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最新专利技术
  • 一种高压开关柜分合闸装置及方法
    一种高压开关柜分合闸装置及方法_青海金川矿业有限责任公司_202511286782.4
    本公开涉及供配电技术领域，特别涉及一种高压开关柜分合闸装置及方法。采用中间继电器KA1和KA2互锁关系，实现了电气设备的断电自切换功能，大大降低了因失电导致的不可预知事故发生的风险；采用多功能单相电压控制继电器KA3和KA4，实时检测第一主...
    2025-11-27
  • 一种防盗电能计量箱
    一种防盗电能计量箱_江苏天菱电力设备有限公司_202511217252.4
    本发明公开了一种防盗电能计量箱，包括箱体，箱体上通过防盗合页铰接安装箱门，防盗合页包括固定片，固定片上转动安装有转轴，转轴上下两侧固定在活动片上，固定片内设置固定电容式角位移传感器，转轴贯穿电容式角位移传感器的检测端；还包括防盗机构，防盗机...
    2025-11-27
  • 一种母线并线装置
    一种母线并线装置_四川宝光电器设备有限公司_202511520185.3
    本发明提供一种母线并线装置，涉及电气柜技术领域。该母线并线装置，包括母线柜、大额定电流母线接头、小额定电流母线接头以及连接器。本发明，通过集成化变径连接结构，有效解决了不同额定电流充气柜间的绝缘子尺寸匹配难题‌。连接器两端分别设置不同内径的...
    2025-11-27
  • 一种具有收线功能的配电柜
    一种具有收线功能的配电柜_广州羊城电气设备有限公司_202511508797.0
    本发明公开了一种具有收线功能的配电柜，属于配电柜技术领域，包括配电柜本体，配电柜本体上安装有收线箱，收线箱内安装有绕线盘，绕线盘上同轴连接有驱动轮，收线箱内设有可沿长度方向往复运动的驱动条，驱动条的侧壁与驱动轮外周啮合以驱动驱动轮转动，驱动...
    2025-11-27
  • 一种轨道交通电压限制柜
    一种轨道交通电压限制柜_常州博瑞电力自动化设备有限公司_202511203482.5
    本发明公开了轨道交通技术领域的一种轨道交通电压限制柜，旨在解决现有技术通常仅通过晶闸管与接触器简单并联组成，其耐受能力有限，且关合能力较差，同时限制柜的内部设计混乱的问题。其包括柜体，柜体内开设有二次室、高压室和母线室，高压室位于二次室与母...
    2025-11-27
  • 一种源网荷储一体化智能切换装置
    一种源网荷储一体化智能切换装置_国网河南省电力公司开封供电公司_202511199103.X
    本发明公开了一种源网荷储一体化智能切换装置，涉及源网荷储领域，包括切换柜，所述切换柜前部铰接有柜门，所述切换柜内部安装有自动切换开关和断路器，所述切换柜内侧对称连接有固定板，所述固定板的顶部和底部分别连接有延伸板一与延伸板二，所述固定板、延...
    2025-11-27
  • 一种电表箱接线装置及电表箱
    一种电表箱接线装置及电表箱_焱腾电气科技有限公司_202511077459.6
    本发明提供了一种电表箱接线装置及电表箱，包括箱体模块和接线端子模块，箱体模块中布设有若干接线端子模块，接线端子模块包括端子壳组件、旋钮组件和端子头组件，旋钮组件转动装配于端子壳组件上，用于切换接线端子模块的闭锁状态，端子头组件活动装配于端子...
    2025-11-27
  • 一种井下可拼装的组合式配电开关
    一种井下可拼装的组合式配电开关_山西潞安安易电气有限公司_202511509329.5
    本发明公开了一种井下可拼装的组合式配电开关，属于井下配电开关技术领域；包括底座、延伸座、移动连接架、固定连接架、撑杆和伸缩结构；延伸座沿高度方向滑动连接在底座内侧，当延伸座从底座顶部伸出时，对底座内的空间实现扩容；在底座后侧内壁从上至下等距...
    2025-11-27
  • 一种中低压配电网保护用防雷装置
    一种中低压配电网保护用防雷装置_国网吉林省电力有限公司白山供电公司_202510892344.6
    本发明涉及一种中低压配电网保护用防雷装置，它包括底座和引流组件，底座上方两侧分别设置有L型板和T型板，L型板和T型板之间通过工型板连接，L型板顶部设置有绝缘子，绝缘子顶端可拆卸的安装有夹固安装组件；引流组件包括静引流组件和动引流组件，静引流...
    2025-11-27
  • 一种基于增益芯片相互注入实现波长相位锁定的外腔可调谐激光线宽压缩系统
    一种基于增益芯片相互注入实现波长相位锁定的外腔可调谐激光线宽压缩系统_华中科技大学_202510917787.6
    本发明公开了一种基于增益芯片相互注入实现波长相位锁定的外腔可调谐激光线宽压缩系统，包括红光半导体激光主增益芯片、第一准直光学系统、闪耀光栅、调谐转镜、反射镜、电源驱动系统以及双路反馈放大系统；所述双路反馈放大系统包括第一次级增益芯片、第二次...
