靶材的制作方法
    一种高密度、高纯度WSix靶材的制作方法_南京先锋材料科技有限公司_202511109591.0
    本发明公开了一种高密度、高纯度WSix靶材的制作方法，涉及粉末冶金技术领域，旨在解决现有技术的WSix靶材制作存在纯度不足，结构不均的问题。该方法包括以下步骤；S1、按重量比例70.79 : 29.21准备≥5N高纯W块状材料和Si粉状材料...
    2026-02-04
  • 一种CoZrTaB溅射靶材的制备方法
    一种CoZrTaB溅射靶材的制备方法_宁波江丰电子材料股份有限公司_202511155505.X
    本发明涉及一种CoZrTaB溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)按照靶材中Co和Ta的配比，将Co原料和Ta原料进行第一真空悬浮熔炼，得到CoTa中间合金；(2)将ZrB2合金粉末依次进行压制成型和真空烧结，得到ZrB2合金...
    2026-02-04
  • 一种高疲劳性能钛合金棒材及其制备方法
    一种高疲劳性能钛合金棒材及其制备方法_陕西中晶有色金属有限公司_202511492051.5
    本发明公开了一种高疲劳性能钛合金棒材及其制备方法，涉及钛合金表面处理技术领域，包括以下工艺：取钛合金棒作为基体，在其表面沉积TiAl合金涂层；而后进行低温离子氮化，形成渗氮层，得到高疲劳性能钛合金棒材。本发明通过表面TiAl合金化和低温离子...
    2026-02-04
  • 一种高纯锰靶材的制备方法
    一种高纯锰靶材的制备方法_河北高冶新材料有限公司_202511502252.9
    本发明一种高纯锰靶材的制备方法，属于冶金技术领域，包括以下步骤：首先对锰粉进行烘干，然后将锰粉倒入石墨模具内并放入焦耳热烧结炉内进行烧结，烧结时实施预压成型、低压脱气、中压致密、高压烧结的两阶段预压加四阶段梯度施压的策略，实现了低温烧结；通...
    2026-02-04
  • 一种多层离子溅射镀膜装置及工艺
    一种多层离子溅射镀膜装置及工艺_讯创(天津)电子有限公司_202511516509.6
    本发明涉及溅射镀膜技术领域，具体涉及一种多层离子溅射镀膜装置及工艺，多层离子溅射镀膜工艺包括采用多层离子溅射镀膜装置进行镀膜；多层离子溅射镀膜装置包括外壳、溅射靶头、安装壳、基座、回料机构和输料机构，溅射靶头插装在外壳内，且指向待镀膜件；安...
    2026-02-04
  • 磁控管组件的控制方法、下位机以及半导体工艺设备
    磁控管组件的控制方法、下位机以及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510998445.1
    本发明实施例提供一种磁控管组件的控制方法、下位机以及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，该方法中，获取工艺配方中与目标步骤对应的旋转类型参数；目标步骤是工艺配方中需要控制磁控管组件的任一工艺步骤。基于旋转类型参数对应的参数生成策略确定目标步...
    2026-02-04
  • 一种磁控溅射平面靶制备透明渐变色薄膜的方法
    一种磁控溅射平面靶制备透明渐变色薄膜的方法_中建材玻璃新材料研究院集团有限公司_202511021805.9
    本发明提供一种磁控溅射平面靶制备透明渐变色薄膜的方法，其特征在于：它包括以下步骤，S1：准备步骤，S2 : 衬底清洗步骤，S3 : 轰击步骤，S4 : 镀膜步骤。本发明提供的制备方法简明，实施方便，采用磁控溅射法制备的透明渐变色薄膜，相较于...
    2026-02-04
  • 一种磁控溅射源以及系统
    一种磁控溅射源以及系统_合肥致真精密设备有限公司_202511065689.0
    本发明公开了一种磁控溅射源，包括阴极靶组件以及阴极靶挡板组件；所述阴极靶组件设置有N个阴极靶，N＞1且N为自然数，N个阴极靶成圆周布置；所述阴极靶挡板组件包括用于将N个阴极靶单独隔离的第一单板、以及位于所述阴极靶组件下方的第二挡板、第三挡板...
    2026-02-04
  • 一种孔结构金属化沉积方法及系统
    一种孔结构金属化沉积方法及系统_济南量子技术研究院_202511088352.1
    本发明涉及超导量子计算技术领域，公开了一种孔结构金属化沉积方法及系统，在硅基底表面沉积牺牲层，在待处理衬底上刻蚀出预设深宽比的孔结构，得到具备孔结构的衬底，以第一金属材料，对所述具备孔结构的衬底进行表面沉积，使得所述衬底和所述孔结构的表面具...
    2026-02-04
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