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最新专利技术
  • 一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统
    一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统_闽都创新实验室_202510889153.4
    本申请公开了一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统，属于检测装置技术领域。该系统搭配螺旋副进给式采样管，该采样方式隐蔽、便携，且可以很好地保护采样样品，非常适用于各类外出采样任务，针对于对包裹、行李、行人、环境等进行的毒品采样，或者针对食品...
    2025-12-20
  • 一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯
    一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯_海南核电有限公司_202511039447.4
    本发明涉及质谱设备领域，尤其涉及一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯。所述法拉第杯，包括：矩形的外壳，一侧开口；抑制栅极，设置于外壳内，靠近开口处；收集器，设置于外壳内，与抑制栅极相邻；外壳的开口处设置有狭缝挡板；所述收集器通过绝缘内衬固定，与...
    2025-12-20
  • 一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法
    一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511494145.6
    本发明涉及一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法，属于半导体设备制造技术领域，所述快速自动阻抗匹配系统包括可调频射频电源模块、射频电缆模块、匹配器模块和腔室负载模块，所述可调频射频电源集成VI传感器，用于实时测量输出电压|V|、电流|I|及相位...
    2025-12-20
  • 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法
    石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511483557.X
    本发明涉及一种石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法，应用于半导体加工设备技术领域。其中，保护方法包括：采用溴基等离子体选择性去除石英部件表面既有的金属化合物钝化层；随后，沉积新的金属化合物钝化层，利用新的金属化合物钝化层提供抗...
    2025-12-20
  • 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法
    石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511483554.6
    本发明涉及一种石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法，应用于半导体加工设备技术领域。其中，保护方法包括：采用氯基等离子体选择性去除石英部件表面既有的金属化合物钝化层；随后，沉积新的金属化合物钝化层，利用新的金属化合物钝化层提供抗...
    2025-12-20
  • 一种具备换频功能的等离子体活化-键合设备及方法
    一种具备换频功能的等离子体活化-键合设备及方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511115063.6
    本发明涉及半导体制备与键合工艺领域，提出一种具备换频功能的等离子体活化‑键合设备，主要包括真空腔体、射频电源系统、相对设置的两个导轨、电极与晶圆固定部件，和进气口/出气口。射频电源系统控制两个电极分别接高频、低频电源，并且进行电源换频，对固...
    2025-12-20
  • 用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法
    用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511044171.9
    本发明提供用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法，涉及等离子清洗技术领域，包括以下步骤，在铝板四边设计低溅射产额金属薄膜，控制其宽度与厚度，使其适用于溅射调控与遮蔽，通过绝缘压板压紧使其部分暴露，经惰性气体等离子体轰击后沉积覆盖潜在颗粒，边...
    2025-12-20
  • 等离子体处理设备
    等离子体处理设备_三星电子株式会社_202510150119.5
    提供了一种等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：双腔室系统，包括第一腔室和通过开口与第一腔室流体连接的第二腔室；第一气体喷射器，被配置为向第一腔室供应第一气体；格栅，位于第一腔室和第二腔室之间的开口处；第二腔室挡板；第二气体喷射器，被配...
    2025-12-20
  • 下电极装置及半导体工艺设备
    下电极装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410620571.9
    本申请公开一种下电极装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。下电极装置包括下电极主体、第一隔离件和供气组件，其中，供气组件通过第一隔离件与下电极主体相连，下电极主体设有第一背气通道，第一隔离件设有第二背气通道，供气组件的输气管路通过第二背...
    2025-12-20
  • 一种半导体器件的离子注入优化方法
    一种半导体器件的离子注入优化方法_南通佳腾精密模具有限公司_202511504582.1
    本申请提供了一种半导体器件的离子注入优化方法，涉及离子注入技术领域，该方法包括：基于离子束注入、等离子体注入组件等，接收并配置离子注入控制属性。结合设备型号、晶圆型号等因素，为控制属性设定容错阈值。通过分析晶圆注入日志，得到控制属性的偏差模...
    2025-12-20
  • 一种控制驱动装置、控制驱动方法和离子源系统
    一种控制驱动装置、控制驱动方法和离子源系统_天津吉兆源科技有限公司_202511512251.2
    本发明公开了一种控制驱动装置、控制驱动方法和离子源系统。控制驱动装置包括：高压电源、第一开关模块、控制模块、n个第二开关模块以及n个灯丝电源；灯丝电源的输入端与其对应的第二开关模块的第一端电连接，灯丝电源的输出端与其对应的磁控管的灯丝电连接...
