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最新专利技术
  • 玻璃核心中的天线结构
    玻璃核心中的天线结构_英特尔公司_202510230506.X
    公开了玻璃核心中的天线结构。实施例可以包括一种设备， 所述设备包括：衬底， 其中， 所述衬底是非晶玻璃层；进入到所述衬底中的孔；以及所述孔中的结构， 其中， 所述结构包括：包括第一材料成分的第一部分；以及包括第二材料成分的第二部分， 其中，...
    2026-03-23
  • 半导体测试结构及其制造方法
    半导体测试结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411323120.5
    半导体测试结构包括基板、输入端、输出端、接点、顶部电极和连接线。基板包括测试区， 测试区包括隔离区以及被隔离区间隔开的主动区， 其中各主动区具有长轴并且在其上具有第一端和第二端。输入端与输出端设置于测试区的相对两侧， 其中第一端面向输入端，...
    2026-03-23
  • 一种芯片修整系统及方法
    一种芯片修整系统及方法_苏州芯路半导体有限公司_202511195493.3
    本申请提供了一种芯片修整系统及方法， 涉及芯片修整技术领域， 该系统包括：测试模式引脚、选择电路、核心电路和物理修整电路。当测试模式引脚使能时， 选择电路通过第一输出端向核心电路发送测试模式指令。当核心电路进入测试模式时， 测试输入引脚向选...
    2026-03-23
  • 半导体电路基板及其检查元件的配置方法、装置
    半导体电路基板及其检查元件的配置方法、装置_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511222045.8
    本申请提供一种半导体电路基板及其检查元件的配置方法、装置、计算机设备、可读存储介质和程序产品。在该半导体电路基板中， 同一规格的多个芯片部呈重复排列状配置且在各芯片部彼此之间设置有切割道， 其中， 芯片部具有：配置的低压器件比高压器件多的低...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510275805.5
    一种半导体装置包括：基底；第一杂质区域， 在基底中；过孔结构， 在第一方向上延伸并且延伸到第一杂质区域中；第二杂质区域， 围绕过孔结构的至少一部分；第一接触件， 在第二杂质区域上并且电连接到第二杂质区域；第一布线层， 在第一接触件上并且电连...
    2026-03-23
  • 显示面板与显示装置
    显示面板与显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510889109.3
    本申请涉及一种显示面板与显示装置， 显示面板包括：基板包括中心区以及环绕中心区设置的边缘区；静电防护层位于基板一侧；接地件位于基板远离静电防护层一侧；导电层， 至少部分位于基板远离静电防护层的一侧， 且与接地件电连接；至少部分在基板上的正投...
    2026-03-23
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202410835916.2
    一种形成半导体结构的方法包括依序形成多晶硅层与介电层于介电堆叠的顶层上；蚀刻多晶硅层与介电层以形成多个孔洞， 其中孔洞位于阵列区中， 且介电堆叠的顶层从孔洞露出；形成缓冲层于阵列区中以填满孔洞并覆盖介电层；依序回蚀介电层与多晶硅层的一部分，...
    2026-03-23
  • 电子装置
    电子装置_美律电子(深圳)有限公司_202410369133.X
    本申请涉及电子装置技术领域， 特别涉及一种电子装置。电子装置包括基板、封装件、间隔层、第一感测芯片、第一处理芯片、第二处理芯片以及胶体。基板具有上表面、下表面、通孔以及凹槽。封装件配置于上表面上且与基板定义出第一腔体。间隔层配置于上表面上且...
    2026-03-23
  • 一种计算芯片及电子设备
    一种计算芯片及电子设备_华为技术有限公司_202410371253.3
    本申请涉及芯片技术领域， 提供了一种计算芯片及电子设备， 该计算芯片包括第一芯片和第二芯片， 其中， 第一芯片和第二芯片沿第一芯片的厚度方向排布， 且第一芯片设置于第二芯片的表面；第一芯片包括第一硅衬底和至少一个计算单元， 至少一个计算单元...
    2026-03-23
  • 一种电子模块、电子组件及电子设备
    一种电子模块、电子组件及电子设备_华为技术有限公司_202410371814.X
    本申请提供了一种电子模块、电子组件及电子设备。该电子模块包括金属基板和电子元器件， 电子元器件固定于金属基板。金属基板包括金属板层、多孔金属材料层和连接金属层， 多孔金属材料层位于金属板层和连接金属层之间。多孔金属材料层内具有多个气孔， 气...
    2026-03-23
  • 半导体封装结构、制作方法及电子设备
    半导体封装结构、制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202410383656.X
    本申请公开了一种半导体封装结构、制作方法及电子设备， 其中， 半导体封装结构包括互联层、多个半导体器件及至少一个转接基板。多个半导体器件设置于互联层一侧的表面， 多个半导体器件包括用于处理信号的第一类半导体器件， 以及用于传输信号的第二类半...
