Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种钾钨青铜纳米片及其制备方法
    一种钾钨青铜纳米片及其制备方法_湖南大学_202511508665.8
    本发明公开了一种钾钨青铜纳米片及其制备方法，将含钨源的混合粉置于瓷舟中，然后将氟晶云母衬底置于含钨源的混合粉的上方，且控制含钨源的混合粉与氟晶云母衬底之间的距离>4mm，然后再置于加热炉中，在保护气氛下进行化学气相沉积反应，于氟晶云母衬底表...
    2026-02-06
  • 基于Al基金属源蒸发法的生长AlN晶体的方法
    基于Al基金属源蒸发法的生长AlN晶体的方法_天津理工大学_202511193760.3
    本发明公开了一种基于Al基金属源蒸发法的生长AlN晶体的方法，将一个或多个盛有含铝金属源和籽晶的独立坩埚置于生长炉的炉腔中并密封炉腔；抽真空后向炉腔内注入高纯氩气，逐渐升温使含铝金属源熔化；继续升温至生长温度，抽真空后向炉腔内充入氮源气体并...
    2026-02-06
  • 一种在深硅槽中生长锗外延层的方法
    一种在深硅槽中生长锗外延层的方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511104294.7
    本发明提供了一种在深硅槽中生长锗外延层的方法，涉及半导体制造技术领域。本发明先对Si/SiO2基底进行光刻和刻蚀，以形成具有预设深度的深硅槽，之后将具有深硅槽的Si/SiO2基底浸泡在TMAH溶液中，以进行第一次清洗。然后将具有深硅槽的Si...
    2026-02-06
  • (010)取向β-Ga2O3单晶薄膜的制备方法
    (010)取向β-Ga2O3单晶薄膜的制备方法_甬江实验室_202510953562.6
    本发明涉及一种(010)取向β‑Ga2O3单晶薄膜的制备方法，所述方法采用M面蓝宝石衬底，对所述M面蓝宝石衬底进行氩离子刻蚀处理后，采用物理气相沉积工艺在氩离子刻蚀后的M面蓝宝石衬底表面生长(010)取向β‑Ga2O3单晶薄膜。通过氩离子刻...
    2026-02-06
  • 一种片状氮化铝籽晶的生长方法及片状氮化铝籽晶
    一种片状氮化铝籽晶的生长方法及片状氮化铝籽晶_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511213142.0
    本发明提供了一种片状氮化铝籽晶的生长方法及片状氮化铝籽晶，该片状氮化铝籽晶的生长方法包括：将氮化铝原料放入钨坩埚底部；将透气生长调节件、钨环、钨片依次放置在钨坩埚上方；其中，透气生长调节件与钨片之间形成生长间隙，钨片与氮化铝原料之间通过透气...
    2026-02-06
  • 一种提高碳化硅晶体质量的长晶炉及长晶方法
    一种提高碳化硅晶体质量的长晶炉及长晶方法_江苏超芯星半导体有限公司_202511111309.2
    本发明提供了一种提高碳化硅晶体质量的长晶炉及长晶方法。所述提高碳化硅晶体质量的长晶炉包括长晶炉体、保温组件、加热组件、坩埚组件与支撑环。长晶方法一方面在坩埚埚体底部中心处开设通孔，能够通过长晶炉体底部的中心进气口直接通入用于生长后期补硅的含...
    2026-02-06
  • 引晶阶段的监控方法、系统、存储介质及单晶产品制造方法
    引晶阶段的监控方法、系统、存储介质及单晶产品制造方法_内蒙古中环晶体材料有限公司_202511053745.9
    本发明涉及单晶制备技术领域，尤其是涉及一种引晶阶段的监控方法、系统、存储介质、单晶产品制造方法及单晶产品，应用引晶阶段的监控方法，利用工业相机采集图像后，结合计算机机器视觉系统或图像识别技术判断引晶过程中的图像变化，通过图像判断模型以每一个...
    2026-02-06
  • 单晶硅制备方法和硅片
    单晶硅制备方法和硅片_晶科能源股份有限公司_202511106577.5
    本申请实施例涉及半导体材料制备技术领域，提供一种单晶硅制备方法和硅片，包括：在晶体位于等径阶段的第一时段时，根据晶体的结晶潜能降低加热器的功率，得到第一功率；在晶体位于等径阶段的第二时段时，控制加热器按照第一功率运行；在晶体位于等径阶段的第...
    2026-02-06
  • 单晶硅生长装置
    单晶硅生长装置_新美光(苏州)半导体科技有限公司_202511469282.4
    本发明涉及一种单晶硅生长装置，包括：坩埚；侧部加热器，其包括多个加热片；多个加热片沿坩埚的周向依次分布，以形成包围腔，坩埚插设于包围腔中；通过调节加热片的位置，以调节包围腔的横向尺寸。本发明的单晶硅生长装置，对侧部加热器的结构进行优化，能够...
    2026-02-06
  • 一种减小单晶光纤生长温度梯度的装置及方法
    一种减小单晶光纤生长温度梯度的装置及方法_之江实验室_202511160945.4
    本发明公开一种减小单晶光纤生长温度梯度的装置，包括加热、送料组件、提拉及减小温度梯度组件；加热组件发射激光并将光束聚焦于原料棒顶部，形成局部加热区；送料组件和提拉组件均包括位移台和电机，减小温度梯度组件包括上、下保温结构，上、下保温结构分别...
