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最新专利技术
  • 电力电子系统
    电力电子系统_台达电子工业股份有限公司_202411871523.3
    本案提供一种电力电子系统，包含多个功率器件及导体。导体架构于连接多个功率器件，且在导体的表面上包含阻尼部分。阻尼部分至少部分由阻尼材料形成，阻尼材料在不同频率下具有不同的电阻值，且阻尼材料在高于1MHz的频率下的相对导磁率大于1。阻尼部分形...
    2026-03-01
  • 使用单个模/数转换器单元的正交信号处理器
    使用单个模/数转换器单元的正交信号处理器_恩智浦有限公司_202411865147.7
    本公开涉及使用单个模/数转换器单元的正交信号处理器。呈现了一种用于处理接收到的正交信号的系统和方法。将接收到的信号处理成同相分量和正交分量。复用器在输出端处交替地输出模拟同相分量信号和模拟正交分量信号作为复用器输出信号。模/数转换器对所述信...
    2026-03-01
  • 用于网络拥塞控制的系统、设备和方法
    用于网络拥塞控制的系统、设备和方法_迈络思科技有限公司_202411870381.9
    本发明公开了用于网络拥塞控制的系统、设备和方法。本文描述的一些实施例提供了一种使用每跳遥测数据减少网络中拥塞的方法以及实现这种方法的网络适配器。与传统的拥塞控制机制相比，该方法可以包括：在每跳的基础上在流之间共享遥测数据以加速多流网络环境中...
    2026-03-01
  • 可折叠设备上的IMU性能提升
    可折叠设备上的IMU性能提升_意法半导体国际公司_202411866518.3
    本公开涉及可折叠设备上的IMU性能提升。一种可折叠电子设备包括通过铰链可旋转地被耦合在一起的第一盖和第二盖。第一惯性测量单元(IMU)在第一盖中被实施，并且生成第一传感器数据。第二IMU在第二盖中被实施，并且生成第二传感器数据。传感器处理单...
    2026-03-01
  • 空间音频处理
    空间音频处理_诺基亚技术有限公司_202411869047.1
    本发明涉及空间音频处理。本公开的示例涉及空间音频处理。一种装置基于来自至少两个麦克风的信号，获得至少两个音频信号。该装置针对至少第一频率范围，执行所获得的音频信号的第一空间音频处理以生成第一输出，以及针对至少第二频率范围，执行所获得的音频信...
    2026-03-01
  • 利用机器学习算法确定耳机的声质量
    利用机器学习算法确定耳机的声质量_索诺瓦公司_202411866859.0
    一种用于确定要插入用户的耳朵中的耳机(14)的声质量(26)的方法，包括：接收至少包括用户的听力图的用户数据(22)；以及，将用户数据(22)输入到机器学习算法(24)中，并且通过所述机器学习算法(24)来确定声质量(26)。
    2026-03-01
  • 包括用于声音传输的机械元件的听力设备
    包括用于声音传输的机械元件的听力设备_索诺瓦公司_202411869078.7
    本公开涉及一种听力设备，所述听力设备被配置为佩戴在用户的耳朵上，所述听力设备包括：‑配置为至少部分地插入耳道的声音输送(SD)部件(20、50、100、120)，所述SD部件(20、50、100、120)包括声管(58)，所述声管(58)具...
    2026-03-01
  • 用于激活车辆功能的方法以及相关联的激活设备
    用于激活车辆功能的方法以及相关联的激活设备_大陆汽车科技有限公司_202411869423.7
    本发明涉及激活车辆功能的方法，车辆事先配备有车辆对车辆通信装置，包括步骤：a)根据预定义标准从该多个车辆中选择主车辆和从属车辆，b)使每个从属车辆向该主车辆发送特定标识符，c)使该主车辆向每个从属车辆发送将这些从属车辆的轮询阶段置于待机的指...
    2026-03-01
  • 装置、方法和计算机程序
    装置、方法和计算机程序_诺基亚技术有限公司_202411868278.0
    提供了一种读取器设备，包括：用于从接入节点接收第一信息的部件，其中第一信息用于从环境物联网IoT设备接收环境IoT响应，其中环境IoT设备由来自激活器设备的传输激活，用于基于接收到第一信息发送定位参考信号的部件，用于以下的部件：从至少一个另...
    2026-03-01
  • 信息处理装置、移动体以及记录介质
    信息处理装置、移动体以及记录介质_丰田自动车株式会社_202411863731.9
    提供一种信息处理装置、移动体以及记录介质，提高了移动体利用设备间通信进行的内容分发或者数据收集的可靠性。信息处理装置具备控制部，该控制部执行：关于一个或多个数据块的各个数据块，以删除顺序越早则作为发送目的地的第一移动体越多的方式，向一个或多...
