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最新专利技术
  • 一种宽安全工作区功率器件及制备方法
    一种宽安全工作区功率器件及制备方法_华羿微电子股份有限公司_202510869894.6
    本发明公开了一种宽安全工作区功率器件及制备方法， 该器件包括：金属层、绝缘层、多晶硅、多个接触孔、接触孔注入层、接触孔修饰层；接触孔为连接金属层和多晶硅的垂直通道， 接触孔注入层位于接触孔的孔底；接触孔修饰层覆盖于接触孔注入层外表面， 接触...
    2025-10-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511135008.3
    一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构包括：基底；漂移区， 位于基底中， 漂移区中具有第一型掺杂离子， 漂移区包括多个掺杂离子浓度不同的子漂移区， 靠近基底顶面一侧的任一子漂移区位于相邻的另一子漂移区中， 且沿基底底面指向基底顶面的方向，...
    2025-10-30
  • 具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法
    具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法_德州仪器公司_202411912177.9
    本公开描述了具有交替绝缘层的半导体装置及其制造方法。例如， 一种半导体装置(100)包含半导体层(108)、设置在所述半导体层(108)中的漏极区(110)、设置在所述半导体层(108)中的源极区(114)、设置在所述漏极区(110)与所述...
    2025-10-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331156.1
    一种半导体结构及其形成方法， 所述形成方法包括：提供基底；在所述基底内形成相邻接的阱区和漂移区， 在阱区和漂移区交界处的所述基底上形成栅极结构， 对所述栅极结构掺杂离子， 用于调节栅极结构表面的电场， 在所述栅极结构一侧的所述阱区中形成源极...
    2025-10-30
  • 一种碳化硅场效应晶体管及其制造方法
    一种碳化硅场效应晶体管及其制造方法_安建科技有限公司_202510969883.5
    本发明提供了一种碳化硅场效应晶体管及其制造方法， 其中碳化硅场效应晶体管包括从下往上依次层叠有漏极金属层、衬底、外延层、掺杂层及源极金属层， 外延层的上表面设有沿第一方向布设的第一深埋区， 掺杂层包括元胞沟槽， 元胞沟槽沿第一方向延伸设置，...
    2025-10-30
  • 一种无掺杂隧穿结线隧穿场效应晶体管及其制备方法
    一种无掺杂隧穿结线隧穿场效应晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202510853532.8
    本发明公开了一种无掺杂隧穿结线隧穿场效应晶体管及其制备方法。该线隧穿场效应晶体管包括：衬底、漏极、N+Si层、SiO2隔离、本征Si、L型金属结构、本征Ge、栅极、第一氧化层和第二氧化层；在衬底上的N+Si层的两侧堆叠漏极；N+Si层的上方...
    2025-10-30
  • 用于改进的全环栅晶体管性能的堆叠体内纳米带厚度调整
    用于改进的全环栅晶体管性能的堆叠体内纳米带厚度调整_英特尔公司_202510222562.9
    本文描述了涉及全环栅场效应晶体管的器件、晶体管结构、系统和技术， 该全环栅场效应晶体管具有纳米带(即， 半导体结构)的堆叠体， 这些纳米带具有被调整为跨越堆叠体而变化的厚度。纳米带源极到漏极长度是从分别与源极结构的源极界面到与漏极结构的漏极...
    2025-10-30
  • 堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体
    堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体_英特尔公司_202510222237.2
    公开了堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体。集成电路包括带状或线状(RoW)晶体管堆叠结构， 该结构包括具有相同导电类型的多个单独源极和/或漏极材料主体。金属化部与源极和/或漏极材料主体中的单独材料主体界面相接， 实现了更大的界面面积以降低接触...
    2025-10-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331412.7
    一种半导体结构及其形成方法， 形成方法包括：提供衬底， 衬底上形成有沟道凸起结构以及横跨沟道凸起结构的栅极结构；在栅极结构两侧的沟道凸起结构中形成初始源漏掺杂层；在栅极结构的延伸方向上， 在沟道凸起结构侧部的位置处对初始源漏掺杂层进行去除操...
    2025-10-30
  • 一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法
    一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法_深圳市芯控源电子科技有限公司_202510922483.9
    本申请公开的属于半导体技术领域， 具体为一种集成式高压半导体器件结构， 包括器件元胞单元， 所述器件元胞单元包括漏极金属、设置在漏极金属上的衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层上的P‑body基区、设置在P‑body基区上的第一P+区和...
