Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种不添加烧结助剂制备高透过率AlON透明陶瓷的方法
    一种不添加烧结助剂制备高透过率AlON透明陶瓷的方法_大连海事大学_202510881624.7
    本发明涉及一种不添加烧结助剂制备高透过率AlON透明陶瓷的方法， 属于透明陶瓷材料制备领域。一种不添加烧结助剂制备高透过率AlON透明陶瓷的方法， 将D50为0.4~1.2 µm、粒度分布范围为0.1~6.0 µm的AlON粉体经过成型后得...
    2026-01-20
  • 一种透色多彩陶瓷及其制备工艺
    一种透色多彩陶瓷及其制备工艺_福建省德化县优扬工艺品有限公司_202511307339.0
    本发明公开一种透色多彩陶瓷及其制备工艺， 属于陶瓷制备工艺技术领域， 包括， 本发明采用低温扩散连接烧结成型透明AlON陶瓷体， 通过TiO2/ZrO2纳米晶间距(180‑220nm)实现480‑630nm可调结构色， 叠加Sm2O3化学色...
    2026-01-20
  • 一种抑制陶瓷相生成的钛硅阴极靶材制备方法
    一种抑制陶瓷相生成的钛硅阴极靶材制备方法_化学与精细化工广东省实验室潮州分中心_202511009345.8
    本发明公开了一种抑制陶瓷相生成的钛硅阴极靶材制备方法， 采用Ti粉与TiSi2粉作为原料， 对其混合粉末进行球磨、干燥过筛、装模并进行放电等离子烧结快速致密化处理， 同时为优化钛硅靶材的可加工性， 在烧结的石墨模具内位于干燥粉末的上、下方均...
    2026-01-20
  • 一种窄带绿光发射透明荧光陶瓷及其制备方法与应用
    一种窄带绿光发射透明荧光陶瓷及其制备方法与应用_江西理工大学_202510988219.5
    本发明公开一种窄带绿光发射透明荧光陶瓷及其制备方法与应用， 涉及发光材料领域；所述透明荧光陶瓷化学结构为Mg0.8‑xZn0.2Al1.8B0.2O4 : xMn2+；本发明的窄带绿光发射荧光陶瓷可通过蓝光激光激发， 具有优良的发光性能， ...
    2026-01-20
  • 残余应力主动调控的氮化硅基复合陶瓷刀具材料及工艺
    残余应力主动调控的氮化硅基复合陶瓷刀具材料及工艺_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202511045618.4
    本发明通过“热膨胀补偿‑残余应力调控”的设计思路， 将负热膨胀材料Sc2W3O12作为增强相引入具有较低热膨胀系数的α‑Si3N4基体中， 采用放电等离子烧结技术和原位合成技术制备了Si3N4/Sc2W3O12复合陶瓷刀具材料；通过控制复相...
    2026-01-20
  • 一种在惰性气体保护环境下进行成型的低密度碳化硅烧结方法
    一种在惰性气体保护环境下进行成型的低密度碳化硅烧结方法_辽宁伊菲科技股份有限公司_202511078120.8
    本发明提供一种在惰性气体保护环境下进行成型的低密度碳化硅烧结方法。涉及碳化硅技术领域， 在惰性气体保护环境下进行成型的低密度碳化硅烧结方法， S1、原料混合：将25‑30kg碳化硅原粉、100ml胶结剂溶液和100ml酒精混合后球磨30mi...
    2026-01-20
  • 一种多层多相仿生陶瓷材料的制备方法
    一种多层多相仿生陶瓷材料的制备方法_中国兵器装备集团西南技术工程研究所_202511095054.5
    本发明提供一种多层多相仿生陶瓷材料的制备方法， 涉及防弹材料领域， 包括：步骤S1、多层多相仿生陶瓷层设计：设计硬质层材料与软质层材料交替铺叠的多层陶瓷层；步骤S2、空腔矩阵结构设计：在多层陶瓷层内部设计点阵结构的空腔；步骤S3、陶瓷面板基...
    2026-01-20
  • 一种碳化硼基复相陶瓷及其制备方法
    一种碳化硼基复相陶瓷及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511069017.7
    本发明公开一种碳化硼基复相陶瓷及其制备方法， 属于复相结构陶瓷的材料计算设计技术领域。制备方法以碳化硼、过渡金属硅化物、氧化物、碳源和分散剂为原料， 制备陶瓷生坯；在氩气气氛下， 对所述陶瓷生坯进行分段压力—温度耦合烧结， 烧结温度为150...
    2026-01-20
  • 一种制备致密高熵碳化物陶瓷的方法
    一种制备致密高熵碳化物陶瓷的方法_郑州大学_202511217153.6
    本发明涉及高熵陶瓷制备技术领域， 公开了一种制备致密高熵碳化物陶瓷的方法， 将Ti3AlC2、TiC、VC、NbC、TaC、Mo2C混料后装料， 然后进行烧结， 烧结完成后得到高熵碳化物陶瓷TiVNbTaMoCx。Ti3AlC2、TiC、V...
    2026-01-20
  • 一种(TiZrNbHfTaV)C-SiC高熵复合陶瓷及其制备方法与应用
    一种(TiZrNbHfTaV)C-SiC高熵复合陶瓷及其制备方法与应用_南京航空航天大学_202510799101.8
    本发明涉及高熵陶瓷制备技术领域， 具体公开了一种(TiZrNbHfTaV)C‑SiC高熵复合陶瓷及其制备方法与应用。采用快速热压烧结技术制备了由(TiZrNbHfTaV)C与SiC双相组成的(TiZrNbHfTaV)C‑SiC高熵复合陶瓷。...