    2026-03-23
  • 电子元件内置基板及其制造方法
    电子元件内置基板及其制造方法_新光电气工业株式会社_202510369913.9
    提供一种即使电子元件较厚也不易在宽度方向上大型化的电子元件内置基板及其制造方法。本电子元件内置基板具有：第一基板；第二基板， 搭载有电子元件；以及基板连接部件， 将所述第一基板的第一焊垫和所述第二基板的第二焊垫电连接， 其中， 所述第一基板...
    2026-03-23
  • 半导体器件压装组件
    半导体器件压装组件_株洲中车时代半导体有限公司_202410320727.1
    本发明提供一种半导体器件压装组件， 包括：第一绝缘压板、第二绝缘压板、若干个半导体组件和若干个连接杆；各连接杆的一端与第一绝缘压板连接， 各连接杆的另一端与第二绝缘压板连接， 第一绝缘压板和第二绝缘压板之间具有容置空间， 各半导体组件设置在...
    2026-03-23
  • 一种极片及极片的接带方法
    一种极片及极片的接带方法_厦门海辰储能科技股份有限公司_202410361680.3
    本发明公开了一种极片及极片的接带方法， 该极片包括第一极片带、第二极片带及胶带， 第一极片带的长度方向， 第一极片带具有第一端部；第二极片带的长度方向与第一极片带的长度方向相同， 沿第二极片带的长度方向， 第二极片带具有第二端部；胶带贴附于...
    2026-03-23
  • 干电极和干电极制造方法
    干电极和干电极制造方法_三星SDI株式会社_202510318828.X
    本申请涉及干电极和干电极制造方法。干电极包括：集流体， 包括具有凸起和凹陷的表面；以及自支撑膜， 包括活性物质、导电材料和纤维化粘结剂。自支撑膜直接层压在集流体的具有凸起和凹陷的表面上。
    2026-03-23
  • 一种金属负极用多孔聚合物涂层的制备方法
    一种金属负极用多孔聚合物涂层的制备方法_南京大学_202410381502.7
    本发明申请提供了一种金属负极用多孔聚合物涂层的制备方法， 主要技术包括：将聚合物、溶剂、非溶剂共混， 搅拌至聚合物完全溶解得到涂料；将所得涂料涂布在金属负极表面；干燥过程中通过非溶剂的挥发得到多孔聚合物涂层。本发明申请通过相转化法在金属负极...
    2026-03-23
  • 电极干燥装置
    电极干燥装置_三星SDI株式会社_202510068727.1
    本发明公开了一种电极干燥装置， 其包括：电极板可穿过的腔室；以及上调节单元， 位于腔室中， 并配置为调节电极板上方的热空气， 以防止由于流率的差异而导致的电极板的不均匀干燥。根据本公开的一个或更多个实施方式的电极干燥装置可以均匀地(均匀地或...
    2026-03-23
  • 涂布方法、浆料组合物及涂布装置
    涂布方法、浆料组合物及涂布装置_本田技研工业株式会社_202510234352.1
    提供一种能够提升高速涂布时的涂布性的涂布方法、浆料组合物及涂布装置。涂布方法是浆料组合物的涂布方法， 浆料组合物包括正极活性物质、导电助剂、粘合剂及溶剂。涂布方法包括如下工序：在使设有喷出口的喷出构件与基材相对移动的同时， 从喷出口喷出浆料...
    2026-03-23
  • 一种钠离子正极材料原子沉积方法、正极材料及应用
    一种钠离子正极材料原子沉积方法、正极材料及应用_重庆能源职业学院_202510879662.9
    本发明属于钠离子电池技术领域， 公开了一种钠离子正极材料原子沉积方法、正极材料及电池。其中， 钠离子正极材料原子沉积方法以Ni(NH2SiMe3)2为镍源前体， 高纯氮气为载气， 脉冲通入镍源前体， 随后通入高纯氮气第一次吹扫；然后以高纯氮...
    2026-03-23
  • 一种锂离子电池干法混料工艺
    一种锂离子电池干法混料工艺_肇庆理士电源技术有限公司_202510900630.2
    本发明公开了一种锂离子电池干法混料工艺， 涉及锂离子电池技术领域， 包括以下步骤， 将部分正极材料和导电剂加入搅拌装置中， 搅拌混合， 将粘结剂和剩余正极材料加入搅拌装置中， 搅拌混合， 将碳纳米管和无水乙醇加入容器中， 超声搅拌， 再将氧...
    2026-03-23
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