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最新专利技术
  • 基于深度学习的真菌毒素非靶向筛查质谱数据处理方法
    基于深度学习的真菌毒素非靶向筛查质谱数据处理方法_湖南省农产品加工与质量安全研究所_202511808442.3
    本发明公开了基于深度学习的真菌毒素非靶向筛查质谱数据处理方法，涉及食源性毒素检测技术领域，包括，基于标准化峰列表，以离子峰为节点、离子峰间的质谱学关系为边，构建质谱图结构；基于质谱图结构中节点间的连接关系，识别不同质谱学关系类型，并构建从起...
    2026-03-13
  • 一种针对水利水电工程特点的水生食物网干扰模拟方法
    一种针对水利水电工程特点的水生食物网干扰模拟方法_中国水利水电科学研究院_202511687862.0
    本发明本发明属于水利水电工程生态影响评估技术领域，特别涉及一种针对水利水电工程特点的水生食物网干扰模拟方法，包括：物种本底信息获取、摄食功能类群分类、水生食物网构建、水生食物网干扰攻击、干扰攻击影响网络传播、水生食物网网络结构与功能监测，以...
    2026-03-13
  • 一种LPDDR4芯片量产测试循环读写算法
    一种LPDDR4芯片量产测试循环读写算法_苏州锐之芯半导体技术有限公司_202511739707.9
    本发明公开了一种LPDDR4芯片量产测试循环读写算法，涉及半导体存储器测试技术领域，包括以下步骤：S100，建立刷新时序预测模型，将芯片内部刷新控制逻辑的触发周期映射至外部读写访问时间轴，形成对应地址空间的刷新冲突时间窗口分布；S200，基...
    2026-03-13
  • 记忆装置的装置类型检测的方法及设备、以及电脑可读媒体
    记忆装置的装置类型检测的方法及设备、以及电脑可读媒体_慧荣科技股份有限公司_202510165027.4
    本发明提供一种藉助于驱动电压路径检测来进行一记忆装置的装置类型检测的方法、相关设备以及电脑可读媒体，其中该记忆装置安装于一主机装置的一印刷电路板。该方法可包含：响应于从该印刷电路板内的两组驱动电压端子中的一组驱动电压端子之一驱动电压端子取得...
    2026-03-13
  • 一种固态硬盘锁温功能的综合性能与可靠性测试系统
    一种固态硬盘锁温功能的综合性能与可靠性测试系统_深圳市晶存科技股份有限公司_202511719239.9
    本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种固态硬盘锁温功能的综合性能与可靠性测试系统，该系统包括：所述硬件部分包括恒温恒湿箱与设置在恒温恒湿箱内的待测固态硬盘、主机电脑、功率计以及温湿度记录仪；所述软件部分包括自动化测试主控程序、负载生成工具、...
    2026-03-13
  • 测试eeprom的读写功能的方法、eeprom、电子设备和存储介质
    测试eeprom的读写功能的方法、eeprom、电子设备和存储介质_云尖信息技术股份有限公司_202511676270.9
    本说明书提供一种测试eeprom的读写功能的方法、eeprom、电子设备和存储介质，所述eeprom电可擦除可编程只读存储器被划分为业务区域和预留区域，所述预留区域包括计数子区域和测试子区域，所述方法包括：读取所述测试子区域中的所有地址中存...
    2026-03-13
  • 存储器系统中使用组合电路进行的错误控制
    存储器系统中使用组合电路进行的错误控制_美光科技公司_202511187908.2
    本公开涉及存储器系统中使用组合电路进行的错误控制。在一些实施方案中，一种存储器系统可以从主机系统获得读取数据的命令。所述存储器系统可以检索与所述数据相关联的码字。所述存储器系统可以基于所述码字来生成校正子。所述存储器系统可以基于所述校正子并...
    2026-03-13
  • 一种闪存颗粒筛选方法、装置、设备及可读存储介质
    一种闪存颗粒筛选方法、装置、设备及可读存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511750101.5
    本申请涉及固态硬盘测试技术领域，公开了一种闪存颗粒筛选方法、装置、设备及可读存储介质，本申请的闪存颗粒筛选方法，对目标闪存颗粒执行特性分析，以获取针对目标闪存颗粒的测试参数；根据测试参数，将目标闪存颗粒中待测闪存块划分为多个测试子集；按照预...
    2026-03-13
  • 一种固态硬盘读干扰测试方法
    一种固态硬盘读干扰测试方法_深圳市晶存科技股份有限公司_202511719494.3
    本发明公开了一种固态硬盘读干扰测试方法，包括以下步骤：S1获取固态硬盘的配置信息，根据所述配置信息设置测试参数；S2向固态硬盘的全部可用空间写入测试数据；S3在所述固态硬盘中删除预设比例的测试数据；S4读干扰测试循环，包括：S41对S3阶段...
