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  • 本发明公开了一种碳硅材料及其制备方法与电池,属于负极材料技术领域。该碳硅材料包括硅碳颗粒以及包覆于硅碳颗粒表面的碳包覆层;硅碳颗粒为沉积有硅的多孔碳;碳包覆层是由分子量≥1000的气态稠环芳香烃吸附于硅碳颗粒的表面后形成。上述碳包覆层由气态...
  • 本申请提供一种石墨负极活性材料及其制备方法、负极极片、二次电池和用电装置。石墨负极活性材料的颗粒本体包括内部区域以及至少部分包围内部区域的表层区域,表层区域是指从石墨负极活性材料的颗粒本体表面向颗粒内部延伸30nm的距离所构成的区域,表层区...
  • 本申请涉及一种自支撑电极膜及其制备方法、电极片、二次电池和装置,旨在解决现有干法电池膜片延展性不足导致的制备工艺受限以及制得的电极膜的强度小且厚度不均匀的问题。为此,本申请的自支撑电极膜包括电极活性物质、导电剂、粘结剂和电解液溶剂,所述电解...
  • 封装结构及其制备方法,该封装结构包括多个芯片、封装层、导电柱及重布线层,芯片的表面上均具有生物功能层,芯片用于生化物质分析;封装层包覆每个芯片,且所有生物功能层由封装层的同侧露出,贯穿封装层形成有通孔,通孔位于芯片的周围;导电柱位于通孔内,...
  • 一种封装结构及封装方法,封装方法包括:提供第一基板,第一基板上形成有再布线层;将芯片桥键合于再布线层上,芯片桥包括相背的芯片正面和芯片背面,芯片桥的芯片正面朝向再布线层;将第二基板键合于芯片桥的芯片背面;去除第一基板,露出再布线层;在再布线...
  • 一种封装结构及封装方法,封装方法包括:将第一基板与芯片桥的芯片正面相键合;将第二基板与芯片桥的芯片背面相键合,芯片桥的芯片背面和芯片正面相背;去除第一基板,露出芯片桥的芯片正面;在芯片正面形成再布线层;在再布线层上键合芯片结构和第一芯片,芯...
  • 一种无晶圆中介层的制造方法,包括步骤:提供承载晶圆;形成第一重布线层于承载晶圆上,其中至少第一重布线层形成导线图案;形成保护层以保护导线图案;将承载晶圆翻面并贴合至支撑基材,以使保护层与支撑基材接触并贴合;以及移除承载晶圆,以形成贴合于支撑...
  • 本公开涉及一种含铜导电结构及其形成方法和应用。包括以下步骤:S1、对半导体器件的介质层进行双大马士革镶嵌处理,以在介质层刻蚀出孔和槽;S2、在Co前驱体存在条件下,通过化学气相沉积在刻蚀后的半导体器件的表面沉积Co层;S3、在W靶材存在条件...
  • 本公开涉及一种铜电镀种子层及其形成方法和形成含铜导电结构的方法。包括以下步骤:S1、对半导体器件的介质层进行双大马士革镶嵌处理,以在介质层刻蚀出孔和槽;S2、在Ta靶材存在条件下,通过物理气相沉积在刻蚀后的半导体器件的表面沉积阻挡层;S3在...
  • 本申请涉及一种封装结构及其制备方法,封装结构的制备方法,包括:提供封装基板,封装基板包括第一走线结构层,封装基板上形成有芯片结构;于封装基板上形成图形化光刻胶,图形化光刻胶具有开口,开口暴露第一走线结构层;于开口内形成导电柱;去除图形化光刻...
  • 本发明提供了一种槽状晶粒剥离装置,包括本体及真空装置。本体包括剥膜槽、梳状结构、通道及通孔,剥膜槽配置于本体的顶面,梳状结构设置于剥膜槽的第一端并且包括齿部及凹槽,各凹槽形成于相邻的二齿部之间,通道配置于本体内部,该多个通孔分别与通道相通,...
  • 本发明涉及一种具有加热功能的晶圆片承载装置,包括有固定环、载盘以及加热板。固定环环绕中空区域,并且固定环具有顶部以及底部,其中中空区域连通顶部与底部。载盘具有承载面以及底面,载盘可拆卸地固定于固定环的顶部,并以底面覆盖于中空区域;其中,载盘...
  • 本公开涉及一种半导体制造技术领域,提供一种晶圆片测试方法、装置、介质及电子设备,该晶圆片测试方法包括:对晶圆片上的芯片进行间隔测试,得到晶圆片的第一合格率;在晶圆片的第一合格率大于第一预设阈值的情况下,对晶圆片上未进行测试的芯片再进行测试;...
  • 本发明提供一种井字形晶粒剥离装置及方法,所述井字形晶粒剥离装置包括底座、第一导引装置、第二导引装置、滑动装置、调节装置及真空装置。底座具有通道。第一导引装置与第二导引装置设于底座上。滑动装置设于第一导引装置上。调节装置设于第二导引装置上。真...
  • 本公开涉及一种轻掺杂漏极缺陷检测方法,该方法包括:获取待测元件,所述待测元件具有轻掺杂漏极区;在所述待测元件的表面制备沉积层,以使所述沉积层覆盖所述轻掺杂漏极区,得到形成有沉积层的待测元件;对所述形成有沉积层的待测元件进行光学缺陷检测。本公...
  • 本公开涉及半导体制造技术领域,提供一种缺陷观测方法,该缺陷观测方法包括:获取晶圆片上每个芯片的测量信息,并根据晶圆片上每个芯片的测量信息确定出晶圆片上的异常区域;获取根据预设缺陷检测策略确定出的晶圆片上的多个缺陷位置;根据异常区域,从多个缺...
  • 本发明提供了的一种半导体器件的制备方法,应用于半导体技术领域。其首先提出了一种形状为凹槽结构的应力释放结构,然后再将一个或多个所述应力释放结构放置在晶圆上每一芯片外侧四周的划片槽中,从而使得晶圆上的每个最小光刻单元,即芯片的应力都得到充分释...
  • 本公开涉及一种电容结构及其制作方法,电容结构包括基底、附着在基底上的薄膜层、以及电容单元,薄膜层包括第一层薄膜,第一层薄膜上形成有沿其厚度方向贯穿的过孔,电容单元包括相互连接的第一部分和第二部分,第一部分容纳在过孔内并贴附在过孔的内表面上,...
  • 本公开涉及一种电容结构及其制作方法,电容结构包括基底、薄膜层以及电容单元,薄膜层包括第一层薄膜,第一层薄膜沉积在基底上,第一层薄膜内形成有沿其厚度方向贯穿的过孔,电容单元包括相互连接的第一部分和第二部分,第一部分贴附在过孔的内表面上,第二部...
  • 本发明涉及线束生产技术领域,并提供了一种硬化线束生产系统及方法,硬化线束生产系统包括依次设置的切线装置、压接装置、分装装置、铺线装置和硬化装置,切线装置用于对线束进行裁切,压接装置用于对线束进行压接端子,分装装置用于将不同的线束插入对应插件...
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