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最新专利技术
  • 一种模组化风液同源阵列散热设备
    一种模组化风液同源阵列散热设备_北京英沣特能源技术有限公司_202511232116.2
    本发明公开了一种模组化风液同源阵列散热设备， 涉及散热装置技术领域， 该设备包括外盒、控制箱、液冷机构、仿生液管、调风机构和风冷机构， 外盒上设有侧孔、螺纹座和进风孔， 液冷机构包括回路管和回流机构， 回流机构包括电控三通阀， 仿生液管包括...
    2025-10-31
  • 结合光伏与低温余热发电的浸没液冷数据控制方法及系统
    结合光伏与低温余热发电的浸没液冷数据控制方法及系统_天津提尔科技有限公司_202511234443.1
    本发明涉及浸没液冷控制技术领域， 尤其提供了一种结合光伏与低温余热发电的浸没液冷数据控制方法及系统， 方法包含服务器运行产生的低温废热传递至液冷循环系统， 同步光伏组件捕获太阳辐射能， 构成基础能源输入， 生成共生能量基底；共生能量基底驱动...
    2025-10-31
  • 一种单相浸没液冷服务器循环冷却方法及系统
    一种单相浸没液冷服务器循环冷却方法及系统_天津提尔科技有限公司_202511234515.2
    本发明涉及浸没液冷数据中心冷却技术领域， 尤其提供了一种单相浸没液冷服务器循环冷却方法及系统， 方法包含将冷却液的实时温度与预设的温度阈值进行比对， 控制系统发出第一程序指令， 进行浸没式液冷机柜内循环模式；或发出第二程序指令， 进行热交换...
    2025-10-31
  • 一种基于AI智能决策的单相和两相浸没液冷方法及系统
    一种基于AI智能决策的单相和两相浸没液冷方法及系统_天津提尔科技有限公司_202511234672.3
    本发明涉及数据中心散热技术领域， 尤其提供了一种基于AI智能决策的单相和两相浸没液冷方法及系统， 方法包含耦合后的数据注入动态特征提取引擎， 输出热力学状态演化张量， 含温度变化率、负载‑热流密度耦合系数等特征；热力学状态演化张量输入深度神...
    2025-10-31
  • 一种智能恒温单相浸没数据中心复合液冷控制方法及系统
    一种智能恒温单相浸没数据中心复合液冷控制方法及系统_天津提尔科技有限公司_202511234802.3
    本发明涉及单相浸没液冷数据处理技术领域， 尤其提供了一种智能恒温单相浸没数据中心复合液冷控制方法及系统， 方法包含感温包实时监测服务器主板的温度变化， 感温包将温度数据转换为电信号， 电信号作为输入信号传输至数据集成处理器；数据集成处理器接...
    2025-10-31
  • 电磁屏蔽膜及制作方法、电子元器件、结构件及电子设备
    电磁屏蔽膜及制作方法、电子元器件、结构件及电子设备_北京小米移动软件有限公司_202410381832.6
    本公开提供了一种电磁屏蔽膜及制作方法、电子元器件、结构件及电子设备， 电磁屏蔽膜包括：预设质量比的。本公开提供的电磁屏蔽膜中包括高分子聚合物和非金属基导电材料， 高分子聚合物可以作为非金属基导电材料的载体， 使得非金属基导电材料中的电荷载流...
    2025-10-31
  • 在存储器模块下方延伸的电磁干扰屏蔽件
    在存储器模块下方延伸的电磁干扰屏蔽件_英特尔公司_202510304605.8
    本公开涉及在存储器模块下方延伸的电磁干扰屏蔽件。本文中公开了用于屏蔽电磁干扰的设备和系统及其形成方法。在一个示例中， 电磁干扰(EMI)屏蔽件包括用于基本上包封存储器模块的壳体。当壳体和存储器模块耦合到电路板时， 壳体用于至少部分地在存储器...
    2025-10-31
  • 一种金属有机框架-石墨烯气凝胶吸波材料及其制备方法
    一种金属有机框架-石墨烯气凝胶吸波材料及其制备方法_宁波石墨烯创新中心有限公司_202510572334.4
    一种金属有机框架‑石墨烯气凝胶吸波材料及其制备方法， 该吸波材料为掺杂有金属有机框架的三维网络气凝胶结构， 其中所述的金属有机框架通过配位键连接形成开放式多孔结构， 其中所述的石墨烯气凝胶通过石墨烯片层相互搭接交联形成， 其中所述的金属有机...
    2025-10-31
  • 一种轻质高效的三维石墨烯基复合吸波材料及其制备方法
    一种轻质高效的三维石墨烯基复合吸波材料及其制备方法_电子科技大学_202510736823.9
    本发明公开了一种轻质高效的三维石墨烯基复合吸波材料及其制备方法， 涉及微波吸收材料技术领域， 复合吸波材料包括还原氧化石墨烯、镍纳米颗粒和原位生长的碳纳米纤维， 其中所述镍纳米颗粒附着在所述还原氧化石墨烯上， 所述原位生长的碳纳米纤维包覆所...
