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最新专利技术
  • 摄像头开关按钮驱动实现方法、装置、设备及存储介质
    摄像头开关按钮驱动实现方法、装置、设备及存储介质_麒麟软件有限公司_202510822933.7
    本发明公开了一种摄像头开关按钮驱动实现方法、装置、设备及存储介质，包括：构建驱动程序并集成至Linux内核；监听摄像头开关按钮的WMI事件，通过回调函数返回开关标志位信息；申请Input子系统，利用Input子系统上报WMI事件，在终端秀出...
    2026-01-31
  • 面向自取能传感器的无线组网方法、装置、设备及介质
    面向自取能传感器的无线组网方法、装置、设备及介质_北京智芯微电子科技有限公司_202510823512.6
    本公开涉及配电物联网技术领域，具体涉及公开了一种面向自取能传感器的无线组网方法、装置、设备及介质，其中，所述自取能传感器用于在收集环境能量并转化为电能后，将所述电能存储至所述自取能传感器的储能元件，所述方法包括：监测所述储能元件的储能量；基...
    2026-01-31
  • 机车重联方法
    机车重联方法_上海仁童电子科技有限公司_202510827970.7
    本申请公开了一种机车重联方法，应用于机车通信领域。方法包括：第一重联设备基于第二节点信息配置第一重联设备信息，以模拟第二机车中的第二节点；第二重联设备基于第一节点信息配置第二重联设备信息，以模拟第一机车中的第一节点；第一重联设备所模拟的第二...
    2026-01-31
  • 一种基于运动状态自适应卡尔曼滤波的密钥生成方法与系统
    一种基于运动状态自适应卡尔曼滤波的密钥生成方法与系统_东南大学_202510822568.X
    本发明公开了一种基于运动状态自适应卡尔曼滤波的密钥生成方法与系统，应用于无人机等高动态移动通信场景。方法包括：通过实时感知飞行状态(速度、加速度、姿态角)，动态计算特征指标(速度变化率、角速度)；基于预训练权重系数，将运动状态非线性映射为卡...
    2026-01-31
  • 一种6G异构网络场景下的区块链身份凭证撤销方法
    一种6G异构网络场景下的区块链身份凭证撤销方法_中国信息通信研究院_202510826988.5
    本申请公开了一种6G异构网络场景下的区块链身份凭证撤销方法。首先，针对现有的身份撤销研究方案没有充分考虑到异构网络场景下可能出现的兼容性和互操作性问题，本发明提出一个基于区块链的四层身份撤销方案架构，解决异构网络进行身份凭证撤销的兼容性和互...
    2026-01-31
  • 基于时域混合快速算法的天线辐射与互耦协同优化系统
    基于时域混合快速算法的天线辐射与互耦协同优化系统_合肥师范学院_202510819492.5
    本发明涉及无线通信技术领域，具体地说，涉及基于时域混合快速算法的天线辐射与互耦协同优化系统。该基于时域混合快速算法的天线辐射与互耦协同优化系统，系统应用于无人机群组通信系统，系统包括天线阵列单元、数据采集单元、时域混合快速算法单元、互耦计算...
    2026-01-31
  • 短波地空通信组网链路优选方法
    短波地空通信组网链路优选方法_中国人民解放军空军工程大学_202510819929.5
    公开一种短波地空通信组网链路优选方法，具体包括下列步骤：接收信号强度预测；噪声强度计算；接收信噪比计算；站点聚类分析；站点优选输出。本发明通过历史数据预测各保障链路工作频率的通信质量，动态生成参与保障的收发站点的使用效能排序，为地面呼叫用户...
    2026-01-31
  • 一种终端侧语音业务端到端时延降低方法、系统、设备及存储介质
    一种终端侧语音业务端到端时延降低方法、系统、设备及存储介质_广州海格通信集团股份有限公司_202510823884.9
    本方案公开了一种终端侧语音业务端到端时延降低方法、系统、设备及存储介质，在调度请求SR发送周期TSR是语音包发送周期T0倍数情况下，通过控制音频通路初始语音采集的时刻，保证整个语音周期，所有语音包...
    2026-01-31
  • 一种集成电路的线路板
    一种集成电路的线路板_武汉东湖学院_202510821835.1
    本发明公开了一种集成电路的线路板，涉及集成电路技术领域，包括底板和防护组件，所述底板一侧连接有柔板，所述防护组件对称设置于柔板两侧，所述防护组件包括硅胶条和加强丝，所述柔板两侧对称设置有硅胶条，且硅胶条内设置有加强丝，所述柔板靠近底板的一侧...
    2026-01-31
  • 一种覆铜板及其中间层与其制备方法和应用
    一种覆铜板及其中间层与其制备方法和应用_索罗曼(常州)合金新材料有限公司_202510826421.8
    本发明公开了一种覆铜板及其中间层与其制备方法和应用，属于覆铜板技术领域。该用于覆铜板的中间层的制备包括以下步骤：将PBO纤维与玻璃纤维进行正交编织，得到混纺纤维；PBO纤维与玻璃纤维的质量比为10:90至60:40；将混纺纤维进行改性处理，...
