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最新专利技术
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410382912.3
    本申请公开一种半导体工艺设备， 属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括第一腔室和承载件， 第一腔室的腔室底壁设有开口， 承载件可升降地在第一高度位置和第二高度位置之间切换， 在承载件位于第一高度位置的情况下， 承载件封堵开口， 承载件与第一...
    2025-12-30
  • 基板载置台、基板处理装置以及基板载置台的制造方法
    基板载置台、基板处理装置以及基板载置台的制造方法_东京毅力科创株式会社_202510308580.9
    本公开涉及一种基板载置台、基板处理装置以及基板载置台的制造方法， 即使是在‑20℃以下对基板载置台上的基板实施处理的情况， 也抑制基板载置台中覆盖膜产生裂纹、剥离。提供一种基板载置台， 配置在基板处理装置的腔室内， 所述基板载置台在所载置的...
    2025-12-30
  • 一种镀膜工件桶自动翻转装置
    一种镀膜工件桶自动翻转装置_南阳清水科技有限公司_202510717686.4
    本发明公开了一种镀膜工件桶自动翻转装置， 包括一机架， 机架内部设有一工件桶， 工件桶外壁挂接有多个能自由旋转180度的工件框， 工件框内部挂接有工件， 工件框底端穿过工件桶底部连接有第一卡座；机架顶部设有能使工件桶旋转的顶部电机， 机架底...
    2025-12-30
  • 一种表面处理工艺参数设定方法及系统
    一种表面处理工艺参数设定方法及系统_东莞中锐表面处理有限公司_202510999135.1
    本申请属于表面处理技术领域， 公开了一种表面处理工艺参数设定方法及系统， 通过将多源实时状态信息的获取与当前层性能偏差的确定相结合， 并进一步引入对该偏差传递至后续层及最终膜系性能的负面影响度量分析， 从而能够根据该负面影响度量动态生成后续...
    2025-12-30
  • 一种柔性DLC膜的制备方法
    一种柔性DLC膜的制备方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410354964.X
    本发明公开了一种柔性DLC膜的制备方法， 包括：制备原始DLC膜；制备氧气等离子体；根据所述氧气等离子体对所述原始DLC膜进行处理， 获得柔性DLC膜。采用本发明的技术方案能够在保持DLC膜的硬度和耐磨性的同时， 使其具有柔性和弯曲性的特点...
    2025-12-30
  • 疏水性超疏水碳纤维材料制备方法
    疏水性超疏水碳纤维材料制备方法_吉林工程技术师范学院_202510632403.6
    本发明涉及超疏水碳纤维材料技术领域， 尤其涉及疏水性超疏水碳纤维材料制备方法， 包括以下步骤：将基底材料放置于超声清洗设备中清洗， 清洗后的基底材料浸泡于酸洗液中， 清洗完成后， 将基地材料放到低温烘箱中干燥， 干燥后的基底材料放置于气相沉...
    2025-12-30
  • 一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的方法及半导体外延基座
    一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的方法及半导体外延基座_湖南德智新材料股份有限公司_202511256016.3
    本发明涉及的技术领域， 提供了一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的方法及半导体外延基座， 该方法包括：对石墨基座进行预处理， 放置于化学气相沉积室内；对化学气相沉积室抽真空， 随后用惰性气体清洗化学气相沉积室；采用化学气相沉积工艺在石墨基座表面...
    2025-12-30
  • 半导体的表面处理方法
    半导体的表面处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410366120.7
    本发明的半导体的表面处理方法包括：将半导体置于化学气相沉积设备中， 控制反应室具有第一温度及第一压力， 在所述半导体的表面形成缓冲层；调节所述反应室具有第二温度和第二压力， 在所述缓冲层上形成第一氮化铝层；以及调节所述反应室具有第三温度和第...
    2025-12-30
  • 一种复合阻挡薄膜及其制备方法和制备系统
    一种复合阻挡薄膜及其制备方法和制备系统_江西省科学院应用化学研究所_202510908466.X
    本发明涉及一种复合阻挡薄膜的制备方法， 步骤如下：对衬底材料进行预处理；将预处理后的衬底材料输送至第一腔室内， 抽真空后输送至第二腔室内， 并在第二腔室内在衬底材料上沉积第一薄膜；将完成第一薄膜沉积的衬底材料输送至第一腔室内， 抽真空后输送...
    2025-12-30
  • 流体流分配器
    流体流分配器_克珞美瑞燃气涡轮有限公司_202510230699.9
    一种流体流分配器， 该流体流分配器包括歧管本体， 该歧管本体具有构造成接收涂覆气体的供应的第一室。一对入口喷嘴从歧管本体的上表面突出， 用于插入到涡轮机动叶片中， 以用于将涂覆气体输送至涡轮机动叶片的内部腔。入口喷嘴可以是渐缩的， 以便于将...