    2025-10-30
  • 一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法
    一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法_江苏能华微电子科技发展有限公司_202511196525.1
    本发明属于功率电子器件技术领域， 具体涉及一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法。本发明提供的高动态稳定性高耐压GaN功率器件， 在硅衬底上增设阻挡层， 由于阻挡层的材料为绝缘材料， 衬底中的电子不能穿过阻挡层， 因此阻止了衬底电...
    2025-10-30
  • 一种源场板连接的P-N结结场板GaN功率器件
    一种源场板连接的P-N结结场板GaN功率器件_山东大学_202511138179.1
    本发明涉及一种源场板连接的P‑N结结场板GaN功率器件， 属于半导体器件技术领域， 自下而上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层， AlGaN势垒层两侧分别设置源电极和漏电极， AlGaN势垒...
    2025-10-30
  • 氮化物半导体器件
    氮化物半导体器件_安建科技有限公司_202510965498.3
    氮化物半导体器件， 本发明涉及基于氮化物半导体材料的功率器件， 本发明通过在栅极结构和漏极接触孔之间的氮化物半导体层中设置Z方向周期性排列的沟槽， 器件导通时， 电流方向为X方向， Y‑Z面内的电流通路面积增大， 有利于降低电阻。
    2025-10-30
  • 氮化镓电子器件及其制备方法
    氮化镓电子器件及其制备方法_苏州纳维科技有限公司_202510896845.1
    本发明公开了一种氮化镓电子器件及其制备方法， 属于半导体技术领域， 氮化镓电子器件包括：氮化镓衬底以及设置于氮化镓衬底上的半导体结构层；氮化镓衬底中具有浅能级施主杂质与深能级受主杂质， 深能级受主杂质用于补偿浅能级施主杂质， 且深能级受主杂...
    2025-10-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_苏州华太电子技术股份有限公司_202510889923.5
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备。该半导体器件包括异质结结构和栅极结构， 栅极结构设置于异质结结构上， 且栅极结构包括层叠设置的第一半导体层和栅极， 第一半导体层设置于异质结结构上；第一半导体层的导电类型为P型， 且第一半导体...
    2025-10-30
  • 半导体结构及形成方法
    半导体结构及形成方法_新唐科技股份有限公司_202510318618.0
    本发明提供半导体结构及形成方法。半导体结构包括基板、通道层、阻挡层、第一化合物半导体层、第二化合物半导体层、栅极电极、导电部分及源极电极与漏极电极。通道层设置于基板上。阻挡层设置于通道层上。第一化合物半导体层设置于阻挡层上。第二化合物半导体...
    2025-10-30
  • 半导体器件制备方法及半导体器件
    半导体器件制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511214140.3
    本发明公开一种半导体器件制备方法及半导体器件， 所述方法包括下列步骤：提供衬底， 所述衬底包括第一区域和第二区域， 其中， 所述第一区域用于在其上形成栅极， 所述第二区域用于形成源漏区；在所述衬底上形成牺牲层；蚀刻所述牺牲层以形成凹槽， 所...
    2025-10-30
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511150899.X
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法， 包括：提供第一导电类型的半导体衬底；于半导体衬底上方形成漂移区；于漂移区中同步形成第一沟槽及第二沟槽， 其中， 第二沟槽在第一方向上位于第二沟槽两侧， 且第一沟槽的开口宽度大于第二沟槽的开口宽度， 第...
    2025-10-30
  • 一种p型二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备方法
    一种p型二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备方法_原集微科技(上海)有限公司_202511141292.5
    本发明公开了一种p型二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备方法， 制备方法包括在二维半导体材料表面制备源极和漏极， 再定义二维半导体沟道区域并刻蚀去除沟道区域之外的二维半导体材料， 再制备p型种子层、栅介质层和栅极， p型种子层覆盖晶体管范围内...
    2025-10-30
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_广东芯粤能半导体有限公司_202510914892.4
    本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底， 并于衬底上形成外延层；形成初始介质层， 初始介质层内具有贯穿至外延层顶面的第一连接槽；形成第一连接层及位于第一连接层内的第一隔离槽， 第一连接层覆盖初始介质层的部分顶面并...
    2025-10-30
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