    2026-01-31
  • 金属基嵌入工艺、线路板及嵌入式金属基产品
    金属基嵌入工艺、线路板及嵌入式金属基产品_深南电路股份有限公司_202510828709.9
    本发明公开了一种金属基嵌入工艺、线路板及嵌入式金属基产品，涉及线路板制作技术领域，该工艺对基板上用于嵌入金属基的金属基槽进行侧壁金属化，在多个金属基子结构中间叠加导电粘结材料，得到叠加有导电粘结材料的金属基，然后将该金属基放置到金属基槽内，...
    2026-01-31
  • 一种便于维护的电厂DCS主机及其工作方法
    一种便于维护的电厂DCS主机及其工作方法_南京东远科技有限公司_202510825943.6
    本发明属于DCS主机技术领域，且公开了一种便于维护的电厂DCS主机及其工作方法，包括机柜，机柜的内部安装有计算机主机、监视用显示器和安装盒，安装盒均匀设置有多个；安装盒的两侧皆固定连接有滑块，两个滑块均滑动安装在机柜的内壁，安装盒的内部设置...
    2026-01-31
  • 一种防爆型智能电动执行器模块化电磁隔离腔体
    一种防爆型智能电动执行器模块化电磁隔离腔体_江苏科力博自动化设备有限公司_202510826116.9
    本发明涉及电磁隔离腔体技术领域，具体公开了一种防爆型智能电动执行器模块化电磁隔离腔体，包括：执行器壳体，执行器壳体内部承载智能电动执行器模块，执行器壳体一侧开设通风口，密封机构，密封机构位于通风口内壁，隔离机构，隔离机构位于执行器壳体内部，...
    2026-01-31
  • 一种用于柔性微泵散热器件的超薄液态金属基复合封装结构及方法
    一种用于柔性微泵散热器件的超薄液态金属基复合封装结构及方法_上海交通大学_202510823034.9
    本发明属于封装技术领域，具体涉及一种用于柔性微泵散热器件的超薄液态金属基复合封装结构及方法，复合封装结构包括第一聚合物层、纳米金属连接层、超薄液态金属密封层和第二聚合物层；第一聚合物层包覆于待封装物外侧；超薄液态金属密封层涂敷于纳米金属连接...
    2026-01-31
  • 一种相变传热中框及其制作方法
    一种相变传热中框及其制作方法_深圳威铂驰热技术有限公司_202510825771.2
    本发明属于3C产品制造行技术领域，且公开了一种相变传热中框及其制作方法，包括中框，所述中框的表面开设有多个通孔；相变传热部件，所述相变传热部件安装在所述中框的内壁上，所述相变传热部件用于对中框的内部进行均匀散热；所述相变传热部件包括两个适配...
    2026-01-31
  • 一种全波段电磁调制结构、加工装置和加工方法
    一种全波段电磁调制结构、加工装置和加工方法_中国科学院西安光学精密机械研究所_202510821582.8
    本发明公开了一种全波段电磁调制结构、加工装置和加工方法，该结构包括从下到上叠层设置的微波吸收结构层、红外反射‑频率选择结构层和可见光吸收结构层，其中：微波吸收结构层包括多个多孔结构层，由多个多孔图案排布组成；红外反射‑频率选择结构层包括由红...
    2026-01-31
  • 硅基电容结构及其制备方法
    硅基电容结构及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202510825791.X
    本发明提供一种硅基电容结构及其制备方法，通过提供硅基衬底并在其上形成沟槽，随后在沟槽及衬底上依次形成绝缘层、n周期堆叠的导电层/介电层及顶层导电层，且顶层导电层未填充满沟槽以在沟槽内形成狭缝，有效优化了硅基电容的内部结构，该方法在使硅基电容...
    2026-01-31
  • 沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构及其形成方法、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备
    沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构及其形成方法、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202510829278.8
    本公开涉及一种沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构及其形成方法、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备，本公开实施例通过导电连通结构穿过介质层ILD将栅极沟槽结构底部的底部P+注入结构与源极金属结构连接，可大幅降低沟槽底部和拐角栅氧电...
    2026-01-31
  • 沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构形成方法及其元胞结构、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备
    沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构形成方法及其元胞结构、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202510829284.3
    本公开涉及一种沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构形成方法及其元胞结构、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备，公开实施例通过导电连通结构将栅极沟槽结构底部的底部P+注入结构与源极金属结构连接，可大幅降低沟槽底部和拐角栅氧电场强度，并...
    2026-01-31
  • 沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构形成方法及其元胞结构、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备
    沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构形成方法及其元胞结构、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202510829303.2
    本公开涉及一种沟槽型SiC MOSFET器件的元胞结构形成方法及其元胞结构、沟槽型SiC MOSFET器件和电子设备，所述方法包括：在衬底上生长衬底外延层；在衬底外延层进行离子注入；形成栅极沟槽，对栅极沟槽底部进行P+离子注入，以形成底部P...
    2026-01-31
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