    2025-10-31
  • 一种用于制冷机的屏蔽罩、制冷机及量子计算机
    一种用于制冷机的屏蔽罩、制冷机及量子计算机_深圳量旋科技有限公司_202510864217.5
    本申请提供了一种用于制冷机的屏蔽罩、制冷机及量子计算机， 涉及量子计算技术领域。制冷机包括样品室。屏蔽罩与样品室对应设置， 其中， 所述屏蔽罩包括包裹所述样品室的磁场屏蔽层， 及包裹所述样品室的红外吸收层。本申请提供的技术方案， 将屏蔽罩与...
    2025-10-31
  • 一种复合吸波材料及其制备方法
    一种复合吸波材料及其制备方法_广东华欣材创科技有限公司_202510912467.1
    本申请实施例提供了一种复合吸波材料及其制备方法， 其中， 本申请实施例所提供的制备方法， 将羰基铁粉与介电材料混合形成混合料， 再将混合料置于包覆罐体中并在保护气体气氛中， 利用包覆罐体中的锤头对混合料进行热压合处理， 以将介电材料包覆于羰...
    2025-10-31
  • 面向复杂环境的边缘计算视频分析装置的抗干扰屏蔽结构
    面向复杂环境的边缘计算视频分析装置的抗干扰屏蔽结构_北京宏扬迅腾科技发展有限公司_202510926822.0
    本发明公开面向复杂环境的边缘计算视频分析装置的抗干扰屏蔽结构， 属于计算机硬件设备技术领域， 本发明的方案包括第一壳体， 第一壳体内部形成安装腔体， 第一壳体的壁面采用复合层板， 复合层板包括两个间隔设置的金属屏蔽层， 金属屏蔽层之间设置填...
    2025-10-31
  • 一种电磁屏蔽膜和线路板
    一种电磁屏蔽膜和线路板_广州方邦电子股份有限公司_202511003820.0
    本发明公开了一种电磁屏蔽膜和线路板， 所述电磁屏蔽膜包括依次层叠设置的保护层、金属层和胶膜层；所述保护层和所述金属层层叠设置形成镀片， 所述镀片的第一应变强度σ1和所述电磁屏蔽膜整体的第一应变强度σ2满足：其中， 所述第一应变强度指的是当应...
    2025-10-31
  • 带有可释放压缩的机械堆叠组装件
    带有可释放压缩的机械堆叠组装件_英特尔公司_202510227219.3
    本公开涉及带有可释放压缩的机械堆叠组装件。一种装置提供了盖子和与盖子耦合的压缩机构。压缩机构包括延伸穿过盖子的锚定件， 布置在与盖子相交的第一平面中的杠杆， 以及布置在与盖子相对的第二平面中的接触部分。杠杆和接触部分处于围绕共同轴线受偏置关...
    2025-10-31
  • 一种五金件上焊PCB板的自动化机组
    一种五金件上焊PCB板的自动化机组_意拉德电子(东莞)有限公司_202510932282.7
    本发明涉及自动化焊接的技术领域， 尤其是涉及一种五金件上焊PCB板的自动化机组， 包括：分度转盘， 设有定位治具， 并驱动定位治具依次停放在装配工位、焊接工位与出料工位；上料机构， 对五金件或PCB板进行上料操作；装配机构， 抓取上料机构内...
    2025-10-31
  • 基于多层PCB的移动空调面板制造工艺
    基于多层PCB的移动空调面板制造工艺_广州庆源电子有限公司_202510945665.8
    本发明涉及移动空调面板制造工艺技术领域， 尤其涉及一种基于多层PCB的移动空调面板制造工艺， 包括形成PCB贴附基板；将元器件贴片贴附至贴片位置形成预固定PCB板；获取焊盘上的焊料的若干帧三维图像并确定致密区域和分散区域， 基于其持续时长定...
    2025-10-31
  • 半导体结构以及半导体结构的制造方法
    半导体结构以及半导体结构的制造方法_爱普科技股份有限公司_202411097443.7
    本发明提供一种半导体结构， 其包括半导体晶片、元件层以及虚拟静态随机存取记忆体(PSRAM)晶粒。元件层设置于半导体晶片的表面上， 其中元件层包括有机层。PSRAM晶粒设置于半导体晶片的表面上且与半导体晶片电性连接。本发明另提供一种半导体结...
    2025-10-31
  • 半导体器件及动态随机存取器
    半导体器件及动态随机存取器_长鑫科技集团股份有限公司_202410374584.2
    本公开提供了一种半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的第一结构单元， 第一结构单元包括：晶体管， 多个晶体管沿第一方向堆叠设置；晶体管包括：栅极结构， 有源层， 第一电极和第二电极， 第一电极和第二电极沿第二方向设置于栅极结构两侧， 有源层连...
    2025-10-31
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410379832.2
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备， 属于半导体技术领域， 制造方法包括：提供第一衬底， 第一衬底具有第一表面和第二表面；在第一表面形成呈阵列分布的晶体管， 晶体管包括沿垂直于第一衬底的第一表面延伸的半导体柱和至少部分环绕半导体柱的栅电极...
    2025-10-31
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202510855887.0
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其形成方法、电子设备；其中， 半导体结构的形成方法包括：提供基底；基底包括阵列区域， 阵列区域包括沿第一方向和第二方向排布、且沿第三方向延伸的多个有源柱；有源柱包括沟道结构， 以及位于沟道结构沿第三方向两侧...
    2025-10-31
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