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  • 本发明公开了一种SSD全自动老化测试系统及方法,包括:物理测试集群层,包括一个或多个测试仓,中央控制与数据处理单元,包括任务调度与资源管理引擎、自适应应力场生成器、数据湖和数字孪生模型,所述数字孪生模型包括:高保真模型库,为每一个SSD本体...
  • 本发明涉及一种用于铁路导航数据存储的全自动测试方法,包括:由测试工装接收电流并进行电流转换;由上位机发送切换指令给下位机,U盘切换到上位机后由上位机清空U盘数据,并写入测试标本数据和配置文件;再次切换到被测模块,被测模块读取到配置文件后,写...
  • 本发明涉及电梯物联网技术领域,尤其涉及一种电梯内存卡状态检测方法。采用如下技术方案:依次对内存卡的挂载路径、数据读取、写入进行检测,并在检测到挂载路径不存在后,通过查询历史记录和关机记录来判断内存卡状态。本发明的有益效果在于:可有效避免出现...
  • 本申请实施例提出一种易于EMMC颗粒在线维修调试的方法、EMMC颗粒和电子设备,包括基板、EMMC主控芯片、调试PIN和塑封体,基板上的金手指和调试走线之间导电连接,EMMC主控芯片安装在基板的上表面,EMMC主控芯片设置有芯片接口焊盘,芯...
  • 本发明提供一种存储颗粒的规模化筛选测试系统,包括:主控单元、可调恒压源、K个并行设置的测试通道和通信接口,每个测试通道包括引脚切换电路和高精度模数转换器ADC;引脚切换电路由第一模拟开关阵列和第二模拟开关阵列构成;针对存储颗粒的每一引脚,主...
  • 本发明涉及存储器故障修复技术领域,具体公开了一种基于数据挖掘的本地与全局冗余优化修复方法及系统,包括:采集存储器的历史故障数据,对所述历史故障数据进行清洗处理后,提取故障位特征;采用聚类算法对提取的故障位特征进行聚类分析,划分故障位的高频故...
  • 本申请提供了一种非易失性存储器读打断测试方法及测试装置,所述方法包括:将测试数据烧录至非易失性存储器;对测试数据发起第一次读请求,将第一次读请求的读出数据作为测试期望值;对测试数据发起第二次读请求,每次第二次读请求持续时间等于最小读请求周期...
  • 本申请提供了一种非易失性存储器读打断测试系统,通过判断所述读打断请求的读出数据与所述测试期望值是否相同,如果相同,则所述非易失性存储器支持读打断操作,这样表明了非易失性存储器具备动态中断响应能力,可在读取过程中无缝切换至高优先级任务,显著提...
  • 本发明的实施方式提供半导体存储装置、半导体存储装置的控制方法以及计算机可读取的记录介质,即使在通过功能动作进行熔丝元件的写入前/写入后的可否判定的情况下,也能够在所谓灰色区域中可靠地进行判定。实施方式所涉及的半导体存储装置具备:数据锁存电路...
  • 本申请属于存储技术领域,其提供一种存储器管理方法与存储装置,其响应于对目标页的数据读取请求,获取目标页的质量评分;将质量评分与第一阈值进行比较;若质量评分不大于第一阈值,则启动使用一候选读取电压对目标页执行读取感应操作,在不将目标页的完整数...
  • 提供具有良好的数据保持特性、可靠性的半导体存储装置。半导体存储装置具备包含第一及第二子存储区块的存储区块、位线及源极线、控制电路。第一及第二子存储区块各自具备第一及第二存储单元、第一及第二字线。控制电路在存储区块的擦除动作中执行判定第二存储...
  • 提供了用于管理存储器装置的方法、设备和系统。在一个方面中,一种方法包括:在编程操作的第一循环期间,将第一编程电压施加到第一字线;以及在第一循环的第一阶段期间,将第一通过电压施加到第二字线,并且在第一循环的第二阶段期间,将第二通过电压施加到第...
  • 提供了用于管理存储装置的方法、装置和系统。在一个方面中,一种方法包括:在编程操作的第一循环期间,将第一编程电压施加到第一字线,在第一阶段期间,将第一通过电压施加到第二字线,并且在第二阶段期间,将第二通过电压施加到第二字线;在第二循环期间,将...
  • 本申请公开一种低漏电高速电压平转电路。本申请的低漏电高速电压平转电路包含电压平转主电路。本申请的低漏电高速电压平转电路还包含正向输出电路、反向输出电路或两者。正向输出电路包含正向电压平转电路以及正向端缓冲电路。电压平转主电路连接正向电压平转...
  • 本发明提供一种半导体存储装置、存储器系统及半导体存储装置的控制方法,所述半导体存储装置能够提升块效率。本发明的半导体存储装置具备第1存储器面及第2存储器面、信号线、判定电路及控制部。信号线对与第1存储器面的第1块的第1存储单元晶体管连接的第...
  • 本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统,所述存储器装置包括:存储单元阵列;多条字线;外围电路,通过所述多条字线耦合至所述存储单元阵列,所述外围电路被配置为:在编程操作的第一阶段,对所述多条字线中的第一字线和第二字线施加第一...
  • 本发明提供一种能够抑制漏电流的半导体装置。本发明的半导体装置包含:第1电源线,被供给第1电压;第2电源线,被供给比第1电压低的第2电压;第1逻辑电路,包含第1电极,且与第1电源线电连接;第2逻辑电路,包含与第1电极相隔而设的第2电极,且与第...
  • 本发明公开了一种基于浮栅晶体管的存内计算电路、计算阵列以及读出方法。存内计算电路,包括选择管阵列、浮栅晶体管阵列和比例电容阵列;其中所述选择管阵列包括多个独立的选择管;所述浮栅晶体管阵列包括多个独立的浮栅晶体管;所述比例电容阵列包括多个独立...
  • 本公开提供存储器控制器及其操作方法、存储系统及电子设备。所述存储器控制器被配置为:根据第一存储块的读取次数,判断是否对第一存储块进行读干扰处理;所述读干扰处理为采用单状态读取电压读取第一存储块的第一物理页,根据第一物理页空状态存储单元数量,...
  • 本发明提供能够抑制消耗电力的半导体存储装置。半导体存储装置(2)具备输入输出用焊盘组(32)、包含多个存储单元的存储单元阵列(21)、设置于输入输出用焊盘组(32)和存储单元阵列(21)之间的输入输出电路(22)。输入输出电路(22)具备:...
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