    2025-12-30
  • 原子层沉积方法
    原子层沉积方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511062525.2
    本发明涉及半导体加工技术领域， 具体而言， 涉及一种原子层沉积方法。所提供的原子层沉积方法， 包括：在工艺腔室内， 利用原子层沉积的方式， 在基底上形成目标膜层；向所述工艺腔室内通入清洁气体， 进行清洁处理；将所述工艺腔室温度升高至目标温度...
    2025-12-30
  • 一种SACVD制备硼磷硅玻璃的方法
    一种SACVD制备硼磷硅玻璃的方法_江苏邑文微电子科技有限公司_202511221734.7
    本发明属于半导体材料制备技术领域， 提供了一种SACVD制备硼磷硅玻璃的方法， 所述方法包括以下步骤：将晶圆置于SACVD装置的加热盘上进行加热， 在SACVD装置中通入反应保护气至反应压力并保持稳定状态；将气态反应源通入SACVD装置的尾...
    2025-12-30
  • 一种承载盘及薄膜沉积设备
    一种承载盘及薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202510957350.5
    本发明提供了一种承载盘及薄膜沉积设备， 涉及半导体技术领域。承载盘的盘体内部设置有冷却腔室， 且冷却腔室的体积V1和盘体的体积V2， 存在V1≥V2×50%的关系， 冷却腔室内充满冷却介质， 使承载盘的热场能够更大程度的由冷却介质来主导， ...
    2025-12-30
  • 非晶硅薄膜的制备方法
    非晶硅薄膜的制备方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410367037.1
    本发明的非晶硅薄膜的制备方法包括：在硅衬底上生长二氧化硅薄膜；在所述二氧化硅薄膜的表面形成纳米孔阵列层；在所述纳米孔阵列层上生长非晶硅薄膜；以及对所述非晶硅薄膜进行退火处理。该方法制造难度低、工艺简单、成本低， 提高生长速度和生长均匀性， ...
    2025-12-30
  • 一种等离子体混合沉积系统
    一种等离子体混合沉积系统_上海追得新材料科技有限公司_202510920265.1
    本发明公开一种等离子体混合沉积系统， 包括沉积腔体， 用于提供沉积环境；进气口， 设置在沉积腔体上， 用于通入沉积材料气体；等离子体发生单元；加速沉积单元；样品承载单元；出气口， 位于沉积腔体上， 用于排出气体；出气控制阀门， 设置在出气口...
    2025-12-30
  • 氟化保护膜的形成方法、其形成装置及气体流路设置组件
    氟化保护膜的形成方法、其形成装置及气体流路设置组件_圆益QNC股份有限公司_202510269909.5
    本发明涉及氟化保护膜的形成方法、其形成装置及气体流路设置组件， 可以利用包含CF4反应气体的工艺气体并通过特定处理条件的等离子体热处理在作为半导体沉积工艺设备中气体流路设置组件的喷淋头的表面及孔中形成稳定的AlFx保护膜， 尤其可以进一步调...
    2025-12-30
  • 一种垂直式等离子体增强低压Mist-CVD装置
    一种垂直式等离子体增强低压Mist-CVD装置_苏州镓和半导体有限公司_202510639274.3
    本发明公开了一种垂直式等离子体增强低压Mist‑CVD装置， 属于半导体装备技术领域， 所述装置包括：反应腔室1、真空控制和尾气处理模块50、雾化源供应模块51、等离子体激发模块52和气体供应模块53。本发明提出的装置结合了低压环境和射频等...
    2025-12-30
  • 薄膜沉积方法及半导体工艺设备
    薄膜沉积方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510935236.2
    本发明提供一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域。该薄膜沉积方法包括：沉积步， 对基底执行预设的等离子体增强化学气相沉积工艺后， 关闭高频射频功率， 保持开启低频射频功率， 并停止通入硅源气体；修复步， 提升低频射频功率运行...
    2025-12-30
  • 贴膜设备、贴膜方法及功率器件的制备方法
    贴膜设备、贴膜方法及功率器件的制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410376865.1
    本发明提供了一种贴膜设备、贴膜方法及功率器件的制备方法。该贴膜设备中的压膜本体具有第一压合面和第二压合面， 第一压合面和待贴膜基片内的凹槽底表面相匹配， 第二压合面和凹槽之外的第一表面相匹配， 从而可利用该压膜本体一次性对基片上的至少凹槽底...
    2025-12-30
  • 一种硅烷纳米陶瓷覆膜剂及其制备方法
    一种硅烷纳米陶瓷覆膜剂及其制备方法_山图(济南)新材料科技有限公司_202510284086.3
    本发明涉及金属表面处理技术领域， 尤其涉及一种硅烷纳米陶瓷覆膜剂及其制备方法。本发明的硅烷纳米陶瓷覆膜剂是采用硅烷技术开发出的适用于浸渍、喷淋法等处理方法的无磷皮膜金属处理剂， 能在金属表面生成一层难溶的纳米级转换膜。无有害重金属离子， 不...
    2025-12-30
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