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最新专利技术
  • 2-羟基-6-甲氧基苯甲酸酯衍生物、其制法及药物组合物与用途
    2-羟基-6-甲氧基苯甲酸酯衍生物、其制法及药物组合物与用途_中国医学科学院药物研究所_202410308871.3
    本发明属于生物医药领域，涉及2‑羟基‑6‑甲氧基苯甲酸酯衍生物、其制法及药物组合物与用途，具体涉及到一类如通式(I)所示的2‑羟基‑6‑甲氧基苯甲酸酯衍生物及其药学上可接受的盐，并公开了该类化合物单体或药用组合物在制备治疗和/或预防肝脏相关...
    2025-10-30
  • 一种酮洛芬赖氨酸盐的制备方法
    一种酮洛芬赖氨酸盐的制备方法_九洲药业(杭州)有限公司_202410303472.8
    本发明提供了一种粒度可控的酮洛芬赖氨酸盐的生产方法。具体为由酮洛芬溶解在乙醇中，与相同摩尔当量的赖氨酸水溶液反应成盐；所得产品不仅保持了酮洛芬的生理活性和生物利用度，而且可溶解于水。本发明的方法反应的温度条件较易达到，操作简单，有效实现D(...
    2025-10-30
  • 一种氯硅烷中杂质去除的方法
    一种氯硅烷中杂质去除的方法_新特能源股份有限公司_202410312856.6
    本发明公开一种氯硅烷中杂质去除的方法，包括：在合成或冷氢化制备氯硅烷过程时，向硅粉原料中加入添加剂，利用添加剂与合成或冷氢化反应过程中的氯化氢在反应器中反应生成液态络合物和/或固态纳米络合物，使氯硅烷中的金属和非金属杂质的氯化物与所述络合物...
    2025-10-30
  • 一种氯化铵辅助热处理提纯碳纳米管的方法
    一种氯化铵辅助热处理提纯碳纳米管的方法_中国科学院金属研究所_202410308361.6
    本发明涉及碳纳米管提纯技术领域，具体为一种氯化铵辅助热处理提纯碳纳米管的方法。首先对碳纳米管薄膜进行低温空烧处理，除去无定形炭，同时将金属催化剂颗粒氧化成金属氧化物；将空烧后的碳纳米管与过量氯化铵粉末一起在惰性气氛下热处理，氯化铵受热分解成...
    2025-10-30
  • 车辆漂浮状态的确定方法、控制器、车辆及存储介质
    车辆漂浮状态的确定方法、控制器、车辆及存储介质_比亚迪股份有限公司_202410310584.6
    本公开涉及一种车辆漂浮状态的确定方法、控制器、车辆及存储介质，涉及车辆技术领域。可以通过一个或多个维度确定车辆的漂浮状态。所述方法包括：确定车辆的特征参数，所述特征参数包括所述车辆的车轮所处位置的水深、所述车辆的车轮的悬架高度、所述车辆的车...
    2025-10-30
  • 电池极柱结构成型方法及电池极柱结构
    电池极柱结构成型方法及电池极柱结构_江苏瑞德丰精密技术股份有限公司_202410306115.7
    本发明实施例公开了一种电池极柱结构成型方法及电池极柱结构，获取棒料；镦压或者挤压所述棒料，以获取胚料；所述胚料包括第一端和第二端，所述第一端的截面尺寸大于所述第二端的截面尺寸；沿第一方向镦压所述胚料，以获取所述第一端形成柱状结构的极柱本体部...
    2025-10-30
  • 一种多肽在制备治疗伤口愈合困难药物中的应用
    一种多肽在制备治疗伤口愈合困难药物中的应用_中国医学科学院药物研究所_202410304337.5
    本发明属于医药技术领域，公开了一种多肽在制备治疗伤口愈合困难药物中的应用。所述的伤口包括各种原因导致的急慢性伤口，选自糖尿病性伤口及溃疡、创伤性伤口及溃疡、压力性伤口及溃疡、缺血性伤口及溃疡、静脉性伤口及溃疡、动脉性伤口及溃疡。本发明的有益...
    2025-10-30
  • 双环醇与汉防己甲素联用在制备矽肺纤维化药物中的应用
    双环醇与汉防己甲素联用在制备矽肺纤维化药物中的应用_中国医学科学院药物研究所_202410308838.0
    本发明属于医药技术领域，公开了双环醇与汉防己甲素联用在制备矽肺纤维化药物中的应用。
    2025-10-30
  • 电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置
    电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置_国立大学法人东北大学_202480012998.9
    本发明提供一种能够获得优异的OTS特性的电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置。电阻变化材料是含有Te的电阻变化材料，在将施加了阈值电压的1/2的电压时的电流密度设为OFF电流密度时，OFF电流密度为3.1×10...
    2025-10-30
  • 电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置
    电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置_国立大学法人东北大学_202480013021.9
    本发明提供一种能够获得稳定的开关作用的电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置。本发明的电阻变化材料，以原子％计含有40％～90％的Te、大于0％且小于等于40％的Ge、大于0％且小于等于40％的Ga，其中，在利用X射线光电...
