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  • 本申请涉及一种通信方法、装置及系统。该方法中,第一信息能够指示第一资源,由于第一资源包括下行DMRS占用的资源,UE根据接收的第一信息能够确定下行DMRS占用的资源,那么如果网络设备调度的第二资源与第一资源重叠时,UE可以在第二资源中除第一...
  • 本申请公开了一种配置方法、装置、设备及存储介质。其中,所述方法包括:网络设备为多个终端共同配置第一集合;或者,为所述多个终端分别配置第二集合;其中,所述第一集合和所述第二集合均用于指示在所述多个终端进行PUSCH传输时不能用于映射所述PUS...
  • 本申请实施例公开一种侧行链路通信方法及通信装置,该方法可应用于SL FR2通信场景,使得接收端设备在同一时间内可以尽可能多的高质量接收来自不同发送端设备的信息,进而有助于提高SL通信的性能。该方法可包括:向第二终端设备发送第一波束信息和/或...
  • 一种信息传输方法及装置,该信息传输方法中,SF网元基于第一信息和对感知业务的需求,确定需要调整为感知业务分配的传输资源;第一信息包括以下一项或多项:错误事件信息、错误事件比例、或不满足需求的性能参数,第一信息是基于与感知业务对应的感知数据确...
  • 一种通信方法及装置,可用于数据传输中,通过从包括至少两类时间单元的时间段中选择合适的时间单元进行数据传输,以满足业务低时延需求,提高用户体验。该方法包括:第一通信装置和第二通信装置确定包括至少两类时间单元的时间段的结构,时间单元对应的频域资...
  • 本申请提供一种通信方法及通信装置。该方法中,感知功能网元可以配置感知业务信息,从而建立感知功能网元与应用功能网元之间的传输通道。并且,建立感知功能网元与应用功能网元之间的传输通道后,该传输通道可以用于传输感知业务,从而实现在运营商网络中提供...
  • 本发明涉及金属板料加工技术领域,尤其是涉及一种基于搭接法改善带孔或变截面板料电阻加热温度均匀性的方法。针对带孔板料和变截面板料,通过搭接的方式改善板料孔周及截面变化区域的温度均匀性。即对于带孔板料,通过在孔上方覆盖金属贴片,使孔周多余的电流...
  • 一种指示灯控制电路及其控制方法。指示灯控制电路包含电源、延时控制电路、发光二极管、晶体管以及灯控芯片;延时控制电路连接电源并包含延时电阻及延时电容;发光二极管耦接电源;晶体管耦接延时控制电路、发光二极管以及灯控芯片;当电源开启时,晶体管与发...
  • 本发明提供一种设置电子元件于排线的方法及设置有电子元件的排线。该方法,包含下列步骤:提供一排线,排线具有第一线路及绝缘层,绝缘层包覆第一线路。切断排线中的第一线路及绝缘层,以形成第一开孔,切断后的第一线路形成第一线段及第二线段。于第一开孔的...
  • 本申请实施例公开了一种电路板组件及通信设备,涉及通信技术领域,解决了现有两个电路板组装为大尺寸电路板误差较大的问题。该电路板组件包括至少两个电路板、第一连接梁及定位销。其中,至少两个电路板包括第一电路板和第二电路板,第一电路板的第一侧面设有...
  • 本申请公开一种复合式线路板结构及其制造方法。所述复合式线路板结构包含一陶瓷板体、形成于所述陶瓷板体的一厚线路层及形成于所述陶瓷板体的一薄线路层。所述厚线路层的厚度不小于200微米,并且所述薄线路层的厚度介于1微米~150微米之间。所述薄线路...
  • 本发明涉及一种PCBA印制板连接器压接定位装置,包括:第一装置板,其上设有第一卡合部和至少两个定位孔,所述第一卡合部和定位孔分别位于第一装置板的两边;第二装置板,其上设有滑槽和两个限位块安装杆,所述滑槽呈条形,且所述滑槽的一侧设有多个与之连...
  • 本发明公开了一种电子装置,包括第一壳体、第二壳体,所述的第一壳体和第二壳体之间设置有主板,所述的主板上设置有复数个电子元件;所述的主板与第二壳体之间设置有散热结构,所述的散热结构被配置为将所述的电子元件散发的热量从所述的第二壳体散发,所述的...
  • 本申请公开了一种电子设备,涉及设备散热技术领域,能够降低电子设备的电子元器件出现短路的风险,从而降低电子设备损坏的风险。该电子设备包括箱体、发热部件、盖体以及驱动装置。箱体形成具有开口的安装腔,发热部件设置于安装腔内。盖体与箱体连接,且盖体...
  • 本申请公开一种电子设备,属于电子设备设计技术领域。所公开的电子设备包括设备本体、盖体、发热器件和风扇,所述设备本体和所述盖体相连,以围成安装空间,所述发热器件和所述风扇均设于所述安装空间内;所述安装空间内设有环形导流通道,所述环形导流通道沿...
  • 本公开涉及半导体器件结构设计领域,特别涉及一种存储器及存储器的形成方法,存储器包括:第一半导体结构,第一半导体结构包括第一基底、于第一基底上多层堆叠设置的存储阵列和位于存储阵列上的第一布线互连层;第一布线互连层包括位于存储阵列顶部的第一接触...
  • 本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器,半导体结构包括:第一字线,沿第一方向延伸;半导体层,所述半导体层环绕第一字线的部分侧面,半导体层包括:沟道区以及位于沟道区两侧的源漏区,沟道区以及源漏区绕第一字线的侧面周向排列;第二字...
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构的制造方法,包括:提供基底,基底包括阵列区;形成多个有源柱,有源柱位于阵列区上,有源柱沿第一方向和第二方向排列,有源柱沿第三方向延伸;形成字线,字线沿第一方向延伸,在沿第一方向上,字线覆盖多个有...
  • 本申请实施方式提供了一种半导体结构、存储器系统以及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括:第一堆叠结构;存储柱,贯穿第一堆叠结构,并包括由外向内依次设置的存储功能层和第一导电柱;第一绝缘层,覆盖于第一导电柱的端面;第一导电层,位于第一绝缘层...
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底中形成有第一掺杂区域、第二掺杂区域和隔离结构,所述隔离结构在所述半导体衬底中沿X方向延伸,所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的掺杂类型相反;伪掩埋栅极结构,位于所述半...
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