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最新专利技术
  • 一种单面均匀附着无机氧化物的复合钢板制造方法
    一种单面均匀附着无机氧化物的复合钢板制造方法_宝山钢铁股份有限公司_202410722027.5
    一种单面均匀附着无机氧化物的复合钢板制造方法，在钢板生产过程中实现钢与无机物的附着，而常规的钢板表面处理，均是在钢板成型后再进行加工和处理，本发明钢板轧制生产和成品钢板表面处理可以同时完成，不需要分开操作，简化了了步骤，提高了生产效率，降低...
    2026-03-01
  • 一种双面均匀附着无机氧化物复合钢板的制造方法
    一种双面均匀附着无机氧化物复合钢板的制造方法_宝山钢铁股份有限公司_202410722026.0
    一种双面均匀附着无机氧化物复合钢板的制造方法，在钢板生产过程中实现钢与无机物的附着，而常规的钢板表面处理，均是在钢板成型后再进行加工和处理，本发明钢板轧制生产和成品钢板表面处理可以同时完成，不需要分开操作，简化了了步骤，提高了生产效率，降低...
    2026-03-01
  • 一种冷喷涂制备钛合金涂层的方法
    一种冷喷涂制备钛合金涂层的方法_贵州科学院先进技术与材料研究所_202410704598.6
    本发明涉及一种冷喷涂制备钛合金涂层的方法。属于冷喷涂技术领域。首先制备纳米级TC4粉末，平均粒径为20μm。对TC4基体表面依次进行清洗和喷砂粗化，工艺条件：空气压强为0.4MPa，吹砂距离为10cm，移动速度为70cm/min。再采用冷气...
    2026-03-01
  • 铝箔化成添加剂及高压化成箔络合去极化的方法、铝电解电容器
    铝箔化成添加剂及高压化成箔络合去极化的方法、铝电解电容器_桂林理工大学_202511265828.4
    本申请适用于铝箔化成技术领域，提供了一种铝箔化成添加剂及高压化成箔络合去极化的方法、铝电解电容器，所述铝箔化成添加剂是由二乙烯三胺五甲叉膦酸、三乙醇胺油酸皂和甘露糖组成，所述二乙烯三胺五甲叉膦酸、三乙醇胺油酸皂和甘露糖的摩尔比为1 : (3...
    2026-03-01
  • 一种不含磷不含氟的有机无机杂化成膜剂及其在铝制易拉罐钝化成膜中的应用
    一种不含磷不含氟的有机无机杂化成膜剂及其在铝制易拉罐钝化成膜中的应用_上海佑尼化学有限公司_202511233991.2
    本发明属于铝制易拉罐制备技术领域，具体涉及一种不含磷不含氟的有机无机杂化成膜剂及其在铝制易拉罐钝化成膜中的应用。本发明提供的不含磷不含氟的有机无机杂化成膜剂包括：三元羧酸化合物5～10％，有机二元胺0.1～0.5％，含铈化合物1～3％，环糊...
    2026-03-01
  • 用含锆和钼的组合物预处理铝表面
    用含锆和钼的组合物预处理铝表面_凯密特尔有限责任公司_202511281126.5
    本发明涉及一种预处理具有铝或铝合金表面的工件的方法，所述工件用于非机加工成型和/或通过焊接或粘合的连接方法连接至相同预处理的或任选预涂覆的工件或连接至任选预处理的由钢和/或镀锌钢和/或合金镀锌钢制成的零件，且所述工件用于随后通过磷化方法、通...
    2026-03-01
  • 一种耐蚀性双层粗糙导电微球及其制备方法
    一种耐蚀性双层粗糙导电微球及其制备方法_古泰(江苏)新材料有限公司_202511223831.X
    本发明提供一种耐蚀性双层粗糙导电微球及其制备方法，属于镀镍导电微球技术领域。其中，制备方法包括对高分子微球进行粗化处理得到粗化微球；对粗化微球进行活化处理得到活化微球；对活化微球进行预镀镍处理得到预镀镍微球，预镀镍处理为通过化学还原法在活化...
    2026-03-01
  • 一种金属陶瓷封装管壳二次化学沉积镍方法
    一种金属陶瓷封装管壳二次化学沉积镍方法_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511179593.7
    本发明公开了一种金属陶瓷封装管壳二次化学沉积镍方法，涉及表面处理工艺技术领域，包括以下步骤：取氢氧化钠、磷酸钠、十二烷基硫酸钠溶于水中，制得碱性除油溶液；取过氧化氢溶液、磷酸、柠檬酸混合，加水，制得复合酸洗溶液；取金属陶瓷封装管壳浸没于碱性...
    2026-03-01
  • 一种改性铝复合集流体及其制备方法
    一种改性铝复合集流体及其制备方法_艾姆西艾(宿迁)电池技术有限公司_202511302459.1
    本发明公开一种改性铝复合集流体及其制备方法，涉及锂离子电池集流体材料领域。该方法先对合金铝箔依次进行碱性除油、碱蚀、出光及二次活化预处理；再在铝箔表面化学镀Ni‑P合金打底层；随后以化学镀后的铝箔为阴极、高纯度锌板为阳极，在含羧基化改性石墨...