    2026-02-06
  • 一种垂直梯度冷凝法生长碳镁共掺蓝宝石晶体的方法
    一种垂直梯度冷凝法生长碳镁共掺蓝宝石晶体的方法_中国人民解放军军事科学院防化研究院_202511148276.9
    本发明提出一种垂直梯度冷凝法生长碳镁共掺蓝宝石晶体的方法，以α‑Al2O3、石墨和氧化镁或铝镁尖晶石为原材料，采用垂直梯度冷凝法生长出大尺寸(Φ50mm)α‑Al2O3 : C, Mg晶体，与采用现有技术制备的α‑Al2O3 : C, Mg...
    2026-02-06
  • 一种高质量CeAuSb2单晶的自助熔剂生长方法
    一种高质量CeAuSb2单晶的自助熔剂生长方法_中国工程物理研究院材料研究所_202511090875.X
    本发明公开了一种高质量CeAuSb2单晶的自助熔剂生长方法，通过对原料化学配比及生长工艺流程的优化，有效攻克了现有技术在制备CeAuSb2单晶过程中面临的易被氧化、单晶质量差、缺陷多、单晶尺寸受限等难题，实现了高质量、大尺寸单晶样品的稳定生...
    2026-02-06
  • 一种晶圆电化学抛光减薄装置
    一种晶圆电化学抛光减薄装置_熠铎科技(苏州)有限公司_202511117987.X
    本发明涉及抛光减薄装置技术领域，具体地说，涉及一种晶圆电化学抛光减薄装置，包括内设处理腔的处理箱，处理箱的上端面安装有升降块，升降块的两端安装有滑动的弯折杆，两个弯折杆的一端伸入处理腔内设置，位于处理腔内的两个弯折杆间安装有底板，底板的上端...
    2026-02-06
  • 阳极箔腐蚀工艺、阳极箔及其应用
    阳极箔腐蚀工艺、阳极箔及其应用_肇庆市高要区华锋电子铝箔有限公司_202511461917.6
    本发明提供了一种阳极箔腐蚀工艺、阳极箔及其应用，具体涉及铝电解电容器用阳极铝箔腐蚀技术领域。阳极箔为铝电解电容器用阳极箔；腐蚀工艺是将铝箔按照先后顺序进行前处理、一级腐蚀、二级腐蚀和后处理得到阳极箔；其中，一级腐蚀的过程为：将前处理后的铝箔...
    2026-02-06
  • 一种带孔电池铝箔的电化学蚀刻制备方法
    一种带孔电池铝箔的电化学蚀刻制备方法_博材盛通(山西)新材料有限公司_202511317568.0
    本发明提供了一种带孔电池铝箔的电化学蚀刻制备方法，通过多级梯度退火处理、脉冲电压电化学蚀刻、分段超声清洗及表面改性处理等步骤，显著提升了铝箔的孔隙率、均匀性和表面性能；该方法采用复合电解液体系协同优化蚀刻效果，且通过控制脉冲电压的波形、正反...
    2026-02-06
  • 一种含氟化氢铵电解液及其处理铍铜表面的电解工艺
    一种含氟化氢铵电解液及其处理铍铜表面的电解工艺_昆山一鼎工业科技有限公司_202511295080.2
    本发明公开了一种含氟化氢铵电解液，以纯水为溶剂，每升电解液中含氟化氢铵6.1～10.3g、氟化铵2.2～4.2g、氟化钠2.9～4.9g、2, 5, 8, 11‑四甲基‑6‑十二碳炔‑5, 8‑二醇0.22～0.42g；用于处理铍铜表面，包...
    2026-02-06
  • 一种铜锌电积过程中电解液浓度实时补偿方法
    一种铜锌电积过程中电解液浓度实时补偿方法_江西思远再生资源有限公司_202511393094.8
    本发明涉及电解沉积技术领域，公开了一种铜锌电积过程中电解液浓度实时补偿方法，包括：按固定时间采样窗口在上层固定采样位置集合、中层固定采样位置集合、下层固定采样位置集合以及电极邻近区固定采样位置集合同步采集铜离子浓度数据、锌离子浓度数据、硫酸...
    2026-02-06
  • 一种开放式电镀滚筒、电镀装置及电镀方法
    一种开放式电镀滚筒、电镀装置及电镀方法_西安靖安特环境科技有限公司_202511451926.7
    本发明公开了一种开放式电镀滚筒、电镀装置及电镀方法，属于电镀装置技术领域，电镀滚筒包括筒体和设置在筒体上的进出料口，其中筒体的两端均密封，筒体的横截面为蜗形线，筒体的内腔形成蜗形腔体；进出料口设置在蜗形腔体的外侧壁上，且进出料口布置在蜗形线...
    2026-02-06
  • 一种大长径比细长管环保型电镀阳极的制备方法
    一种大长径比细长管环保型电镀阳极的制备方法_南京理工科技园股份有限公司_202511139895.1
    一种大长径比细长管环保型电镀阳极的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行制备：S1：对铌棒进行加工形成铌丝；S2：对铌丝物理和化学处理；S3：对处理后的铌丝金属镀膜。以此方法生产的电镀阳极具有高抗拉强度、长度方向刚性、外径尺寸均匀、导电性良...
    2026-02-06
  • 一种实现细长管内壁均匀电镀的装置与方法
    一种实现细长管内壁均匀电镀的装置与方法_天津大学_202510560606.9
    本发明公开了一种实现细长管内壁均匀电镀的装置与方法，该装置包括直流电源、细长管、阳极、电解液循环系统和旋转系统，其中细长管通过旋转导电滑环连接电源负极并在电动旋转台驱动下沿轴向匀速旋转50‑300r/min，阳极通过聚四氟乙烯夹具精确居中固...
    2026-02-06
首页 上一页 4 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证