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  • 本申请涉及雷达技术领域,特别涉及一种超宽带八通道的大功率合成器,包括:金属外导体壳体、金属内导体和鳍线金属印制板;金属外导体壳体由空心圆台金属外壳、空心圆柱金属外壳和金属外导体底板组成,空心圆台金属外壳的顶端开孔,用于放置SMA型连接器,作...
  • 本发明公开了一种微波传输系统,属于微波技术领域。本发明一种微波传输系统,包括盖板组件和腔体组件,盖板组件包括传输簧片、第一介质支撑、第二介质支撑、连接条以及盖板;连接条与传输簧片、第一介质支撑、第二介质支撑通过双管胶粘接,共同组成簧片组件;...
  • 本发明公开了一种钠电(锂电)电动自行车电池包的扩容设计,属于电动车电池结构技术领域。该设计包括底壳及上盖构成的环形灌胶槽,内填可拆硅胶实现弹性密封,配合螺栓固定形成防水防松结构。模组组件采用软包电芯阵列,顶部支撑垫与上盖间形成预压间隙以限制...
  • 本发明公开了一种带热管理大容量多用途的电动自行车电池包设计,涉及电池包技术领域,包括底筒和上盖以及内部的模组,模组包括模组支架和电芯,电芯通过电芯极耳与转接板连接,电芯极耳顶部贴有均温膜,底筒内侧与均温膜上方通过散热膜粘接。电池包利用均温膜...
  • 一种二次电池和电子装置。二次电池包括电极组件和极耳。电极组件包括第一极片、第二极片以及隔离膜,隔离膜设于第一极片和第二极片之间。第一极片包括第一集流体和设于至少部分第一集流体上的第一活性材料层。第一集流体包括第一表面和第二表面,第二表面背离...
  • 二次电池包括电极组件,电极组件包括极片和极耳,极片包括集流体和设于集流体的至少一个表面的活性层。极片还包括沿第一方向相对的第一极片边缘和第二极片边缘,极耳与集流体连接并沿第一方向由第一极片边缘伸出电极组件。活性层设有多个第一特斯拉阀通道和多...
  • 本申请公开了一种二次电池及电子装置。二次电池包括负极极片和电解液,负极极片包括负极集流体和设置在负极集流体至少一个表面上的负极材料层,负极材料层包括负极活性材料和固体电解质,负极活性材料包括石墨;固体电解质包括铝元素,基于负极材料层的质量,...
  • 本申请公开了一种二次电池及电子装置。二次电池包括负极极片和电解液,负极极片包括负极集流体和设置在负极集流体至少一个表面上的负极材料层,负极材料层包括分散于负极材料层中的负极活性材料和固体电解质,负极活性材料包括石墨;固体电解质包括氟元素,基...
  • 本申请提供了一种二次电池及用电设备,该二次电池包括层叠设置的第一电极组件、第二隔膜、第二电极组件,第一电极组件沿第二方向的尺寸大于第二电极组件沿第二方向的尺寸。第一电极组件包括沿第一方向层叠设置的第一极片、第一隔膜、第二极片,第一极片与第二...
  • 本发明涉及一种液流蓄电装置,涉及新能源技术领域。本发明的液流蓄电装置,包括:蓄电系统和放电系统,所述蓄电系统和所述放电系统均包括电膜堆,所述电膜堆包括依次设置的流体连通的正极室、质子室和负极室,所述质子室中的液体只传输质子而不参与所述蓄电系...
  • 本发明涉及质子交换膜技术领域,具体涉及提高界面水气扩散效率的质子交换膜及其制备方法;质子交换膜由以下重量份的原料制成:聚四氟乙烯基复合树脂30~35份、溶剂60~70份、分散剂8~12份;本发明质子交换膜以聚四氟乙烯基复合树脂为原料制成,机...
  • 本申请公开了一种控制燃料电池系统效率的方法,包括:获取影响因子的取值序列,取值序列中多种取值按照提升燃料电池系统的效率的程度顺序排列;执行效率提升策略,效率提升策略用于按照取值序列中的顺序将影响因子的取值调整为取值序列中的不同取值;在执行效...
  • 本申请提供一种硅碳复合材料、其制备方法及应用,硅碳复合材料包括碳基体和纳米硅颗粒,纳米硅颗粒位于碳基体孔隙内,硅碳复合材料的拉曼光谱满足:IA≥1.2IB,IA为硅碳复合材料...
  • 本发明公开了一种纳米棒状钛铝酸锂复合材料及其制备方法与应用,该材料具有由二维纳米片层堆叠而成且表面粗糙的纳米棒状微观结构;所述二维纳米片层化学组成为LixTi1‑yAlyO<...
  • 一种复合正极材料、其制备方法、正极极片和固态锂离子电池,属于二次电池技术领域。复合正极材料包括球磨混合的富锂正极材料、卤化物固态电解质和高压钴酸锂。富锂正极材料的D90与高压钴酸锂的D90之比为1:(1~5)。富锂正极材料和高压钴酸锂的质量...
  • 本申请提供一种负极极片、硅碳复合材料的制备方法、二次电池和电子装置,负极极片包括负极集流体和设置于负极集流体至少一个表面上的负极材料层,负极材料层包括硅碳复合材料,硅碳复合材料包括基体和位于基体表面的碳层,基体包括碳材料和硅材料,碳材料具有...
  • 本发明涉及半导体材料技术领域,特别是金刚石微波毫米波功率热沉基片及加工方法,包括金刚石基片,金刚石基片热导率为1500~2000W/(m·K),表面粗糙度≤20nm,厚度选自0.127mm、0.2mm、0.254mm、0.3mm、0.381...
  • 本申请涉及一种半导体结构及其制造方法;该半导体结构的制造方法包括:提供衬底;于衬底的一侧形成至少两个栅极结构;至少两个栅极结构沿平行于衬底的第一方向间隔分布;形成覆盖栅极结构及衬底表面的刻蚀停止层;于刻蚀停止层背离衬底的一侧形成层间介质层;...
  • 本发明涉及电子元器件加工技术领域,尤其是一种电子元器件加工用封装设备,包括壳体和操控器,所述操控器固接在壳体的表面,所述壳体的左侧固接有第三支架,所述第三支架的表面设置有上料机构,所述壳体的内部设置有防偏机构。向第二支架的内部放入半导体框架...
  • 本发明公开了一种半导体器件加工用的清理装置,涉及半导体处理技术领域,包括机身和分离组件,所述机身下部设置有分离组件,所述分离组件包括转槽、齿环、驱动轮、驱动电机、分离筒、暂存筒、连通管、排屑孔、收集盘和排污管,所述机身下部设置有转槽,且转槽...
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