    2026-03-01
  • 一种铝合金直接化学镀镍的新型工艺
    一种铝合金直接化学镀镍的新型工艺_杭州德鼎科技有限公司_202511160841.3
    本发明公开了一种铝合金直接化学镀镍的新型工艺，包括以下步骤：对铝合金工件依次进行除油、除蜡处理后进行水洗；依次进行弱腐蚀处理、除垢以及水洗，活化处理；直接进行化学镀镍；对镀镍完毕的铝合金工件进行镀后处理，本发明涉及铝合金镀镍技术领域，新工艺...
    2026-03-01
  • 一种低应力薄膜的制备方法及薄膜
    一种低应力薄膜的制备方法及薄膜_光驰半导体技术(上海)有限公司_202511174699.8
    本发明公开了一种薄膜的制备方法及由此得到的薄膜。具体制备方法包括执行一个沉积过程，以及得到薄膜的过程。本发明公开的方案，在每次沉积得到子薄膜层后进行Ar等离子处理，可以减少甚至消除薄膜中的缺陷，改善薄膜的品质，同时Ar离子体对膜层还具有轰击...
    2026-03-01
  • 一种激光加热装置
    一种激光加热装置_松山湖材料实验室_202511169025.9
    本申请涉及一种激光加热装置，包括：激光器、基座、样品承载件和储热块；所述激光器与所述基座的一端连接；所述基座的另一端用于与真空镀膜系统连接；所述样品承载件的一端与所述基座连接，另一端用于延伸至所述真空镀膜系统的真空腔体内，所述样品承载件内设...
    2026-03-01
  • 一种加热盘结构及制备方法
    一种加热盘结构及制备方法_无锡金源半导体科技有限公司_202511576893.9
    本发明公开了一种加热盘结构及制备方法，其中加热盘结构包括盘体、金属块和陶瓷套，盘体包括基座和盖板，基座和盖板相互朝向的端面拼接固定形成拼接界面；盘体沿盘体厚度方向贯穿设置有维修孔，维修孔具有围成维修孔的围壁；金属块设置于维修孔内，金属块的外...
    2026-03-01
  • 集成式气路系统以及半导体设备
    集成式气路系统以及半导体设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511596133.4
    一种集成式气路系统以及半导体设备，集成式气路系统包括：混气底座，包括相背设置的第一面和第二面、以及连接第一面和第二面的侧壁，混气底座内部具有由第一面至第二面延伸的第一气路、以及由侧壁至混气底座中延伸的多个相互独立的第二气路，第一气路的出气口...
    2026-03-01
  • 一种工艺腔顶盖及薄膜沉积设备
    一种工艺腔顶盖及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511268757.3
    本发明提供了一种工艺腔顶盖及一种薄膜沉积设备。所述工艺腔顶盖包括：顶盖本体，包括纵向穿透其上表面及下表面的多个进气口，其中，所述顶盖本体的下表面设有向上凹陷的混气腔，所述多个进气口连接多种不同的气源；转盘，封闭所述混气腔的下表面，并设有至少...
    2026-03-01
  • 一种匀气环结构及半导体设备
    一种匀气环结构及半导体设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511220072.1
    本发明公开了一种匀气环结构及半导体设备，匀气环结构包括环体、气体流道、出气孔以及整流构件，气体流道设置在环体内，出气孔具有多个且沿环体的周向分布，出气孔与气体流道流体连通，整流构件设置在气体流道内并位于各出气孔的下游，各整流构件被配置为对流...
    2026-03-01
  • 一种用于高深宽比结构的铂薄膜沉积方法以及铂薄膜
    一种用于高深宽比结构的铂薄膜沉积方法以及铂薄膜_中国科学院微电子研究所_202511179958.6
    本发明公开一种用于高深宽比结构的铂薄膜沉积方法以及铂薄膜，涉及半导体薄膜沉积技术领域，用于解决现有技术中高深宽比结构中的铂薄膜均匀沉积的问题。包括：将预处理后的衬底置于反应真空腔室中，对反应真空腔室进行抽真空操作，调整反应真空腔室温度至特定...
    2026-03-01
  • 一种优化ALD沉积氧化铝膜层性质的方法
    一种优化ALD沉积氧化铝膜层性质的方法_艾华(无锡)半导体科技有限公司_202510959714.3
    本发明是一种优化ALD沉积氧化铝膜层性质的方法，包括通过调功器控制炉口温度高于炉尾温度，具体是控制炉口温度为190℃，炉尾温度为160℃。经检测，工艺完成后炉口和炉尾硅片氧化铝薄膜的膜层厚度差异很小，且工艺后炉口和炉尾物料电池性能差异较小，...
    2026-03-01
  • 用于前体气体喷射的方法和装置
    用于前体气体喷射的方法和装置_MEO工程股份有限公司_202510889864.1
    本公开提供了一种气体喷射系统，该气体喷射系统可以包括：壳体，其被配置为容纳多个前体储罐，该多个前体储罐包括一种或多种前体材料；以及喷嘴，其从壳体伸出，该喷嘴具有一尖端，其被配置为用于插入到材料处理设备的样本室中。前体储罐与喷嘴流体地连接，以...
    2026-03-01
  • 一种利用两种硅前驱体化合物形成薄膜的方法
    一种利用两种硅前驱体化合物形成薄膜的方法_韩松化学株式会社_202510731771.6
    本文涉及利用两种硅前驱体化合物的硅薄膜制造方法，具体的涉及通过原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)，在低温下也能形成具有优异薄膜特性，可以调整根据前驱体的形态的硅薄膜的制造方法。
    2026-03-01
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