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  • 本申请公开了一种耐火材料及其制备方法、耐火产品以及应用, 耐火材料以质量百分比计包括以下组份:88%~96%的ZrO2、0.4%~1.5%的Al2O3、3%~9%的SiO2、0.2%~0.6%的Bi2O3、0.2%~0.6%的SnO2以及0...
  • 本发明涉及一种电介质陶瓷组合物及层叠陶瓷电子部件。层叠陶瓷电子部件包含具有主相颗粒及晶界的电介质陶瓷组合物。主相颗粒含有钙钛矿化合物作为主成分。钙钛矿化合物至少含有Ca、Sr、Zr及Ti。电介质陶瓷组合物还含有添加物元素的氧化物。相对于B位...
  • 本发明涉及一种电介质陶瓷组合物及层叠陶瓷电子部件。电介质陶瓷组合物具有主相颗粒及存在于主相颗粒之间的晶界。主相颗粒含有钙钛矿化合物作为主成分。钙钛矿化合物至少含有Ca及Sr作为A位点元素, 至少含有Zr及Ti作为B位点元素。电介质陶瓷组合物...
  • 本发明适用于过渡金属硒化物功能材料制备技术领域, 提供了一种(Mo, W)Se2固溶体块体材料及其制备方法、应用, 包括以下步骤:将高纯元素粉末Mo、W、Se、Nb按照W1‑x‑yMoxNbySe2称量、混合、粉压成圆柱体, 其中, 0≤x...
  • 本发明涉及一种纳米自组装仿生陶瓷及其制备方法和应用, 所述纳米自组装仿生陶瓷包括多层基体层以及填充其间的纳米级厚度界面层, 基体层是块状陶瓷通过外电场自组装为块状填料头尾相接的基层结构, 多层所述基体层是由无机‑有机自组装结构的陶瓷生坯再排...
  • 本发明提供一种能够抑制热膨胀的含有硅‑碳化硅复合材料的蜂窝结构体、成型原料组合物及多孔质体的制造方法。该蜂窝结构体具备划分形成从一个端面延伸至另一个端面的多个孔格的隔壁, 所述隔壁含有碳化硅、硅以及烧成助剂, 所述烧成助剂含有氧化铝、氧化硅...
  • 本发明属于陶瓷材料技术领域, 公开了一种微观形貌可控的高熵硼化物复合碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。该方法是将Zr、Ta、Nb、W、Cr、B4C和SiB6经球磨、干燥、过筛, 得到混合粉体;将其装入内表面涂刷BN层的石墨模具中, 升温至185...
  • 本发明涉及一种高性能改性碳化硅的制备方法, 属于碳化硅陶瓷技术领域, 所述制备方法为:S1、将碳化硅粉体分散到去离子水中, 加入脂肪酸甘油酯改性剂, 混合均匀后, 得到碳化硅浆料;S2、对碳化硅浆料进行超声、固液分离、热处理固化得到改性碳化...
  • 本发明提供了一种棱柱状二硼化钛粉体的制备方法, 属于二硼化钛粉体技术领域;所述制备方法包括制备钛源、制备硼源、混料、冷等静压成型和碳热还原反应步骤;所述制备钛源步骤为, 将TiO2粉体液加热, 升温至52‑55℃, 加入钛酸四丁酯溶液, 搅...
  • 一种基于氮化硼颗粒级配策略的高抗热震氮化硼基侧封板材料的制备方法, 它涉及一种侧封板材料的制备方法。本发明是要解决六方氮化硼复合材料致密化困难, 烧结温度高导致生产成本增加, 以及过高烧结温度易导致力学性能下降, 材料发生各向异性, 致使某...
  • 本发明涉及材料技术领域, 尤其涉及一种氮化硼纳米管/氮化硅复合粉体及其制备方法和应用, 其制备方法为:将一定质量比的硅粉、硼粉、氮化硅稀释剂、铵盐通入氨气后混合均匀, 制备反应原料;氢气/氮气混合气中, 将反应原料进行燃烧合成, 制备氮化硼...
  • 本发明说明了一种织构化的氮化硅陶瓷基板的制备方法, 属于陶瓷制品技术领域。本发明通过设计在氮化硅陶瓷浆料中加入一定比例的长径在4‑15um, 短径在1‑3um的β‑氮化硅的晶须, 当含有β‑氮化硅的晶须通过流延机的刮刀时晶须有沿流延方向定向...
  • 本发明属于氮化硅陶瓷技术领域, 具体涉及一种高韧性氮化硅陶瓷及其制备方法, 包括如下步骤:将α‑Si3N4、烧结助剂和添加剂按质量比为85‑95:5‑10:1‑5混合, 进行湿法球磨;烧结助剂为MgO和/或Y2O3;添加剂为纳米ZrO2或T...
  • 本发明公开了一种无水泥浇注料用凝胶复合羧酸镁结合剂及其制备方法, 涉及耐火材料技术领域, 包括以下步骤:S1、将溶胶原料经热处理后, 研磨制成凝胶粉体;S2、将含有结晶水的羧酸镁原料经热处理脱去结晶水, 得到可水化羧酸镁粉体;S3、将所述凝...
  • 本发明公开了一种大尺寸锡槽底砖及其制备方法, 其一种大尺寸锡槽底砖及其制备方法包括以下份数的原材料:M70莫来石骨料35%、红柱石均化料45%、铝酸钙水泥1.5%、活性氧化铝微粉5%、锆复合硅微粉3%、α‑A12O3微粉5%、广西白泥2.5...
  • 本申请涉及一种适用于焊接陶瓷与铜材的活性复合钎料及其制备方法, 活性复合钎料由塑性基体层和活性涂层构成;塑性基体层为含有Ag、Cu、Ni中至少一种的金属箔;所述活性涂层为设置在塑性基体层上的活性金属层, 活性金属选自Ti、Zr、Cr、Hf、...
  • 本发明公开了一种半导体激光器热沉的制备方法, 涉及半导体激光器散热技术领域。本发明通过对氮化铝陶瓷进行磁控溅射表面处理, 增强陶瓷与金属的化学键合, 弥补了陶瓷表面的微观缺陷, 减少界面空隙。利用热等静压烧结, 结合钨铜合金与氮化铝陶瓷片,...
  • 本申请实施例提供一种荧光陶瓷, 包括荧光相、增韧陶瓷相以及气孔, 荧光相包括多个荧光颗粒, 增韧陶瓷相包括多个氧化锆增韧氧化铝颗粒, 荧光颗粒分散在增韧陶瓷相内, 至少部分气孔分散于氧化锆增韧氧化铝颗粒和荧光颗粒中的至少一种颗粒的交界处。增...
  • 本发明涉及一种多孔石英陶瓷及其制备方法, 属于陶瓷技术领域, 解决了现有制备多孔陶瓷的方法的烧结过程大量碳排放;现有的发泡法工艺不易控制, 产生的孔较大, 介电常数不好调的问题之一。陶瓷浆料以重量份计, 包括:二氧化硅200~900份, 聚...
  • 本发明涉及一种树脂渗透硅酸盐陶瓷复合材料及其制备方法, 制备方法包括以下步骤, (1)将硅酸盐陶瓷原料、添加剂与去离子水混合, 随后干燥得到陶瓷粉料;将陶瓷粉料依次进行单向轴压和部分烧结, 得到硅酸盐多孔陶瓷;(2)对步骤(1)得到的硅酸盐...
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