    2025-11-27
  • 超构激光结构及其制备方法、激光谐振腔、激光器
    超构激光结构及其制备方法、激光谐振腔、激光器_鹏城实验室_202511105093.9
    本申请公开了一种超构激光结构及其制备方法、激光谐振腔、激光器，涉及光学技术领域，公开了超构激光结构，包括超构激光结构包括：基底和设置于所述基底一侧表面的多个超构单元，所述超构单元为圆柱体，并在所述超构激光结构的激光传播方向设置有通孔。本申请...
    2025-11-27
  • 一种单模高功率面发射半导体激光器及其制作方法
    一种单模高功率面发射半导体激光器及其制作方法_江苏长光时空光电技术有限公司_202511008021.2
    本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种单模高功率面发射半导体激光器及其制作方法。该激光器包括自下而上的N电极层、外延结构、绝缘层和P电极，外延结构包括衬底、N型DBR层、过渡层、有源区层、超对称耦合腔层、氧化层和P型DBR层；氧化层的...
    2025-11-27
  • 一种基于电光效应调制的光子晶体面发射激光器及其发射角度和波长调控方法
    一种基于电光效应调制的光子晶体面发射激光器及其发射角度和波长调控方法_南京邮电大学_202511173162.X
    本发明公开了一种基于电光效应调制的光子晶体面发射激光器及其发射角度和波长调控方法，属于激光器件领域，所述光子晶体面发射激光器包括：衬底层、隔离层、有源LiNbO3层；所述隔离层为SiO2隔离层或空气隔离层，所述空气隔离层为SiO2隔离层经过...
    2025-11-27
  • 一种单模可调谐中红外量子级联激光器
    一种单模可调谐中红外量子级联激光器_中国电子科技集团公司第十一研究所_202510918023.9
    本申请公开了一种单模可调谐中红外量子级联激光器，涉及量子级联激光器技术，包括：量子级联激光器QCL管芯(1)；准直镜(2)、半波片(3)，顺序设置在所述QCL管芯(1)的出射光路；衍射闪耀光栅(4)、输出镜(5)，相对设置在微机电系统MEM...
    2025-11-27
  • 一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法
    一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法_中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所_202511525370.1
    本发明公开了一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法，所述方法包括：在衬底上通过外延生长方法从下至上依次获得n型下包层、n型下波导层、发光的有源区以及p型上波导层，然后利用光刻刻蚀得到回音壁模式微腔；在上波导层进行光刻，制备位于微腔上方的加...
    2025-11-27
  • 一种环形腔激光器
    一种环形腔激光器_北京杏林睿光科技有限公司_202511053963.2
    本发明涉及一种环形腔激光器，包括：增益芯片，提供增益介质；热沉，与外界电源连接以向所述增益芯片提供电压；斜面光纤，两侧端面分别设置在所述增益芯片的两端；至少一个端面多层膜，设置在斜面光纤的端面上，对斜面光纤中的激光束进行全反射；输出耦合器，...
    2025-11-27
  • 一种重频可调谐的高阶碰撞锁模激光器和光学频率梳
    一种重频可调谐的高阶碰撞锁模激光器和光学频率梳_湖南汇思光电科技有限公司_202511509116.2
    本发明公开了一种重频可调谐的高阶碰撞锁模激光器和光学频率梳，包括激光谐振腔，其两端分别设高、低反射镀膜端面，内含可饱和吸收体SA区域和增益Gain区域，SA与Gain总长度比为1 : A，谐振腔划分为(1+A)大段，每大段分B小段，共(1+...
    2025-11-27
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_苏州镓锐芯光科技有限公司_202511524731.0
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括第一半导体接触层、第二半导体接触层和第一电极层；其中，第一半导体接触层的第一表面包括多个连接的台阶面，台阶面包括连接的主表面和连接面；一个台阶面的主表面与相邻的台阶面的连接面连接；其中，第...
    2025-11-27
  • 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
    一种垂直腔面发射激光器及其制作方法_扬州乾照光电有限公司_202511365432.7
    本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，涉及半导体激光器技术领域，该垂直腔面发射激光器的谐振腔层包括至少一个发光单元，发光单元包括有源层和位于有源层背离衬底一侧的第二型氧化层，通过在第二型氧化层的朝向衬底的第一表面和/或背离衬底的第...
    2025-11-27
  • 半导体激光器芯片及解理方法
    半导体激光器芯片及解理方法_泉州三安半导体科技有限公司_202511025761.7
    本申请提供了一种半导体激光器芯片及解理方法，该半导体激光器芯片包括衬底和位于衬底之上的外延层，外延层自其顶部形成沿第一方向延伸的脊波导结构，第一方向垂直于芯片的解理方向；第一金属层位于衬底的背面且与第一半导体层电性连接，第一金属层具有沿解理...
    2025-11-27
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