    2026-03-01
  • 方法、装置和计算机程序
    方法、装置和计算机程序_诺基亚技术有限公司_202411868670.5
    本公开的实施例涉及方法、装置和计算机程序。提供了一种非陆地核心网络实体。该非陆地核心网络实体包括：接收来自用户设备的数据，其中该数据包括：控制平面(CP)数据、或非互联网协议递送(NIDD)数据；在非陆地核心网络实体未被连接到陆地核心网络实...
    2026-03-01
  • 碳基发热膜片及其制备方法、加热元件和加热电器
    碳基发热膜片及其制备方法、加热元件和加热电器_广东美的厨房电器制造有限公司_202411875397.9
    本发明提供了碳基发热膜片及其制备方法、加热元件和加热电器。该碳基发热膜片的材料为石墨烯，或者，碳基发热膜片包括石墨烯和助剂，所述助剂包括增强剂和电阻调节剂中的至少之一；增强剂包括碳纳米管、富勒烯、炭黑和石墨烯微片中的至少之一；电阻调节剂包括...
    2026-03-01
  • 发热膜片及其制备方法、发热管和加热电器
    发热膜片及其制备方法、发热管和加热电器_广东美的厨房电器制造有限公司_202411875407.9
    本发明提供了发热膜片及其制备方法、发热元件和加热电器。发热膜片原材料包括天然石墨、石墨烯微片或氧化石墨烯，发热膜片满足以下条件至少之一：发热膜片的厚度为0.04mm～2mm；发热膜片的密度为0.6g/cm3～1.8g/...
    2026-03-01
  • 发热膜片及其制备方法、发热管和加热电器
    发热膜片及其制备方法、发热管和加热电器_广东美的厨房电器制造有限公司_202411875414.9
    本发明提供了发热膜片及其制备方法、发热管和加热电器。所述发热膜片的原材料包括天然石墨、石墨烯微片或氧化石墨烯，1分米长度的所述发热膜片的重量为0.02～2g。由此，该发热膜片的质量较轻，远远小于金属发热管或石英管等加热管的重量，进而有助于本...
    2026-03-01
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411868605.2
    为了实现优异的性能和经济效率，期望提高半导体器件的集成度。根据本发明提供的该半导体器件，在包括垂直沟道晶体管的半导体器件中，位线被配置为双层以减小相对于沟道层的接触电阻，因此，可以改善半导体器件的电特性和产品性能。
    2026-03-01
  • 只读存储器阵列、集成电路器件及其制造方法
    只读存储器阵列、集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411871644.8
    只读存储器(ROM)阵列包括沿相应第一至第四有源区定位在半导体衬底前侧的四个ROM位的第一至第四行、在第一方向上与第一至第四有源区对齐并位于半导体衬底的第一前侧金属层中的第一至四金属线、以及在第一方向上将第一至第四有源区对齐且位于半导体衬底...
    2026-03-01
  • 竖直非易失性存储器件和包括竖直非易失性存储器件的电子装置
    竖直非易失性存储器件和包括竖直非易失性存储器件的电子装置_三星电子株式会社_202411868783.5
    提供了一种竖直非易失性存储器件以及包括该竖直非易失性存储器件的电子装置。该竖直非易失性存储器件包括：多个单元串，多个单元串中的每个单元串包括沟道层；电荷隧穿层，在沟道层上；电荷陷阱层，在电荷隧穿层上；第一电荷阻挡层，在电荷陷阱层上；第二电荷...
    2026-03-01
  • 用于制造OxRAM型电阻式存储单元的方法及相关的OxRAM型存储单元
    用于制造OxRAM型电阻式存储单元的方法及相关的OxRAM型存储单元_威比特纳米技术有限公司_202411873009.3
    本发明涉及一种用于制造OxRAM电阻式存储单元的方法，该方法包括以下步骤：‑形成TiN下电极，‑首先，以一次注入剂量和一次注入加速电压将硅原子注入到下电极中，该一次注入剂量严格为正且严格低于0.7×1014cm
    2026-03-01
  • 功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器
    功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器_LX半导体科技有限公司_202411869266.X
    本申请涉及功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器。根据实施方式的功率半导体器件包括：基板、设置在基板上的第一导电类型的外延层、设置在第一导电类型的外延层上的JFET区域、在JFET区域中彼此间隔开设置的第二导电类型的多个第二阱、设...
    2026-03-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411871656.0
    方法包括：形成包括多个半导体纳米结构的多层堆叠件。多层堆叠件包括：半导体纳米结构；以及牺牲半导体层，位于半导体纳米结构上方。方法还包括：在半导体纳米结构上方沉积接触半导体纳米结构的半导体层；去除牺牲半导体层；以及形成包围半导体纳米结构和半导...
    2026-03-01
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