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最新专利技术
  • 一种基于转角异质结的偏振依赖双极性红外探测器、制备方法、光电流响应极性调控方法
    一种基于转角异质结的偏振依赖双极性红外探测器、制备方法、光电流响应极性调控方法_东南大学_202511503026.2
    本发明公开了一种基于转角异质结的偏振依赖双极性红外探测器、制备方法、光电流响应极性调控方法，包括：衬底和从下至上依次堆叠在所述衬底上的转角范德华异质结和可转移的金属电极；所述转角范德华异质结由p型半导体、n型半导体以及p型半导体依次堆叠形成...
    2026-01-27
  • 图像传感器及其制作方法
    图像传感器及其制作方法_豪威科技(上海)有限公司_202511480533.9
    本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括像素区和逻辑区，在像素区内形成用于容纳垂直传输栅的沟槽；形成覆盖衬底上表面和沟槽的侧壁和底面的第一多晶硅层。本发明形成第一多晶硅层后，对位于沟槽的侧壁和底面的第一多晶硅层进行...
    2026-01-27
  • 背照式图像传感器及其制备方法
    背照式图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511914781.X
    本公开涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，涉及集成电路技术领域，其中，多个光电二极管结构，沿平行于背面的第一方向间隔分布，且沿靠近衬底的第二方向贯穿P型外延层；底光敏部包括沿第一方向延伸的第一水平部，以及延伸至衬底背面的第一纵向凸出部；中...
    2026-01-27
  • 一种低成本的接触式图像传感器及检测方法
    一种低成本的接触式图像传感器及检测方法_深圳市倍量电子有限公司_202511185435.2
    本发明公开了一种低成本的接触式图像传感器及检测方法，用于钞票鉴伪，并满足钞票鉴伪的分辨率要求，使用直径为2mm所述红外接收二极管代替微小尺寸的透镜和复杂的感光芯片接收图像，所述红外接收二极管交错排列，相邻的所述红外接收二极管之间的排布间距为...
    2026-01-27
  • 一种红外阵列芯片平面结的成结方法
    一种红外阵列芯片平面结的成结方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511415877.1
    一种红外阵列芯片平面结的成结方法，包括以下步骤：在半导体晶片上制备一层掩蔽层；通过光刻、腐蚀或刻蚀方法，在所述掩蔽层上形成网格阵列结构的扩散窗口，所述扩散窗口的中心距与光电二极管阵列像元要求的中心距一致；对制备有所述掩蔽层的半导体晶片进行反...
    2026-01-27
  • 一种彩色探测器结构及制备方法
    一种彩色探测器结构及制备方法_复旦大学_202511476526.1
    本发明公开了一种彩色探测器结构及制备方法，其特点是探测器的每个基本单元包含三个光敏元，其排列结构为并列式，探测器制备包括：光敏元3入射面先制作波段3的滤光膜或光敏元3前设置制有波段3的滤光膜的滤光片；光敏元2入射面制作波段2与波段3之和即波...
    2026-01-27
  • 一种空间错落型多色探测器结构及制备方法
    一种空间错落型多色探测器结构及制备方法_复旦大学_202511476581.0
    本发明公开了一种空间错落型多色探测器结构及制备方法，包括：芯片每个基本单元包含n个探测器光敏元，其中n>3，其特点是光敏元前设置设有滤光膜的滤光片，且n个光敏元采用空间错落的排列结构，所述光敏元n入射面前设置的滤光片上制作波段n的滤光膜；在...
    2026-01-27
  • 一种成像模组的iBGA封装方法及封装结构
    一种成像模组的iBGA封装方法及封装结构_苏州科阳半导体有限公司_202511688537.6
    本发明属于半导体封装技术领域，公开了成像模组的iBGA封装方法，将解析芯片粘贴在基板上，并通过第一引线连接解析芯片的焊盘和基板的金手指；之后粘接金属支架，使解析芯片容置于金属支架和基板间；再将成像芯片粘接在金属支架背离解析芯片的端面；通过第...
    2026-01-27
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510537903.1
    一种图像传感器包括：第一芯片，第一芯片包括像素阵列区域、焊盘区域以及位于像素阵列区域与焊盘区域之间的芯片间连接区域；第二芯片，第二芯片位于第一芯片的下表面上；多个贯穿通路结构，多个贯穿通路结构在芯片间连接区域中穿透第一芯片而延伸到第二芯片中...
    2026-01-27
  • 图像传感器及制造其的方法
    图像传感器及制造其的方法_三星电子株式会社_202510952116.3
    图像传感器及制造其的方法被提供。一种图像传感器包括：深器件隔离图案，其位于衬底中并限定光电二极管区；浅器件隔离图案(STI)，其填充从衬底的表面凹陷的第一浅沟槽，并且限定光电二极管区中的每一个中的有源区；第二浅沟槽，其位于有源区的对立侧上的...
