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  • 本发明涉及焊接缺陷或故障检测技术领域,具体涉及基于改进的YOLOv5的缺陷或故障检测方法及装置。包括:获取包含缺陷或故障部位和无缺陷或故障部位的红外图像,构建训练样本;基于Swin Transformer的移位窗口多头自注意力机制构建改进的...
  • 本发明涉及电力产品的表面、次表面缺陷故障的检测与诊断技术领域,公开了一种高精高适应电子产品缺陷的智能检测诊断方法及系统,该方法包括:获取芯片封装和电气设备的图像数据,并根据所述图像数据建立训练数据集;分别构建适用于芯片封装和电气设备的故障检...
  • 本发明涉及机器视觉与产品缺陷可视化预测技术领域,具体涉及一种基于X射线的产品缺陷可视化预测方法及装置。本发明中,利用边缘提取和基于熵的分析来增强缺陷定位,同时解决图像噪声和非均匀强度变化的挑战,为了提高鲁棒性,采用了一种结合DBSCAN聚类...
  • 本发明公开了一种基于上采样Mamba模型的点云补全方法。该方法首先通过最远点采样和K近邻分组结合多层感知机对输入稠密点云进行特征保留式下采样。随后,利用双向Mamba编码器进行特征提取,并通过级联残差连接增强信息流。接着,采用Mamba特征...
  • 本发明涉及智能办公管理技术,其公开了一种基于UWB定位的智能办公管理系统,提高门禁识别的准确性,基于无感打卡来提升考勤效率,并基于对办公区域人员分布的实时感知实现按需能耗控制,以及提供员工久坐检测与健康提醒功能。该系统包括:UWB 定位层、...
  • 本申请提供了一种多语言识别模型训练方法、语言识别方法和电子设备,其中,该方法可以包括:针对当前识别模型的模型参数进行调整,得到更新识别模型;使用混合训练数据,对更新识别模型中的低秩矩阵参数进行训练,获得更新后的当前识别模型;其中,混合训练数...
  • 本发明涉及纳米材料界面工程与计算材料科学交叉技术领域,具体涉及一种基于分子动力学的多官能团氧化石墨烯/石墨复合模型构建及功能调控方法。本发明创新性地构建多官能团氧化石墨烯/石墨‑表面活性剂‑水三相界面模型,利用氧化石墨烯/石墨复合界面建模与...
  • 本发明公开了一种快速识别托卡马克中面对等离子体部件界面开裂损伤的方法。所述方法通过高分辨红外热像仪实时获得面向等离子体部件表面温度场分布和演化数据,利用温度演化特征参数(如升温速率、峰值温度偏差及冷却速率)进行对比分析,实现托卡马克运行期间...
  • 本发明公开了一种高温气冷堆控制棒驱动线试验装置及试验方法,试验装置包括竖向设置的由多根承压筒体连接构成的承压容器,还包括形变控制装置,承压容器为多自由度承压容器,多自由度承压容器顶部通过安装法兰与基础连接,底部安装密封法兰盖,多自由度承压容...
  • 本发明提供一种大面积刮涂柔性透明导电薄膜的制作方法,具体是一种采用大面积刮涂技术实现低成本、柔性透明导电薄膜的制备方法,通过在衬底上预先涂覆一层复合导电材料,然后再涂覆一层高导电材料并随后进行热压转印来得到高性能的柔性透明导电薄膜。本方法制...
  • 本发明涉及电阻器技术领域,尤其涉及一种车规厚膜晶片电阻器,包括:基板、设置在基板两侧的电极组件、设置在电极组件外侧的锡镀层和镍镀层,所述电极组件包括正电极,所述正电极包括0.5%的钯;所述基板上方设置有电阻层,所述电阻层上方设置有保护层;所...
  • 本发明公开了一种反激开关电源中变压器、CBB电源模块及空调器,其中该变压器包括:骨架,所述骨架具有磁芯安装部;多个绕组,其自内向外依次绕制于所述骨架上,所述多个绕组包括多个初级绕组和多个次级绕组;磁芯,其安装于所述磁芯安装部,依据几何参数K...
  • 本发明属于半导体技术领域,本申请提供的补偿降低宽禁带半导体材料掺杂激活能的方法,通过构建宽禁带半导体本征材料‑微纳结构,在所述宽禁带半导体本征材料‑微纳结构中引入掺杂剂原子,获取掺杂的效果,确定最佳掺杂位置及确定最佳掺杂温度,由于宽禁带半导...
  • 本申请提供一种芯片封装方法、封装芯片及穿戴式设备,涉及封装领域。芯片封装方法包括:获取第一晶粒、第二晶粒和基板;将所述第一晶粒设置于所述基板的表面;其中,所述第一晶粒的第一表面与所述基板贴合;通过引线键合将所述第一晶粒的第二表面与所述基板连...
  • 本发明公开了一种集合式塑封前上料设备及其工作方法,属于集合式塑封前上料设备技术领域,设置有用于定位组装的上料装置,且上料装置的上表面安装有成品工装;包括:三轴联动架,安装于所述上料装置上表面,且上料装置侧面安装有上料架,并且上料装置上表面中...
  • 本发明涉及半导体引线连框架转运技术领域,具体公开了一种半导体引线框架抓取机构转移装置,包括主体单元、搬运结构以及转送结构,所述搬运结构固定设置于主体单元上,所述转送结构可拆卸对接于主体单元右侧,且转送结构与搬运结构相对应,本发明具有多层等距...
  • 本发明公开了一种无光刻通孔阵列结构的制备方法,涉及集成电路制造领域,其包括以下步骤:在基片的正面制备包括若干阵列单元的微/纳阵列模板;在具有微/纳阵列模板的基片正面沉积介质薄膜;去除微/纳阵列模板,得到图案化的介质薄膜;以图案化的介质薄膜作...
  • 本发明提供了一种芯片散热封装结构,属于芯片封装技术领域,该发明包括封装基板、封装盖板和芯片,所述芯片的底部设置有芯片引脚,还包括:定位框,包覆散热组件;采用插槽式连接结合芯片侧壁与引出引脚接触的双重电气连接路径,当主连接失效时,备用路径可维...
  • 本申请涉及半导体领域,具体提供一种半导体器件及半导体器件制备方法,旨在解决现有技术抗辐照加固的效果有限以及保护的区域局限在隔离区而不能拓展到器件区的问题。为此目的,本申请的半导体器件包括:衬底;位于衬底中的隔离区和有源区;位于有源区和有源区...
  • 本发明公开了一种三元锂离子电池电解液及其三元锂离子电池。该三元锂离子电池电解液,包括锂盐、非水有机溶剂和添加剂,添加剂包括结构式I所示的磺酰胺吡啶嗡盐化合物和结构式II所示的硫酸乙烯酯类化合物,其中,R1~R...
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