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石油,煤气及炼焦工业设备的制造及其应用技术
  • 一种镀层装置及电池片蒸镀设备
    一种镀层装置及电池片蒸镀设备_宁夏小牛自动化设备股份有限公司_202423300529.3
    本申请公开一种镀层装置及电池片蒸镀设备，其中，镀层装置包括基座、加热件、坩埚和氢气输送管路，所述加热件包括依次相连的第一段、第二段和第三段，所述第一段的一端和所述第三段的一端均与所述基座连接，所述第二段开设容纳腔，所述坩埚的至少部分设于所述...
    2025-12-17
  • 盐酸沙瑞环素的新晶型及其制备方法
    盐酸沙瑞环素的新晶型及其制备方法_上海迪赛诺化学制药有限公司_202410745528.5
    本发明提供一种盐酸沙瑞环素的新晶型(晶型II)及其制备方法。所述晶型II的X‑射线粉末衍射图谱包括3个或3个以上选自下组的2θ值：9.0±0.2°、14.8±0.2°、20.6±0.2°、21.5±0.2°、22.5±0.2°、25.1±0...
    2025-12-17
  • 用于显示装置的沉积系统
    用于显示装置的沉积系统_三星显示有限公司_202422587801.4
    本公开涉及用于显示装置的沉积系统。用于显示装置的沉积系统包括：工艺室，包括沉积区域部和沉积备用部；沉积源装置，可移动地安装在沉积备用部和基底台之间，其中，安装在基底台上的基底在沉积区域部上方并以线性形式布置；沉积防止单元，设置在沉积源装置和...
    2025-12-17
  • 一种硅基电子特气用钢制无缝气瓶钝化系统及其方法
    一种硅基电子特气用钢制无缝气瓶钝化系统及其方法_洛阳中硅高科技有限公司_202311712010.3
    本发明公开一种硅基电子特气用钢制无缝气瓶钝化系统及方法，包括钝化管道，所述钝化管道设置有气瓶接口、合格产品接口、真空接口、保护气接口和废液排口，气瓶，所述气瓶瓶阀向下倒置竖立设置，且所述气瓶瓶阀与所述气瓶接口连通，用于向气瓶中通入合格产品、...
    2025-12-17
  • 一种铜蛋白的制备方法及应用
    一种铜蛋白的制备方法及应用_河北协同化学有限公司_202511282765.3
    本发明涉及一种铜蛋白的制备方法及应用，属于新型肥料增效剂的技术领域，包括以下步骤：S1.以含铜物质为原料，或以含铜物质与含锌物质的混合物为原料，将原料低温溶解于氨水中，得到反应液，浓缩，得到蛋白合成液；S2.将聚琥珀酰亚胺与水混合，搅拌均匀...
    2025-12-17
  • 一种硬质合金烧结过程中碳含量的控制方法
    一种硬质合金烧结过程中碳含量的控制方法_武汉新锐合金工具有限公司_202511335825.3
    本发明公开了一种硬质合金烧结过程中碳含量的控制方法，包括：S1、选取设定重量的预烧坯投入高压烧结炉；S2、在真空环境下，将高压烧结炉内烧结升温至第一温度200‑400℃，再朝高压烧结炉内按照设定流量8‑20slm通入氢气，并根据高压烧结炉内...
    2025-12-17
  • 一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS2薄膜材料及其制备方法
    一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS2薄膜材料及其制备方法_宁夏大学_202511272632.8
    本发明涉及一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS2薄膜材料及其制备方法，属于二维磁性半导体材料技术领域，其技术要点为：该材料的化学式为Mo1‑xMnxS2，通过在Si(100)基底上沉积MoSe2缓冲层，引入与Mo1‑xMnxS2之间的晶格失配，...
    2025-12-17
  • 一种掩膜版
    一种掩膜版_浙江众凌科技有限公司_202511613665.4
    本发明涉及显示技术领域，提供了一种掩膜版，包括：像素区、净空区及标识区，像素区包括多个像素通孔，净空区包围标识区，净空区的外部被多个像素通孔包围；掩膜版包括沿厚度方向相对的第一面及第二面，净空区的第一面一侧设置多个第一凹槽，净空区的第二面一...
    2025-12-17
  • 一种掩膜版
    一种掩膜版_浙江众凌科技有限公司_202511613666.9
    本发明涉及显示技术领域，提供了一种掩膜版，包括：像素区、净空区及标识区，净空区包围标识区，净空区的外部被多个像素通孔包围；包括沿厚度方向相对的玻璃面和蒸镀面，净空区的蒸镀面设置多个凹槽，净空区的平均单位体积剩余占比的取值区间随着像素区的平均...
    2025-12-17
  • 一种氢氰化反应方法
    一种氢氰化反应方法_中国天辰工程有限公司_202411356253.2
    本发明提供一种氢氰化反应方法，所述氢氰化反应方法在包含芳香胺的反应体系中、在镍‑双齿亚磷酸酯配体催化剂的作用下进行，所述芳香胺的结构为：其中，X1‑X3基团和Y1‑Y3基团分别包括氢、烷基、烷氧基、烷胺基、羟基、氨基中的任一种。本发明氢氰化...