    2026-01-27
  • 一种红外焦平面探测器芯片的先电极结构及制备方法
    一种红外焦平面探测器芯片的先电极结构及制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511415675.7
    一种红外焦平面探测器芯片的先电极结构及制备方法，N型衬底采用扩散或离子注入方式成结，且通过湿法腐蚀或干法刻蚀制备形成台面结构；电极层直接制备于衬底材料的台面上，与衬底台面形成欧姆接触；钝化层为双层钝化膜结构，铟柱层通过光刻显影、镀膜机及剥离...
    2026-01-27
  • 一种图像传感器的制造方法及图像传感器
    一种图像传感器的制造方法及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511882631.5
    本申请公开了一种图像传感器的制造方法及图像传感器，图像传感器的制造方法包括：形成深沟槽隔离结构；在半导体衬底的第一表面形成介质层，并且形成从介质层表面向其内部延伸的第一沟槽，第一沟槽和深沟槽隔离结构相对；至少在第一沟槽的侧壁形成基底半导体层...
    2026-01-27
  • 一种光耦器件
    一种光耦器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511478184.7
    本发明公开了一种光耦器件，所述光耦器件包括：基板、沿水平方向设置在基板的发光芯片和感光芯片、依次设置在所述发光芯片和感光芯片上方的透光层和塑封层；所述透光层设置为所述发光芯片和所述感光芯片之间的导光通道，所述发光芯片的出光光线经过所述透光层...
    2026-01-27
  • 一种光电耦合器件
    一种光电耦合器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511478807.0
    本发明公开了一种光电耦合器件，所述光电耦合器件包括：基板、塑封层、设置在基板上的发光芯片、以及对应叠合在发光芯片出光面的感光芯片；所述发光芯片和所述感光芯片完全容纳在所述塑封层内。通过在基板上设置正对固晶布置的发光芯片和感光芯片，配合塑封层...
    2026-01-27
  • 光耦合组件及光耦合器件
    光耦合组件及光耦合器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511484775.5
    本发明公开一种光耦合组件及光耦合器件，该光耦合组件包括感光芯片以及发光芯片，感光芯片具有感光侧，发光芯片位于感光芯片的感光侧，且发光芯片能够朝向感光侧发光，从而光耦合组件的结构较简单，且发光芯片发出的至少部分光线能够直射向感光侧，能有效减少...
    2026-01-27
  • 一种太阳能电池无主栅一体膜的制备方法
    一种太阳能电池无主栅一体膜的制备方法_浙江中聚材料有限公司_202511180810.4
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体的，涉及一种太阳能电池无主栅一体膜的制备方法。包括以下步骤：将太阳能电池胶膜依次进行电晕处理和静置，所述电晕处理的参数：每平米胶膜所施加的电荷量为1500‑4000库仑。使用电晕处理技术，将对着电池片的部分...
    2026-01-27
  • 一种InSb红外阵列芯片的表面钝化方法
    一种InSb红外阵列芯片的表面钝化方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511195512.2
    一种InSb红外阵列芯片的表面钝化方法，涉及红外探测技术领域，通过InSb晶圆生长掩蔽层，得到有掩蔽层的InSb晶圆，有掩蔽层的InSb晶圆进行电化学沉积，得到表面存在阳极氧化层的InSb晶圆，表面存在阳极氧化层的InSb晶圆进行等离子体处...
    2026-01-27
  • 一种异质结电池制备工艺
    一种异质结电池制备工艺_中建材(江阴)光电材料科技有限公司_202511218560.9
    本发明公开了一种异质结电池制备工艺，包括以下步骤：S1 : 在硅片的非晶硅沉积层表面镀覆TCO沉积层；S2：在TCO沉积层表面涂覆成膜液，所述成膜液的组分包括导电微粒和成膜剂；S3：干燥成膜液，得过渡膜；S4：将导电浆料涂覆到S3所得硅片表...
    2026-01-27
  • 太阳能电池片的生产管理设备、生产系统及生产管理方法
    太阳能电池片的生产管理设备、生产系统及生产管理方法_四川东磁新能源科技有限公司_202511228698.7
    本公开涉及太阳能电池片技术领域，公开了一种太阳能电池片的生产管理设备、生产系统及生产管理方法，生产管理设备包括制造执行装置、制造控制装置、多个自动导引运输车和多个料车；制造执行装置用于响应用户操作生成实验工单，以及用于向制造控制装置发送实验...
    2026-01-27
  • N型BC电池片、N型BC太阳能电池片组件及制备方法
    N型BC电池片、N型BC太阳能电池片组件及制备方法_罗博特科智能科技股份有限公司_202511243623.6
    本发明涉及一种N型BC电池片、N型BC太阳能电池片组件及制备方法，其中制备方法包括以下步骤：S1、在硅片表面形成PN结，通过激光技术改善电池片表面的钝化效果，得到电池片；S2、对电池片进行电性能测试，根据电性能测试参数进行分选，得到性能相近...
    2026-01-27
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