    2025-12-20
  • 一种样品载体夹具、电镜承载模组及样品载体安装工具
    一种样品载体夹具、电镜承载模组及样品载体安装工具_广州国家实验室_202410622599.6
    本申请提出一种样品载体夹具、电镜承载模组及样品载体安装工具，样品载体夹具包括第一限位件和第二限位件，第一限位件限定用于定位样品载体的限位区域，定义样品载体的观察方向为轴向，限位区域在轴向的两端开放，第二限位件与第一限位件卡合，第一限位件能够...
    2025-12-20
  • 改进的扫描偏转器
    改进的扫描偏转器_FEI公司_202510626768.8
    描述了带电粒子束系统，包括第一电子探测器、第二电子探测器以及位于第一电子探测器与第二电子探测器之间的第一扫描偏转器，其中第一扫描偏转器包括了包含截头圆锥形状的偏转器内表面。
    2025-12-20
  • 一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法
    一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法_昂成精密仪器(深圳)有限公司_202511157307.7
    本发明涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法。该栅网装置包括导电组件、屏栅、加速栅、减速栅和栅网安装板，屏栅、加速栅和减速栅依次层叠且相互间隔绝缘设置，并均通过栅网安装板安装于外部离子源外壳的开口端...
    2025-12-20
  • 一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法
    一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法_中国科学院西安光学精密机械研究所_202511051005.1
    本发明涉及高速成像领域，解决了现有分幅成像系统存在电磁辐射干扰、尖端放电，以及空间分辨率受限导致成像质量差的技术问题。公开了一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法。该系统包括微带阴极、微通道板、荧光屏、图像传感器、脉冲磁场发生器以及微带传输...
    2025-12-20
  • 一种微波炉用磁控管
    一种微波炉用磁控管_电子科技大学_202510891241.8
    本发明公开了一种微波炉用磁控管，属于真空电子器件中的微波源技术领域。该磁控管包括：阳极组件、阴极组件、输入组件、输出组件、永磁体；其中，阳极组件的阳极叶片两端采用双端单环隔膜带替换现有的双端双环隔膜带。本发明磁控管在减少阳极材料和简化隔膜带...
    2025-12-20
  • 一种回旋行波放大器输入耦合器设计方法
    一种回旋行波放大器输入耦合器设计方法_电子科技大学_202511266505.7
    本发明公开了一种回旋行波放大器输入耦合器，属于微波器件技术领域。本发明是矩形波导TE10模式转换到圆波导TE11模式的耦合器，其结构主要包括有输入矩形波导、电子束流通端、输出圆波导，矩形波导与圆波导相连，电子束流通端与输出圆波导完全连通。电...
    2025-12-20
  • 玻璃电子管芯柱与玻壳封接装置及其封接方法
    玻璃电子管芯柱与玻壳封接装置及其封接方法_锦州华光电子管有限公司_202511311677.1
    一种玻璃电子管芯柱与玻壳封接装置及其封接方法，该装置包括设在机架上的空心立柱和轴套，在空心立柱内设有传动轴，在空心立柱上端设有空心支座，在空心支座内安装有上立轴，在空心支座上端设有气缸，其输出端与上立轴上端同轴连接；传动轴上端与上立轴传动连...
    2025-12-20
  • 用于超快诊断的小型脉冲展宽漂移管的制备方法及其脉冲展宽漂移管
    用于超快诊断的小型脉冲展宽漂移管的制备方法及其脉冲展宽漂移管_北方夜视技术股份有限公司_202511170320.6
    本申请公开了一种用于超快诊断的小型脉冲展宽漂移管的制备方法及其脉冲展宽漂移管，该方法包括：1)钎焊前壳体、后壳体，前壳体进行填铟、化铟及车铟操作；2)点焊得到第一栅网组件、第二栅网组件、第三栅网组件；3)制备基底、导电膜层、封接膜层组装得到...
    2025-12-20
  • 冷场发射器总成
    冷场发射器总成_FEI公司_202510483821.3
    本公开涉及冷场发射器总成。公开了用于与超高真空和间歇性高温闪蒸兼容的机械稳定的长寿命冷场发射器总成的装置和方法。金属适配器焊接在六硼化物电极与金属细丝之间。一些实施方案使用钨细丝、钽适配器和具有纳米棒发射器尖端的LaB6微细棒电极。公开了其...
    2025-12-20
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