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最新专利技术
  • 一种磁控溅射镀膜机
    一种磁控溅射镀膜机_成都国泰真空设备有限公司_202511596158.4
    本发明涉及镀膜设备技术领域，具体公开了一种磁控溅射镀膜机，包括镀膜室以及连通设置于镀膜室上的抽真空组件，镀膜室上设有可启闭的室门，镀膜室内设有工件安装组件，并在工件安装组件的下方设有电子枪，电子枪设于镀膜室内底部，电子枪的输出端设有坩埚，室...
    2026-03-01
  • 复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池
    复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池_江苏英联复合集流体有限公司_202511598871.2
    本申请涉及二次电池技术领域，具体涉及复合集流体及其制备方法、电极片、二次电池。本申请的复合集流体的制备方法，包括以下步骤：取聚合物基膜，采用第一导电材料进行第一处理，于聚合物基膜的至少一侧表面制备第一导电种子层；以第一导电种子层远离聚合物基...
    2026-03-01
  • 半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺
    半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511172235.3
    本发明提供一种半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺，涉及半导体技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、承载组件和遮挡组件，遮挡组件包括驱动结构、第一遮挡环和第二遮挡环，第一遮挡环沿其周向包括多个弧形的遮挡段，驱动结构连接于各遮挡段，配置为：驱动遮挡...
    2026-03-01
  • 镀膜翻转装置
    镀膜翻转装置_安徽其芒光电科技有限公司_202511285092.7
    本申请公开一种镀膜翻转装置，涉及镀膜装置技术领域，包括：承载板，承载板的一端固定设有连接杆；连接杆上固定设有卡块和可伸缩的第一限位部；固定相连的第一安装板和第二安装板，承载板的两端分别与第一安装板和第二安装板转动相连；连接杆穿设于第一安装板...
    2026-03-01
  • 成膜处理系统和成膜处理系统的控制方法
    成膜处理系统和成膜处理系统的控制方法_东京毅力科创株式会社_202510687064.1
    一种成膜处理系统和成膜处理系统的控制方法，抑制温度变化对膜质的影响。系统具备：第一成膜处理室，其用于对基板实施第一基板处理；第二成膜处理室，其用于对所述基板实施第二基板处理；搬送室，其设置于所述第一成膜处理室与所述第二成膜处理室之间；温度调...
    2026-03-01
  • 一种连续镀膜设备
    一种连续镀膜设备_深圳市正和忠信股份有限公司_202511138405.6
    本申请提供一种连续镀膜设备，包括：若干个依次连接的镀膜室，各镀膜室的内腔底部设置传送机构，镀膜室的底部设有旋转机构，旋转机构的顶部驱动端由镀膜室的底部向上贯穿伸入镀膜室的内部；传输台，传输台与连续镀膜设备端位的镀膜室相连接。本申请的连续镀膜...
    2026-03-01
  • 一种内置收放卷装置的镀膜工装
    一种内置收放卷装置的镀膜工装_南阳东方光微研究院_202511139579.4
    本发明提供一种内置收放卷装置的镀膜工装，该镀膜工装内部设有将膜材放卷与收卷的收放卷装置，收放卷装置包括放卷辊、收卷辊以及分别与放卷辊、收卷辊配合的导向辊A和导向辊B，实现膜材一次性进入真空室即可完成大面积连续镀膜的目的。镀膜工装所承载的基材...
    2026-03-01
  • 一种磁过滤平面电磁弧镀膜装置
    一种磁过滤平面电磁弧镀膜装置_纳微表面技术(无锡)有限公司_202511288749.5
    本发明涉及镀膜技术领域，公开了一种磁过滤平面电磁弧镀膜装置，包括：镀膜装置主体、移动式防尘组件、定位组件和调节式清理组件。本发明通过设置有移动式防尘组件和调节式清理组件，移动式防尘组件能够对空气中的灰尘进行隔绝，避免外界的灰尘流通进真空镀膜...
    2026-03-01
  • 真空镀膜冷却方法、控制系统及计算机存储介质
    真空镀膜冷却方法、控制系统及计算机存储介质_北歌(潍坊)智能科技有限公司_202511061461.4
    本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种真空镀膜冷却方法、控制系统及计算机存储介质。本发明中的真空镀膜冷却方法包括将高温气体吸附件设置在真空腔室内的换热件上，并开启换热件；对开启换热件后的真空腔室进行抽真空处理；将惰性气体填充至抽真空处理后...
    2026-03-01
  • 真空镀膜冷却设备
    真空镀膜冷却设备_北歌(潍坊)智能科技有限公司_202511064383.3
    本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种真空镀膜冷却设备。本发明中的真空镀膜冷却设备的高温气体吸附件设于第一真空腔室内，且高温气体吸附件的一端朝向第一传送组件设置，高温气体吸附件的另一端连接于制冷件。通过使用本技术方案中的真空镀膜冷却设备，...