    2026-01-20
  • 一种氟化锂蒸发料及其制备方法与应用
    一种氟化锂蒸发料及其制备方法与应用_宁波江丰电子材料股份有限公司_202511124010.0
    本发明涉及一种氟化锂蒸发料及其制备方法与应用， 所述氟化锂蒸发料的制备方法包括如下步骤：(1)将氟化锂粉末与粘结剂混合后进行压制成型， 得到氟化锂素坯；(2)步骤(1)所得氟化锂素坯经过破碎与过筛后进行无压真空烧结， 得到所述氟化锂蒸发料。...
    2026-01-20
  • 一种耐等离子刻蚀的中高熵稀土氟化物陶瓷材料及其制备方法和应用
    一种耐等离子刻蚀的中高熵稀土氟化物陶瓷材料及其制备方法和应用_厦门稀土材料研究所_202511001254.X
    本发明公开了一种耐等离子刻蚀的中高熵稀土氟化物陶瓷材料及其制备方法和应用， 该陶瓷材料的化学式为RE1‑xYxF3， 其中， RE选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Td、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc中任意2~4种元素...
    2026-01-20
  • 一种石墨/SiC复合坩埚及其制备方法
    一种石墨/SiC复合坩埚及其制备方法_武汉科技大学_202510878372.2
    本发明公开了一种石墨/Si C复合坩埚及其制备方法， 所述石墨/Si C复合坩埚的制备方法是：将石墨电极颗粒、硅粉、硅微粉和聚碳硅烷混匀于酚醛树脂乙醇溶液中得到预复合原料；在保护气氛下对预复合原料进行加热处理， 以制得石墨/Si C复合原料...
    2026-01-20
  • 一种氮掺杂石墨材料及其制备方法与应用
    一种氮掺杂石墨材料及其制备方法与应用_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202511229705.5
    本发明公开了一种氮掺杂石墨材料及其制备方法与应用， 属于锂离子电池负极材料技术领域， 第一步、原料混合与研磨：将石墨粉、尿素、柠檬酸按质量比1：0.5‑5：0.2‑2混合， 干法研磨20min；第二步、压片成型：将研磨后粉末在15MPa压力...
    2026-01-20
  • 一种高强度电极糊、电极及其制备方法
    一种高强度电极糊、电极及其制备方法_埃肯碳素(中国)有限公司_202511061048.8
    本申请提出一种高强度电极糊， 通过改变现有的电极糊的原料配置使团聚的骨料内部也能够被粘结， 从而提高电极糊的抗压强度和导电性能。一种高强度电极糊， 包括骨料、粘结剂、分散剂， 骨料包括无烟煤粉、焦粉、橡胶粉、石墨粉， 所述橡胶粉的质量占骨料...
    2026-01-20
  • 一种半导体用大规格等静压石墨生产工艺
    一种半导体用大规格等静压石墨生产工艺_宏基高新材料(宁夏)有限公司_202510941043.8
    本发明属于石墨加工技术领域， 且公开了一种半导体用大规格等静压石墨生产工艺， 包括以下步骤：S1、将针状焦、沥青等原料按比例称量， 通过破碎机进行破碎和磨粉， 使其达到所需条件， 随后利用双轴混捏机将粉状原料与液态沥青充分混合， 制成可塑性...
    2026-01-20
  • 一种氧化钇陶瓷生胚的脱脂工艺
    一种氧化钇陶瓷生胚的脱脂工艺_苏州众芯联电子材料有限公司_202511168812.1
    本发明公开了一种氧化钇陶瓷生胚的脱脂工艺， 包括以下步骤：S1、在承烧板上铺设白刚玉砂层， 所述白刚玉砂层包括粗白刚玉砂层和细白刚玉砂层， 所述粗白刚玉砂层靠近所述承烧板铺设， 所述细白刚玉砂层铺设于所述粗白刚玉砂层的上方；S2、将需要脱脂...
    2026-01-20
  • 一种核废料包容材料及其制备方法与应用
    一种核废料包容材料及其制备方法与应用_兰州大学_202511299565.9
    本发明公开了一种核废料包容材料及其制备方法与应用， 属于核废料处理技术领域， 本发明以三价或四价核素， 即以Z3+对Lu4Hf3O12进行A位掺杂或以Z4+对Lu4Hf3O12进行B位掺杂， 分别实现三价或四价核素的位点特异性掺杂， A位Z...
    2026-01-20
  • 一种基于氧气气氛下低成本烧制LLZTO氧化物电解质片的方法
    一种基于氧气气氛下低成本烧制LLZTO氧化物电解质片的方法_广东工业大学_202510948656.4
    本发明涉及一种基于氧气气氛下低成本烧制LLZTO(Li6.4la3Zr1.4Ta0.6O12)氧化物电解质片的方法， 属于固态电池技术领域。所述LLZTO粉体材料由LiOH·H2O、La2O3、ZrO2和Ta2O5通过固相合成法制备， 步骤...
    2026-01-20
  • 复合吸波材料及其制备方法
    复合吸波材料及其制备方法_内蒙古大学_202510820096.4
    本公开提供了一种复合吸波材料及其制备方法， 制备方法包括：将硝酸镧、乙酸锰、碳酸钙和硝酸铬溶解于乙二醇甲醚中， 搅拌至完全溶解， 得到混合溶液， 硝酸镧、乙酸锰、碳酸钙和硝酸铬的摩尔比为9 : 9 : 1 : 1；对混合溶液进行干燥， 得到...
    2026-01-20
首页 上一页 4 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证