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最新专利技术
  • 通过等离子体界面处理提高HZO铁电电容性能的方法
    通过等离子体界面处理提高HZO铁电电容性能的方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511165317.5
    本发明公开了一种通过等离子体界面处理提高HZO铁电电容性能的方法， 包括以下步骤：在Si衬底材料上通过淀积形成TiN底部电极；在所述TiN底部电极上通过原子层沉积ZrO2与HfO2形成HZO铁电介质层；在所述HZO铁电介质层上表面进行等离子...
    2025-10-28
  • 半导体结构以及形成方法
    半导体结构以及形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202510882334.4
    本公开提供了一种半导体结构以及形成方法， 其中， 半导体结构包括：衬底、阻挡层、凹槽结构、多个支撑结构和电容结构；其中， 阻挡层， 覆盖衬底的部分区域；凹槽结构， 贯穿阻挡层， 并延伸至衬底内部；多个支撑结构， 均设置在凹槽结构内， 且均从...
    2025-10-28
  • 电感器装置和制造方法
    电感器装置和制造方法_高通股份有限公司_202510865628.6
    一些方面涉及一种电感器装置， 该电感器装置包括：包括多个第一互连的第一金属层；包括多个第二互连的第二金属；在第一金属层与第二金属层之间的第一电介质层；以及电感器。电感器包括多个通孔， 其中多个通孔被配置为将多个第一互连耦合到多个第二互连。电...
    2025-10-28
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_浙江力积存储科技股份有限公司_202511235197.1
    本发明提供一种半导体存储装置， 其包括相互层叠的多个半导体芯片， 且具有不同于现有技术的新颖结构。半导体存储装置包括相互层叠的内存芯片1‑1、1‑2。内存芯片1‑1、1‑2包括以相同布局配置在内存芯片1‑1、1‑2之间的电路元件和布线。内存...
    2025-10-28
  • 一种电子模组和电子设备
    一种电子模组和电子设备_华为技术有限公司_202410396232.7
    本申请提供了一种电子模组和电子设备， 该电子模组包括印刷电路板和电子模块。印刷电路板包括线路层， 且印刷电路板的一侧表面为第一表面， 第一表面设置有与线路层连接的第一连接点。电子模组的一个电子模块与第一表面的一组第一连接点连接。电子模块包括...
    2025-10-28
  • 磁性随机存储器的制备方法
    磁性随机存储器的制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202410371064.6
    本发明提供一种磁性随机存储器的制备方法， 其包括：提供衬底， 衬底内形成有底部金属以及底部通孔导电结构；在衬底上沉积第一介质材料， 形成第一介质层；光刻第一介质层， 以形成对准标记凸起结构；在衬底上沉积金属材料， 形成底部互连层；根据对准标...
    2025-10-28
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410386715.9
    本申请实施例公开一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备， 涉及半导体技术领域。存储阵列包括叠层结构， 叠层结构具有沟槽组， 沟槽组包括沟槽， 该沟槽沿第一方向延伸、且贯穿叠层结构。叠层结构包括沿第三方向交替层叠的多个第一介质层和多个第一...
    2025-10-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202411750974.1
    根据本公开的实施例的半导体装置包括：衬底， 其包括单元区域和外围电路区域；竖直结构， 其在单元区域处沿垂直于衬底的上表面的方向延伸， 竖直结构包括在平行于衬底的上表面的第一方向上间隔开的位线和源极线；字线， 其在竖直结构的一侧处沿第一方向延...
    2025-10-28
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510890779.7
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法， 应用于半导体技术领域。在本发明中， 通过在金属硅化物层形成之后在所述基底上形成第一隔离层， 然后在所述第一隔离层上形成底部抗反射涂层， 接着， 光刻并刻蚀第一存储管栅极结构或第二存储管栅极结构， 和第...
    2025-10-28
  • 用于三维存储器的半导体结构及其制造方法
    用于三维存储器的半导体结构及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410458009.0
    本公开提供一种用于三维存储器的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基底， 具有存储元件区与围绕存储元件区的周边区， 且存储元件区包括存储阵列区与阶梯区；电路结构层， 设置于基底上；第一导电层， 设置于电路结构层上；堆叠结构， 设置于存储...