    2026-03-01
  • 铜基金刚石复合材料的制备方法
    铜基金刚石复合材料的制备方法_深圳市超晶热导技术有限公司_202511027967.3
    本发明公开了一种铜基金刚石复合材料的制备方法，包括以下步骤：提供铜基材，铜基材包括相对的第一表面和第二表面，铜基材的厚度为0.1mm～5mm，第一表面和第二表面的面积为100mm2～2000mm2，铜基材的面积与厚度的比值为100 : 1～...
    2026-03-01
  • 一种硅/金刚石复合材料及其制备方法
    一种硅/金刚石复合材料及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511208467.X
    本发明公开了一种硅/金刚石复合材料及其制备方法，该制备方法包括：在清洗后的硅基底一面旋涂金刚石悬浮液，然后利用MPCVD生长金刚石薄膜；在硅基底的另一面生长金刚石薄膜，从而得到硅/金刚石复合材料；其中，该金刚石悬浮液中金刚石的平均粒径为10...
    2026-03-01
  • 一种利用化学气相沉积制备碳化钽涂层的方法
    一种利用化学气相沉积制备碳化钽涂层的方法_湖南烁科热工智能装备有限公司_202511245973.6
    本发明中公开了一种利用化学气相沉积制备碳化钽涂层的方法，该方法是以含有钽源和碳源的气溶胶为原料进行化学气相沉积，形成碳化钽涂层，其中含有钽源和碳源的气溶胶中包含气态钽源和分散在气态钽源中的固态碳源。本发明方法中，以含有钽源和碳源的气溶胶为原...
    2026-03-01
  • 一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法
    一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法_深圳菲比特光电科技有限公司_202511609180.8
    本发明公开了一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法，涉及光学元件领域。一种超疏水自清洁光学面板的制备方法，包括以下步骤：S1、对玻璃基板进行清洗，确保表面洁净；S2、将清洗后的玻璃基板放入PECVD反应腔，抽至真空；S3、在玻璃基板上沉积均匀...
    2026-03-01
  • 一种利用高纯石英砂制备半导体材料的方法
    一种利用高纯石英砂制备半导体材料的方法_洛南县陶岭矿业有限公司_202511631238.9
    本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种利用高纯石英砂制备半导体材料的方法。该方法首先通过3‑氨丙基三乙氧基硅烷对石英砂表面接枝改性，利用氨基官能团络合金属杂质，从源头提升前驱体纯度；其次采用氢气/氘气脉冲往返切换，利用同位素效应调控表面...
    2026-03-01
  • 液态源瓶及液态源瓶的控制方法
    液态源瓶及液态源瓶的控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410711408.3
    本申请提供了一种液态源瓶及液态源瓶的控制方法；液态源瓶包括：瓶体、具有敞口的内胆以及控制器；内胆可活动地固定于瓶体内，且内胆将瓶体内的空间分割成彼此独立的第一空间和第二空间，内胆的内侧与瓶体之间形成第一空间，内胆的外侧与瓶体之间形成第二空间...
    2026-03-01
  • 一步法构造光热防冰表面的等离子体处理装置与方法
    一步法构造光热防冰表面的等离子体处理装置与方法_南京工业大学_202511022740.X
    本发明公开了一种一步法构造光热防冰表面的等离子体处理装置与方法，涉及等离子技术领域，它包括处理模块，包括气体瓶、分别和气体瓶的输出端连接的气路件、流化件，以及与气路件和流化件输出端连接的混气箱；以及，反应模块，所述反应模块与混气箱的输出端相...
    2026-03-01
  • 一种半导体器件、制备方法及电子设备
    一种半导体器件、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410662433.7
    本申请公开了一种半导体器件、制备方法及电子设备，向反应腔室中通入含有第一元素的反应物后，向反应腔室中通入水或氧等离子体，形成氧化物介质材料，并使氧化物介质材料表面具有羟基。向反应腔室中通入布朗斯特酸或氨基硅烷，与氧化物介质材料表面的羟基反应...
    2026-03-01
  • 一种进气装置
    一种进气装置_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410718974.7
    本申请提供一种进气装置，用于沉积设备，包括：进气头主体，所述进气头主体为空腔结构，所述进气头主体的第一端面设置有贯穿所述第一端面的多个出气孔；以及第一气体分散部，位于所述进气头主体内部，所述第一气体分散部包括第一进气部、第一抽气部以及分别与...
    2026-03-01
  • 一种利用两种硅前驱体化合物形成薄膜的方法
    一种利用两种硅前驱体化合物形成薄膜的方法_韩松化学株式会社_202510731771.6
    本文涉及利用两种硅前驱体化合物的硅薄膜制造方法，具体的涉及通过原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)，在低温下也能形成具有优异薄膜特性，可以调整根据前驱体的形态的硅薄膜的制造方法。
    2026-03-01
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