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最新专利技术
  • 钽-碳化钽复合涂层的石墨器件及其流量波动制备法
    钽-碳化钽复合涂层的石墨器件及其流量波动制备法_铠欣半导体(苏州)有限公司_202511840891.6
    本发明属于化学气相沉积(CVD)技术领域，具体涉及一种钽‑碳化钽复合涂层的石墨器件及其流量波动制备法。该方法首先在石墨基体表面通过周期性流量波动CVD技术沉积钽金属缓冲层，然后在缓冲层上同样采用流量波动技术控制并沉积碳化钽涂层。本发明通过钽...
    2026-05-01
  • 一种多类型表面粗糙度的碳化硅涂层石墨盘及其制备方法
    一种多类型表面粗糙度的碳化硅涂层石墨盘及其制备方法_铠欣半导体(苏州)有限公司_202511840872.3
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多类型表面粗糙度的碳化硅涂层石墨盘及其制备方法。所述制备方法的核心在于：基于预定的表面粗糙度变化规律进行反向设计，即首先确定石墨盘各区域的目标粗糙度，然后根据该规律：初始粗糙度低于一预设阈值的区域沉积后...
    2026-05-01
  • 一种复合涂层结构及其制备方法与切削工具
    一种复合涂层结构及其制备方法与切削工具_厦门金鹭特种合金有限公司_202511746731.5
    本发明涉及一种复合涂层结构及其制备方法与切削工具，所述复合涂层结构包括层叠设置的(AlzTiw)CxNyOn层与a‑Al2O3层，其中0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤n≤1，z+w=1且0≤w≤z≤1；所述(AlzTiw)CxNyOn层的晶...
    2026-05-01
  • 一种四氯化碳为氯源制备金属铼涂层的方法及其设备
    一种四氯化碳为氯源制备金属铼涂层的方法及其设备_北京北方华创真空技术有限公司_202511713227.5
    本申请涉及一种四氯化碳为氯源制备金属铼涂层的方法，包括以下步骤：S1：在5‑50kPa，700‑900℃的条件下，向原料铼粉中通入四氯化碳和氩气的混合气体，反应，得到五氯化铼；S2：将步骤S1得到的五氯化铼在5‑50kPa，1000‑130...
    2026-05-01
  • 一种双面双展平辊悬浮式真空镀膜卷绕机
    一种双面双展平辊悬浮式真空镀膜卷绕机_广东振华科技股份有限公司_202512035285.3
    本发明涉及真空镀膜领域，特别是涉及一种双面双展平辊悬浮式真空镀膜卷绕机，包括放卷单元、镀膜单元及收卷单元；镀膜单元设置有间隔布置的前置展平辊与后置展平辊，两展平辊之间形成悬浮镀膜区，悬浮镀膜区对应配置蒸发源；镀膜单元还设置有冷却组件及气氛隔...
    2026-05-01
  • 物理气相沉积模块及包括其的系统
    物理气相沉积模块及包括其的系统_ASMIP私人控股有限公司_202511128566.7
    公开了物理气相沉积(PVD)系统和模块。示例性系统可以包括一个或多个PVD模块、脱气模块、预清洁模块和/或一个或多个辅助模块。辅助模块可以用作冷却模块、计量模块等。
    2026-05-01
  • 搬送机构、真空处理设备及真空处理方法
    搬送机构、真空处理设备及真空处理方法_光驰科技(上海)有限公司_202411141566.6
    本发明属于物料输送技术领域，尤其涉及一种搬送机构、真空处理设备及真空处理方法。搬送机构移动设置于第一空间、第二空间和第三空间之间，包括一级移动组件、二级移动组件和三级移动组件，一级移动组件设于第二空间内并能相对第二空间沿第一方向移动；二级移...
    2026-05-01
  • 一种真空镀膜设备
    一种真空镀膜设备_光驰科技(上海)有限公司_202411141565.1
    本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种真空镀膜设备。真空镀膜设备包括镀膜机构和搬运机构，镀膜机构包括第一壳体、第一移动组件、放置件、密封组件和多个工件夹具，多个工件夹具均与放置件连接，第一壳体包括多个腔室，第一移动组件和密封组件均设置于第一...
    2026-05-01
  • 基于多段气压动态调控的镀膜均匀性自适应调节系统及方法
    基于多段气压动态调控的镀膜均匀性自适应调节系统及方法_广东振华科技股份有限公司_202511743613.9
    本发明公开了一种基于多段气压动态调控的镀膜均匀性自适应调节系统及方法，属于薄膜制备技术领域。该系统包括镀膜腔室、多段充气系统、实时监测系统和中央控制系统。多段充气系统包含多个独立的气体注入段，各配备流量控制器和气压传感器。实时监测系统通过薄...
    2026-05-01
  • 一种组合式整流罩镀膜工装及方法
    一种组合式整流罩镀膜工装及方法_西安北方光电科技防务有限公司_202511796234.6
    本发明涉及真空镀膜加工领域，具体为一种组合式整流罩镀膜工装及方法，该工装包括零件盛盘和零件单体工装，所述零件盛盘的盘体为圆形板状结构，盘体上开设有多个用于装配零件单体工装的安装孔，每个安装孔的内径尺寸大于待加工整流罩零件的最大外径尺寸，且多...