    2026-03-13
  • 半导体存储器器件和存储器补救方法
    半导体存储器器件和存储器补救方法_瑞萨电子株式会社_202511104652.4
    本公开的各实施例涉及半导体存储器器件和存储器补救方法。提供了一种存储器补救电路，该存储器补救电路包括存储器内置自测试(MBIST)电路，该MBIST电路在市场中的测试结果的基础上生成补救代码；寄存器，该寄存器保持所生成的补救代码；以及路径，...
    2026-03-13
  • 具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件
    具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件_长江存储科技有限责任公司_202511826581.9
    本公开涉及具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件。在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列、输入/输出(I/O)电路以及耦合到I/O电路的控制逻辑。存储器单元阵列包括N个主库和M个冗余库，其中，N和M中的每一个为正整数，并且N大于M...
    2026-03-13
  • 用于存储器电荷泵的补偿电路、电荷泵、电子设备
    用于存储器电荷泵的补偿电路、电荷泵、电子设备_北京中电华大电子设计有限责任公司_202511557199.2
    本申请公开了一种用于存储器电荷泵的补偿电路、电荷泵、电子设备，补偿电路包括补偿电容，第一端与所述电荷泵电路的输出端连接；控制单元，接收第一触发信号并产生第二触发信号和第三触发信号；第一上拉单元，与所述控制单元和所述补偿电容的第二端连接，根据...
    2026-03-13
  • 存储装置、存储系统及其操作方法
    存储装置、存储系统及其操作方法_长江存储科技有限责任公司_202411190071.2
    在某些方面中，存储装置包括存储单元阵列和外围电路。存储单元阵列包括存储单元。外围电路被配置为通过将第一编程电压施加于耦合到存储单元的子集的字线来至少对存储单元的子集进行编程，以及验证对存储单元的子集的编程以生成验证结果。存储单元的子集包括基...
    2026-03-13
  • 在存储器装置中使用分段源极板进行子块擦除
    在存储器装置中使用分段源极板进行子块擦除_美光科技公司_202511197148.3
    本公开涉及在存储器装置中使用分段源极板进行子块擦除。示例存储器装置包含存储器阵列和处理装置，所述处理装置以操作方式耦合到所述存储器阵列。所述处理装置被配置成：接收识别所述存储器阵列的块的子块的擦除命令；致使第一电压电平施加到与所述子块相关联...
    2026-03-13
  • 一种MCAM存储单元及多比特内容寻址存储器
    一种MCAM存储单元及多比特内容寻址存储器_上海科技大学_202511748418.5
    本发明的技术方案的第一个方面是公开了一种MCAM存储单元，其特征在于，由五个晶体管和一个多级单元阻变存储器组成。本发明的技术方案的第二个方面是公开了一种多比特内容寻址存储器，其特征在于，包括由上述的MCAM存储单元组成的MCAM存储阵列。本...
    2026-03-13
  • 一种阻变存储器写入电路及其操作方法
    一种阻变存储器写入电路及其操作方法_北京新忆科技有限公司_202511656742.4
    本公开是关于一种阻变存储器写入电路及其操作方法。其中，阻变存储器写入电路包括：上拉晶体管M1、检测晶体管M2、下拉晶体管M3、偏置电流源I1、逻辑电路、阵列选通管和阻变存储器阵列，上拉晶体管M1的一端与写操作电压源连接，另一端通过阵列选通管...
    2026-03-13
  • 基于反相编码的数据写入方法及装置
    基于反相编码的数据写入方法及装置_北京新忆科技有限公司_202511655194.3
    本公开提出了一种基于反相编码的数据写入方法及装置，涉及存储器技术领域，该方法包括：获取待写入数据并预处理，得到待写入原码及对应的待写入反码；获取阻变存储器中待写入位置当前存储的原始数据，原始数据、待写入原码和待写入反码的结构和长度一致，且均...
    2026-03-13
  • 半导体结构
    半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511637974.5
    本公开提供了一种半导体结构，其包括具有前侧和背侧的衬底；SRAM电路，其具有形成在衬底的前侧上的SRAM位单元，其中每个SRAM位单元包括交叉耦合在一起的两个反相器、耦合到两个反相器的两个写入传输门、耦合到两个反相器的读取下拉器件和耦合到读...
    2026-03-13
  • 一种基于非易失存储单元的自加载存储单元和存储阵列
    一种基于非易失存储单元的自加载存储单元和存储阵列_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511930078.8
    本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种基于非易失存储单元的自加载存储单元和存储阵列。所述自加载存储单元包括SRAM单元结构和非易失存储结构；所述自加载存储阵列包括：N行N列的自加载存储单元和N个外围电路；同一行的自加载存储单元共享同一条字...
    2026-03-13
  • 存储阵列驱动电路及其操作方法
    存储阵列驱动电路及其操作方法_北京新忆科技有限公司_202511656707.2
    本申请提出一种存储阵列驱动电路及其操作方法，其中，存储阵列驱动电路包括第一N型晶体管和第二N型晶体管，第一N型晶体管的栅极连接选中开启电压，漏极连接写入操作电压或读出操作电压，源极连接存储器的控制线和/或地址线；第二N型晶体管的栅极连接非选...
    2026-03-13
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