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  • 本发明涉及轨道监测技术领域,尤其涉及一种在线调整轨道系统及烟草生产设备。该在线调整轨道系统包括底座、调节组件、锁紧夹和轨道;其中,调节组件的固定端与底座连接,调节组件的驱动端与锁紧夹驱动连接,锁紧夹夹紧轨道;调节组件能够驱动锁紧夹沿第一方向...
  • 本发明公开了一种蛋卷生产设备,包括蛋卷上料机构和馅料压装机构,蛋卷上料机构包括第一输送带,第一输送带用于输送蛋卷;馅料压装机构包括料斗、分料组件和推料组件,料斗用于存放馅料,料斗开设有出料口,分料组件包括挡料块、分料轴和第一驱动件,挡料块固...
  • 本发明属于食品加工领域,特别涉及薄壳山核桃的加工方法,该方法是将收获的薄壳山核桃脱蒲、脱壳;将脱壳所得的薄壳山核桃仁进行气体射流冲击干燥和紫外干燥;所得产品进行红外干燥,包装即得。本申请的上述技术方案通过是利用气体射流冲击干燥以及紫外干燥迅...
  • 本发明涉及发酵蔬菜加工技术领域。目的在于提供益生菌组合菌群泡菜发酵方法,包括以下步骤:S1、盐卤水原液调配;S2、加入调味料;S3、泡菜原料准备;S4、泡菜原料首次加入发酵;S5、益生菌接种;S6、泡菜原料的后续加入;S7、后续发酵。本发明...
  • 本发明公开了香橼菊苣复合固体饮料,涉及固体饮料技术领域,本发明所述固体饮料的组份为:香橼提取物20~30份、菊苣提取物50~70份、赤藓糖醇5~10份、维生素C1~2份、益生菌粉1~2份、柠檬酸1~2份、姜粉1~2份。本发明香橼菊苣复合固体...
  • 本发明涉及黄羽肉鸡的配合饲料技术领域,提供了一种提高黄羽肉鸡免疫功能的无抗饲料及其制备方法,本发明所述无抗饲料由以下重量份数比的原料组成:玉米200‑400份,高粱150‑300份,豆粕200‑350份,豆油10‑60份,玉米蛋白粉20‑8...
  • 单不饱和脂肪酸的用途及低温保护剂。与现有技术相比,本申请通过在保存液中添加单不饱和脂肪酸,显著降低了细胞和组织在4℃低温保存中的损伤问题,单不饱和脂肪酸能够保护多种细胞的细胞膜完整性,减少低温保存引起的裂解。提高了保存液的保护性能,延长了细...
  • 本发明提供了一种大樱桃栽培基质及其制备方法,涉及樱桃种植技术领域。大樱桃栽培基质包括按重量份数计的陶粒8‑15份,珍珠岩15‑20份,稻壳7‑12份,蚯蚓粪15‑20份,椰糠20‑30份和营养颗粒5‑10份;营养颗粒以秸秆纤维@岩棉‑海泡石...
  • 本发明提供了一种光伏电池及其制备方法,涉及光伏技术领域。该方法包括:提供一衬底,衬底具有第一表面,第一表面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域;在第一表面上堆叠功能层,其中,功能层包括第一掺杂含硅层和介质层;去除第...
  • 本发明公开了一种耐低温柔性光伏玻璃及其制备方法,具体包括通过低温PECVD(≤80℃)沉积ITO导电层,在ITO层刻蚀孔隙率20%‑50%的蜂窝阵列,再利用碳点CD改性的耐低温高离子导电率的聚丙烯酰胺水凝胶均匀涂覆于刻蚀后的ITO表面,覆盖...
  • 本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种光伏组件制造方法。该光伏组件制造方法包括以下步骤对BC电池进行切割,并形成多个第一电池片和多个第二电池片。沿第一方向固定多条X丝;对奇数单元X丝或偶数单元X丝进行局部压扁并形成压扁处,对偶数单元X丝或奇数...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:形成位于逻辑区上的若干栅极结构、位于电阻区上的若干电阻结构、以及位于各栅极结构两侧的逻辑区内的源漏区,电阻结构和栅极结构均沿第一方向延伸,且若干电阻结构沿第一方向阵列排布;在衬底表面、若干栅极结构表面和若干电...
  • 本发明提供的一种CMOS器件及其制备方法,通过在N阱区和P阱区的不同位置处分别形成第一沟槽和第二沟槽,并结合多次外延工艺在第一沟槽和第二沟槽内依次形成多个硅锗外延层,其中,在第一沟槽的第二外延层中形成有PMOS晶体管的源极和漏极,在第二沟槽...
  • 本发明提供一种半导体器件的制备方法,包括以下步骤:提供一设有浅沟槽隔离结构的衬底,衬底包括多个被浅沟槽隔离结构隔离的有源区,有源区上设有牺牲氧化层,形成阻挡结构于浅沟槽隔离结构上以阻挡掺杂离子进入浅沟槽隔离结构,阻挡结构包括氮化硅层及位于氮...
  • 本发明涉及一种场效应晶体管及其制备方法,包括绝缘基底,原位生长于绝缘基底上的二维材料Bi2O2Se沟道层,设置于二维材料Bi2O2Se沟道层上的第一电极...
  • 本发明实施例提供一种电容及其形成方法,所述电容的形成方法包括:形成第一电极层、介质层以及第二电极层,所述介质层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间,所述介质层内包括Si‑H键和/或N‑H键;所述电容的形成方法还包括:对介质层进行处理,以打...
  • 本申请提供了一种电容器、电容器的制备方法与半导体器件。该电容器包括衬底、第一介质层、导电插塞、底电极、顶电极与顶电极填充层,顶电极包覆底电极,底电极与顶电极之间设有第二介质层;顶电极包括硅氮化钛层。本申请提供的电容器通过提高顶电极的抗氧化能...
  • 本发明提供一种3D‑RRAM结构及其制备方法,采用后段电容工艺技术,可以作为未来40纳米以下工艺节点Flash嵌入式内存的替代品,其通过在贯穿介质层并裸露出底层金属层表面的凹槽内依次形成下电极层、固体电介质层及上电极层形成3D结构的RRAM...
  • 一种制造半导体结构的方法,包含沉积第一介电层于基板上;沉积第二介电层于第一介电层上;形成电容器于第一介电层与第二介电层中;沉积第一绝缘层于第二介电层与电容器上;形成字元线结构于第一绝缘层上;沉积第二绝缘层于字元线结构上;形成通道洞于第二绝缘...
  • 本发明提供一种SRAM器件的制备方法及栅极,栅极制备方法包括:提供衬底,并于衬底的一面形成多晶硅掺杂层,于多晶硅掺杂层上形成未掺杂的多晶硅层,对未掺杂的多晶硅层及多晶硅掺杂层进行刻蚀,得到间隔设置的第一栅极及第二栅极,其中,未掺杂的多晶硅层...
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