    2025-10-30
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480012562.X
    [技术问题]为了实现更高的分辨率和提高拍摄图像的图像质量。[技术方案]一种光检测装置包括：其上布置有多个像素的第一基板；其上布置有多个第一像素电路和多个第二像素电路的第二基板；和其上布置有逻辑电路的第三基板，其中第一基板、第二基板和第三基板...
    2025-10-30
  • 作为薄CAR的底层以改良图案转移的EUV敏感金属氧化物材料
    作为薄CAR的底层以改良图案转移的EUV敏感金属氧化物材料_应用材料公司_202480016308.7
    本文所公开的实施方式包括一种图案化基板的方法。在实施方式中，所述方法包括在基板之上沉积金属氧代层，并在所述金属氧代层之上涂覆化学放大抗蚀剂(CAR)。在实施方式中，所述方法进一步包括曝光所述CAR，并显影所述CAR以在所述CAR中形成图案。...
    2025-10-30
  • FGFR2和FGFR3的抑制剂及其用途
    FGFR2和FGFR3的抑制剂及其用途_英矽智能科技知识产权有限公司_202480015716.0
    本文描述了FGFR2和FGFR3抑制剂以及包含所述抑制剂的药物组合物。所述化合物和组合物可用于治疗与FGFR2和/或FGFR3相关的疾病或障碍。
    2025-10-30
  • 能够离网操作的EV充电电站、用于EV充电电站的控制系统以及管理EV充电电站的电源的方法
    能够离网操作的EV充电电站、用于EV充电电站的控制系统以及管理EV充电电站的电源的方法_金赛尔有限公司_202480003629.3
    一种EV充电电站包括一或多个充电器，以及作为电源的一或多个氢动力燃料电池及一或多个蓄电池以及任选地与电网、光伏设备或风力设备中的一或多者的连接。所述站进一步包括经配置以控制及管理所述电源的控制系统。所述控制系统考虑到以下各项中的一或多者：电...
    2025-10-30
  • 包括加热器的气溶胶生成装置
    包括加热器的气溶胶生成装置_韩国烟草人参公社_202480016096.2
    气溶胶生成装置可以包括：腔体，其配置为容纳气溶胶生成制品；以及加热器，其配置为加热所述气溶胶生成制品，其中，所述加热器包括：等离子放电空间；隔板，其配置为分隔所述腔体和所述等离子放电空间；以及多个等离子电极，其设置在所述隔板上。
    2025-10-30
  • 半导体结构的制造方法、半导体结构以及存储器系统
    半导体结构的制造方法、半导体结构以及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410318720.6
    本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构以及存储器系统。该半导体结构的制造方法包括：形成第一介电层和贯穿第一介电层的牺牲结构；在第一介电层的一侧形成牺牲层；形成贯穿牺牲层和第一介电层的电容孔；在电容孔中形成导电柱；以及去除牺牲...
    2025-10-30
  • 显示面板、显示面板的制备方法及电子设备
    显示面板、显示面板的制备方法及电子设备_合肥维信诺科技有限公司_202410337322.9
    本申请实施例提供的一种显示面板、显示面板的制备方法及电子设备，涉及显示技术领域，该显示面板包括显示区和堤坝区，显示面板包括衬底、至少一个导电层、绝缘层和触控层。至少一个导电层位于衬底的一侧，导电层包括信号走线；绝缘层位于至少一个导电层远离的...
    2025-10-30
  • 一种叠层有机电致发光器件及显示装置
    一种叠层有机电致发光器件及显示装置_合肥鼎材科技有限公司_202410314980.6
    本发明提供一种叠层有机电致发光器件及显示装置，所述叠层有机电致发光器件包括m个发光单元，m为≥2的整数；每个发光单元包括发光层和电子传输层，每个电子传输层包括第一电子传输材料；至少一个第i个发光单元中的第一电子传输材料的电子迁移率≥1.0×...
    2025-10-30
  • 一种通孔刻蚀方法及CMOS图像传感器
    一种通孔刻蚀方法及CMOS图像传感器_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410316116.X
    本申请公开了一种通孔刻蚀方法及CMOS图像传感器，属于半导体制造领域，该方法包括：提供一个待刻蚀的衬底；衬底表面预先沿厚度方向依次设置上层金属层、阻挡层、层间介质层、上电极层和光刻胶层；上电极层设置在预设的像素区域；曝光显影光刻胶层，在非像...
    2025-10-30
  • CMOS结构及其形成方法
    CMOS结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410317327.5
    一种CMOS结构及其形成方法，其中CMOS结构包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构沿第一方向延伸，所述栅极结构包括相邻的第一栅极和第二栅极以及位于第一栅极和第二栅极之间的防扩散结构，所述第一栅极、第二栅极和所述防扩散结构沿第一...
    2025-10-30
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