    2026-05-01
  • 一种用于骨质疏松颌骨的智能控释的牙种植体及制备方法
    一种用于骨质疏松颌骨的智能控释的牙种植体及制备方法_广东安健生物科技有限公司_202511551307.5
    本发明属于种植体技术领域，公开了一种用于骨质疏松颌骨的智能控释的牙种植体及制备方法。牙种植体的制备方法包括步骤：将钛基体的表面进行激光刻蚀，阳极氧化，在钛基体的表面得到二氧化钛纳米管阵列，采用等离子体浸没离子注入技术将锶离子和氟离子注入到二...
    2026-05-01
  • 锗砷硫系玻璃光纤1064nm带通膜及其制备方法和应用
    锗砷硫系玻璃光纤1064nm带通膜及其制备方法和应用_中国建筑材料科学研究总院有限公司_202511885363.2
    本发明提出一种锗砷硫系玻璃光纤1064nm带通膜及其制备方法和应用。包括：对锗砷硫玻璃光纤端面离子束轰击；采用离子束溅射法在端面沉积带通膜；遮挡光纤端面，对ZnO靶材和SiO₂靶材分别预溅射处理；控制ZnO靶材溅射能量500~800eV，S...
    2026-05-01
  • 一种用于镀膜的磁控溅射装置及其使用方法
    一种用于镀膜的磁控溅射装置及其使用方法_合肥致真精密设备有限公司_202610129942.2
    本发明公开了一种用于镀膜的磁控溅射装置及其使用方法，用于镀膜的磁控溅射装置包括溅射腔室、加热组件和冷却组件，所述溅射腔室用于对基片进行镀膜，还包括承载模块和输送模块，所述承载模块设置在所述溅射腔室内，用于载置待镀膜的基片，所述输送模块用于选...
    2026-05-01
  • 太阳能集热管磁控溅射镀膜膜层均匀性的智能监测方法
    太阳能集热管磁控溅射镀膜膜层均匀性的智能监测方法_山东信和光热有限公司_202610061409.7
    本发明涉及磁控溅射镀膜监测调控技术领域，更具体地，本发明涉及太阳能集热管磁控溅射镀膜膜层均匀性的智能监测方法，方法包括：构建透射式声光焦散监测环境，采集焦散图像并反演获取瞬态声波压力分布；利用盒维数法对压力分布进行奇异点分析，计算膜层微观不...
    2026-05-01
  • 脉冲激光诱导高离化磁控溅射与离子能量控制方法及装置
    脉冲激光诱导高离化磁控溅射与离子能量控制方法及装置_西南交通大学_202511904069.1
    本发明提供一种脉冲激光诱导高离化磁控溅射与离子能量控制方法及装置，涉及磁控溅射镀膜技术领域。控制方法，包括以下步骤：S1.将靶材、基片在真空腔室内安装到位，密封真空腔室，并将真空腔室抽至真空状态；S2.向真空腔室内通入氩气，控制工作气压稳定...
    2026-05-01
  • 一种银钯合金靶材陶瓷元件电极的制备方法
    一种银钯合金靶材陶瓷元件电极的制备方法_无锡市惠丰电子有限公司_202511827407.6
    本发明涉及一种银钯合金靶材陶瓷元件电极的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，结合层制成，首先准备陶瓷基体，采用镍铬合金靶材进行溅射，在陶瓷基体上形成镍铬结合层，溅射功率范围控制在500~700W；步骤S2，导电层制成，在镍铬结合层上采用银钯合...
    2026-05-01
  • 制作自旋电子学器件的膜堆及器件的磁控溅射设备及方法
    制作自旋电子学器件的膜堆及器件的磁控溅射设备及方法_合肥致真精密设备有限公司_202511815209.8
    本发明公开了制作自旋电子学器件的膜堆及器件的磁控溅射设备及方法，涉及超高真空镀膜设备技术领域，包括真空腔体以及其上设置的多维样品台，所述多维样品台包括：样品托，用于承载样品；调节组件，用于驱动所述样品托自转，并驱动所述样品托绕其与自身中心轴...
    2026-05-01
  • 一种基于磁场分区域动态调节的真空镀膜均匀性控制方法及装置
    一种基于磁场分区域动态调节的真空镀膜均匀性控制方法及装置_广东振华科技股份有限公司_202511743622.8
    本发明公开了一种基于磁场分区域动态调节的真空镀膜均匀性控制方法及装置，涉及真空镀膜技术领域。该装置包括分区磁场生成模块、膜厚实时监测模块、智能控制模块和磁场‑溅射耦合模块。分区磁场生成模块在靶材背面设置多组独立可控的电磁单元阵列；膜厚实时监...
    2026-05-01
  • 承载基体的表面处理方法
    承载基体的表面处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411176872.3
    本发明公开的承载基体的表面处理方法，包括：将承载基体置于腔室内，控制腔室处于第一真空度，在承载基体的表面采用磁控溅射离子镀沉积Cr层；保持腔室处于所述第一真空度，在所述Cr层上沉积CrC层；以及降低所述第一真空度使腔室处于第二真空度，在所述...
    2026-05-01
  • 磁控溅射制备钙钛矿电池中氧化锡层的方法及钙钛矿电池
    磁控溅射制备钙钛矿电池中氧化锡层的方法及钙钛矿电池_正泰新能科技股份有限公司_202411138496.9
    本发明涉及一种磁控溅射制备钙钛矿电池中电子传输层的方法及钙钛矿电池，采用本发明提供的方法进行磁控溅射，作为阴极的靶材产生的二次电子被电场和磁场交互作用，进而被有效地控制在至少2个靶材围成的空间内，形成柱状的等离子体，进而增加了电子与反应气之...
    2026-05-01
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