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最新专利技术
  • Si/SiGe EPI堆叠的减少的应变及停止层
    Si/SiGe EPI堆叠的减少的应变及停止层_应用材料公司_202480027240.2
    一种半导体装置及其制造方法。提供了一种基板。在基板的顶部上形成至少一个硅层。在至少一个硅层的顶部上形成至少一个硅锗层。至少一个硅锗层包括至少一种n型掺杂剂。形成具有至少一个硅层及至少一个硅锗层的半导体装置。
    2026-01-26
  • 等离子体处理装置和基片支承器
    等离子体处理装置和基片支承器_东京毅力科创株式会社_202580002559.4
    本发明的等离子体处理装置即使供给脉冲化的DC信号也抑制基座电位的变动。等离子体处理装置包括腔室、供给脉冲化的偏置DC信号的偏置电源、在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器、以及电路径。基片支承器具有：由电介质形成的静电吸盘，其包括保持基片的第...
    2026-01-26
  • 用于与热管理集成的热平坦化器坯料
    用于与热管理集成的热平坦化器坯料_迈图高新材料石英公司_202480041959.1
    提供了热平坦化器坯料。热平坦化器坯料包括第一封装层、第二封装层和热扩散器层。第二封装层布置在第一封装层上方。热扩散器层夹在第一封装层与第二封装层之间。第一封装层和第二封装层中的每一个都具有不含热控制结构的基本平面的最外表面。
    2026-01-26
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