    2025-10-28
  • 半导体工艺方法
    半导体工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510896762.2
    本发明提供了一种半导体工艺方法， 涉及半导体加工技术领域， 以解决现有对叠层结构刻蚀过程中OX层和W层刻蚀侧壁凹凸不平的问题。半导体工艺方法包括主刻蚀步， 使用第一工艺气体对叠层结构进行刻蚀， 所述叠层结构由交替设置的OX层和W层形成， 所...
    2025-10-28
  • 快闪存储器装置及其形成方法
    快闪存储器装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202410880625.5
    本申请提供一种快闪存储器装置及其形成方法， 形成方法包括提供衬底， 其中衬底具有多个浅沟槽隔离部件形成于其中；于浅沟槽隔离部件上形成相应的多个隔离部件， 其中隔离部件具有第一应力；对隔离部件的多个表面部分进行表面处理工艺， 使隔离部件的表面...
    2025-10-28
  • 半导体装置及其制备方法
    半导体装置及其制备方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410357348.X
    提供一种半导体装置， 包含基板、氧化层、两金属栅极、两浮动栅极及共用栅极。基板包含复数主动区依序包含第一、第二、中央、第三与第四主动区。氧化层设置于基板上， 两金属栅极设置于氧化层上， 且分别位于第一与第二主动区及第三与第四主动区之间。两浮...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331402.3
    一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构包括：衬底， 所述衬底包括相邻设置的第一区和第二区；浮栅结构， 位于第一区的衬底上；控制栅结构， 位于浮栅结构上， 控制栅结构与浮栅结构之间相绝缘；第一介质层， 位于浮栅结构和控制栅结构朝向第二区一侧...
    2025-10-28
  • 用于形成三维存储器件的方法和三维存储器件
    用于形成三维存储器件的方法和三维存储器件_英特尔NDTM美国有限公司_202410375170.1
    本发明提供一种形成三维存储器件的方法， 包括以下步骤：i)在垂直于衬底的表面的方向上形成绝缘层和导电层交替层叠的堆叠结构， 堆叠结构包括核心部分和台阶部分， 台阶部分位于核心部分的至少一侧；ii)在台阶部分的每级台阶的顶部， 形成覆盖导电层...
    2025-10-28
  • 反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器
    反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器_上海华力集成电路制造有限公司_202510890700.0
    本发明提供了一种反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器， 属于半导体领域。该反熔丝存储单元包括形成于基底表面的阱区， 形成于所述阱区表面的栅极、第一隔离区结构和第二隔离区结构， 所述栅极作为控制管的栅极， 所述栅极两侧的阱区设置有源...
    2025-10-28
  • 一种动态随机存储器及其制备方法
    一种动态随机存储器及其制备方法_兰州交通大学_202511153905.7
    本发明提供一种动态随机存储器及其制备方法， 其中器件包括：第二介质电极层、源电极、漏电极、源区、沟道区域、存储窗口、漏区、第一介质电极层， 其中， 源电极、漏电极、源区、沟道区域、存储窗口和漏区设置于所述第二介质电极层上表面；第一介质电极层...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511150144.X
    公开了一种半导体结构及其制作方法。用于解决如何改善横向刻蚀形成的多个间隙的均一性差的技术问题。该制作方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的多个牺牲层和多个半导体层的叠层结构；多个牺牲层包括多个第一牺牲层和多个第二牺牲层， 任意一个第二牺牲层和...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202510900059.4
    本公开是关于半导体技术领域， 涉及一种半导体结构及其形成方法、电子设备， 半导体结构包括有源柱、第一绝缘层、第二绝缘层以及栅极， 其中：有源柱沿第一方向延伸， 有源柱包括沿第一方向依次分布的第一源漏区、第二源漏区及沟道区；第一绝缘层和第二绝...
    2025-10-28
  • 叠层结构、半导体器件及其制备工艺
    叠层结构、半导体器件及其制备工艺_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510885711.X
    本发明提供一种叠层结构、半导体器件及其制备工艺， 涉及半导体技术领域。该叠层结构包括自下而上交替堆叠的支撑层和牺牲层， 支撑层中， 位于底部的一者为底支撑层、其余为上支撑层；叠层结构所在区域包括第一区域和第二区域， 第一区域中上支撑层的总层...
    2025-10-28
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