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最新专利技术
  • 耐拉伸的漆包线
    耐拉伸的漆包线_无锡锡洲电磁线有限公司_202580001893.8
    一种耐拉伸的漆包线，包括铜芯(1)，所述铜芯(1)包括多股线芯(11)，多股所述线芯(11)相互绞合形成铜芯(1)，所述铜芯(1)的外部从内至外依次设有内保护层(4)、缓冲层(5)、绝缘层(6)、外保护层(7)、电磁屏蔽层(8)和导热层(9...
    2025-12-25
  • 磁性浆料、电路部件、电路部件的制造方法
    磁性浆料、电路部件、电路部件的制造方法_株式会社力森诺科_202480028484.2
    一种磁性浆料，其含有：磁性粉、热固性成分及偶联剂，磁性粉的体积基准的10%累积粒径为0.6～2.0μm，磁性粉的体积基准的50%累积粒径为1.1～3.6μm，磁性粉的体积基准的90%累积粒径为2.1～6.3μm。
    2025-12-25
  • 磁性浆料、电路部件、电路部件的制造方法
    磁性浆料、电路部件、电路部件的制造方法_株式会社力森诺科_202480028485.7
    一种磁性浆料，其用于填充设置于电路部件用的基材的凹部，该磁性浆料含有磁性粉及热固性成分，磁性粉的体积基准的粒度分布至少具有峰值粒径为0.5～6.0μm的第一峰值及峰值粒径为8.0～50.0μm的第二峰值。
    2025-12-25
  • 线圈零件、线圈零件的制造方法及电子、电气机器
    线圈零件、线圈零件的制造方法及电子、电气机器_台达电子工业(日本)股份有限公司_202480032240.1
    作为即便在小型化的情形下电气特性仍优异的线圈零件的制造方法，本发明在一方面中，提供一种线圈零件100的制造方法，该线圈零件100具备线圈部10，该线圈部10包含：第1导电部201，其具有绕沿着第1方向(Z1‑Z2方向)的轴的周围描绘螺旋的第...
    2025-12-25
  • 卷绕铁芯及其制造方法
    卷绕铁芯及其制造方法_日本制铁株式会社_202480034108.4
    本发明涉及卷绕铁芯及其制造方法，将弯折的钢板层叠而成的卷绕形状的卷绕铁芯(10)为，在从沿着钢板的表面的方向观察所述卷绕形状的侧视中，分别具有多个平面部(4)和多个与平面部(4)邻接的弯曲部(5)，由此形成为在中心具有中空部(15)的矩形形...
    2025-12-25
  • 线圈导体附接系统和方法
    线圈导体附接系统和方法_惠斯普高压电气有限责任公司_202380096165.0
    一种线圈导体附接系统，包括端接条、从该端接条延伸的线圈端部接收筒、将筒附接到端接条的连接器、具有至少部分地布置在筒内的导体端部的导体、以及线圈端部接收筒的压接部分，该压接部分与布置在其中的导体端部形成机械与电气连接。在另一方面，线圈绕组端接...
    2025-12-25
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202480033721.4
    提供可靠性进一步提高了的层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器(1)中，外部电极(25)包含作为玻璃的钡‑硼‑硅系玻璃或者锶‑硼‑硅系玻璃或者钡‑锶‑硼‑硅系玻璃的至少一者、以及铜，在外部电极(25)的表面(58)，露出玻璃以及铜，在外部电极(2...
    2025-12-25
  • 电容器、电路、电路基板、设备、电容器用构件和电容器的制造方法
    电容器、电路、电路基板、设备、电容器用构件和电容器的制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480029089.6
    一种电容器，其具备包含多个孔的多孔体和导电体。多孔体包含具有导电性的基材、配置在基材上的第一电介质层、以及配置在基材上的第二电介质层。导电体配置在第一电介质层以及第二电介质层上。在多孔体中第一电介质层配置在包含多孔体与多孔体的外部之间的边界...
    2025-12-25
  • 接触机构和电磁继电器
    接触机构和电磁继电器_宜尔敏电子设备株式会社_202480033944.0
    本发明的目的是有效抑制在通电状态下作用于可动元件和固定元件之间的电磁斥力。本公开一个方面的一种接触机构(1)包括第一固定元件(10)、第二固定元件(20)以及可动元件(30)。第一固定元件(10)包括励磁部分(12)，而励磁部分(12)包括...
    2025-12-25
  • 具有用于测量其高压接头上的电压的电极的外壳接地高压断路器和利用该电极进行电压测量的方法
    具有用于测量其高压接头上的电压的电极的外壳接地高压断路器和利用该电极进行电压测量的方法_西门子能源国际公司_202480034144.0
    本发明涉及一种外壳接地高压断路器(1)，该外壳接地高压断路器具有壳体(2)和在该壳体(2)上的用于电导体(4)的至少一个套管(3)以及至少一个电极(5)，该至少一个电极用于相对于壳体(2)对电导体(4)进行屏蔽。该至少一个电极(5)处于浮动...