    2025-12-17
  • 金属掩膜版
    金属掩膜版_浙江众凌科技有限公司_202511613662.0
    本申请提供了一种金属掩膜版。该金属掩膜版包括：有效区、夹持区和过渡区。夹持区间距设置于有效区沿第一方向的至少一端；夹持区包括：位于沿第二方向的至少一端的夹爪区；第二方向与第一方向相交，且均平行于金属掩膜版；过渡区设置于有效区和夹持区之间；过...
    2025-12-17
  • 一种芳胺类有机化合物、混合物、组合物以及有机电子器件
    一种芳胺类有机化合物、混合物、组合物以及有机电子器件_广州华睿光电材料有限公司_202511665396.6
    本申请实施例公开了一种芳胺类有机化合物、混合物、组合物以及有机电子器件，该芳胺类有机化合物的结构由通式(1)表示，可作为发光辅助材料用于有机电子器件的制备。该化合物能够显著提升器件的发光效率和使用寿命，且在使用过程中可维持较低的驱动电压。通...
    2025-12-17
  • 一种球墨铸铁铸造用合金添加装置
    一种球墨铸铁铸造用合金添加装置_溧阳市虹翔机械制造有限公司_202511332977.8
    本发明公开了一种球墨铸铁铸造用合金添加装置，属于铸造技术领域，其包括包括防护机构，所述防护机构上装配有添加机构，所述防护机构包括装配板，所述装配板上穿设安装有下导管，所述装配板的下方设置有活动盖组件，所述活动盖组件上设置有交叉式防护组件。该...
    2025-12-17
  • 一种提高17-4PH钢冲击韧性的增材制造工艺
    一种提高17-4PH钢冲击韧性的增材制造工艺_西安建筑科技大学_202511266458.6
    本发明公开了一种提高17‑4PH钢冲击韧性的增材制造工艺，属于增材制造技术领域，本发明通过调控增材制造工艺参数(激光功率和扫描速度)，降低铁素体的含量及其网状倾向，从而提高17‑4PH钢的冲击韧性。本发明制备得到的增材制造构件的室温冲击韧性...
    2025-12-17
  • 一种发泡型导热液体硅橡胶及其制备方法和应用
    一种发泡型导热液体硅橡胶及其制备方法和应用_浙江天易新材料有限公司_202511659512.3
    本发明公开一种发泡型导热液体硅橡胶及其制备方法和应用。所述发泡型导热液体硅橡胶由A组分与B组分组成；A组分包括重量份的原料：乙烯基硅油100份、羟基硅油5～10份、铂催化剂0.3～0.5份、改性白炭黑10～15份、蓬松导热粉40～45；氢氧...
    2025-12-17
  • 一种具有均匀孔结构的低氯TATB晶体及其制备方法
    一种具有均匀孔结构的低氯TATB晶体及其制备方法_南京理工大学_202511313996.6
    本发明公开了一种具有均匀孔结构的低氯TATB晶体的制备方法，包括以下步骤：将粗TCTNB溶解在甲苯中，过滤去除甲苯不溶物，得到TCTNB溶液；通入氮气排出反应器内空气，将TCTNB溶液转入反应器中，加入去离子水，密封升温，然后通入氨气进行反...
    2025-12-17
  • 有机化合物、混合物、组合物、有机电子器件和显示面板
    有机化合物、混合物、组合物、有机电子器件和显示面板_广州华睿光电材料有限公司_202511106696.0
    本申请涉及一种有机化合物、混合物、组合物、有机电子器件和显示面板，所述有机化合物的结构式如下所示：本申请提供的有机化合物可以作为蓝光主体材料应用于有机电子器件中，以实现提高器件的使用寿命以及降低器件的电压。
    2025-12-17
  • 一种采用激光熔化沉积制备B4C/Ti6Al4V复合材料的方法及其应用
    一种采用激光熔化沉积制备B4C/Ti6Al4V复合材料的方法及其应用_哈尔滨工程大学_202511125688.0
    本发明公开了一种采用激光熔化沉积制备B4C/Ti6Al4V复合材料的方法及其应用，属于增材制造的技术领域。本发明将65～73μm的B4C粉末与45～75μm球形Ti6Al4V合金粉末采用激光熔化沉积技术制备B4C、TiB和TiC三者协同增强...
    2025-12-17
  • 低浓度瓦斯可燃化调整发电系统
    低浓度瓦斯可燃化调整发电系统_上海聚然智能科技有限公司_202511254720.5
    本发明涉及能源领域，低浓度瓦斯可燃化方法，是利用氮分子筛，将瓦斯中的氮气分离出来，从而提高剩余部分中甲烷的含量。本发明通过分离低浓度瓦斯中的氮气的方式，提高甲烷的浓度，获得高浓度瓦斯，从而解决低浓度瓦斯无法利用的问题。
    2025-12-17
  • SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法
    SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511676037.0
    本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法，属于半导体领域，本发明首先将NMOS和PMOS的有源区分别设置在各自最佳方向上，然后将PMOS进行下沉设置，使得两种晶体管的有源区错开设置以提高散热能力；并且本发明为了制作上述结构...
    2025-12-17
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