    2025-12-25
  • 切断装置、切断系统、车辆以及探测单元
    切断装置、切断系统、车辆以及探测单元_松下知识产权经营株式会社_202480034112.0
    切断装置(4)具备探测单元(1)和切断单元(2)。切断单元(2)与探测单元(1)电连接。探测单元(1)具有芯(10)、线圈(11)以及全波整流电路(12)。芯(10)由磁性体形成。线圈(11)卷绕于芯(10)。全波整流电路(12)与线圈(1...
    2025-12-25
  • 密封的电气装置
    密封的电气装置_森萨塔科技公司_202480031117.8
    一种气密密封的电气装置，该电气装置包括壳体和顶部组件。顶部组件包括触点端子、馈通件和/或延伸穿过盖板的管。玻璃‑金属密封部和/或钎焊接头用于将触点端子、馈通件和/或管密封到盖板，使得不再需要陶瓷顶部。盖板可以电阻焊接到下壳体或罐。
    2025-12-25
  • 建立离子能量分布函数(IEDF)
    建立离子能量分布函数(IEDF)_应用材料公司_202480027515.2
    本公开是使用成形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一个实施例中，一种方法包括：向处理腔室的电极施加负跳变电压来为晶片设定晶片电压，调制所述晶片电压的振幅以产生具有不同振幅的脉冲串组序列，以及重复调制所述晶片电压的所述振幅...
    2025-12-25
  • 基板处理设备
    基板处理设备_周星工程股份有限公司_202480034577.6
    根据本发明一示例性实施例的电容耦合等离子体基板处理设备包含：腔室，包含供基板安装的基板支撑件；上电极，设置于腔室内的上部以喷射气体并产生电容耦合等离子体；多个射频杆，用以在多个位置将射频功率供应至上电极；射频功率分配单元，用以将射频功率分配...
    2025-12-25
  • 用于制备生物材料以将其转移到质谱仪中的接口和方法
    用于制备生物材料以将其转移到质谱仪中的接口和方法_里尔大学_202480021357.X
    本发明涉及一种用于制备材料，特别是生物材料，以将其转移到质谱仪中的接口(1)，其中所述材料为气溶胶形式，所述接口包含用于产生电离的雾气的电离装置(2)，和具有材料入口和雾气入口的电离室(3)，从而在混合区使所述材料与所述电离的雾气接触，其中...
    2025-12-25
  • 使用沟槽图案的低温单晶2D材料生长
    使用沟槽图案的低温单晶2D材料生长_麻省理工学院_202480012525.9
    描述了在基材上生长二维(2D)材料的方法，所述方法包括：(a)在基材上形成掩模层；(b)在所述掩模层中形成沟槽，所述沟槽具有在掩模层中形成的侧壁，所述侧壁包围所述基材的暴露部分；和(c)在所述基材的暴露部分上沉积2D材料的核，并使所述核生长...
    2025-12-25
  • 在沟槽特征中的抑制式原子层沉积
    在沟槽特征中的抑制式原子层沉积_朗姆研究公司_202480034285.2
    所公开的示例涉及使用ALD沉积处理的抑制剂来以介电间隙填充材料填充沟槽特征。一个示例提供了一种处理包括深沟槽特征的衬底的方法。深沟槽特征包括具有内凹特征的多晶硅表面。方法包括执行抑制循环，抑制循环包括在衬底上沉积抑制剂，沉积条件为在沟槽特征...
    2025-12-25
  • 光加热方法、n型SiC半导体用的光加热装置
    光加热方法、n型SiC半导体用的光加热装置_优志旺电机株式会社_202480028487.6
    提供一种能够高效地加热包含n型SiC半导体的被处理体的光加热方法。具有对包含n型SiC半导体的被处理体经由窗部件照射从具备红外光灯的光源部射出的色温为2, 200K~2, 600K的范围内的加热光而对所述被处理体进行加热的工序(a)。
    2025-12-25
  • 等离子体处理装置和等离子体处理方法
    等离子体处理装置和等离子体处理方法_东京毅力科创株式会社_202480033622.6
    等离子体处理装置包括：腔室；基片支承部，其配置在腔室内，用于支承包含含硅膜的基片；气体供给部，其能够向腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；和等离子体生成部，其能够从处理气体生成等离子体，腔室或配置在腔室内的内部部件中的至少一者含有磷。
    2025-12-25
  • 蚀刻方法、DRAM电容器的制造方法和等离子体处理装置
    蚀刻方法、DRAM电容器的制造方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480034526.3
    本发明提供提高硅氮化物膜相对于掩模的蚀刻选择比的技术。蚀刻方法包括：(a)将包含层叠膜、层叠膜上的含有硅和氮的单层膜、以及单层膜上的掩模的基片，提供到腔室内的基片支承部上的步骤，其中，层叠膜包含两种以上不同的含硅膜，掩模具有规定至少一个开口...
    2025-12-25
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