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最新专利技术
  • 一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法
    一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411497911.X
    本发明提供了一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法， 涉及光伏电池技术领域。所述基于晶硅P型基底的三五族叠层电池包括由下至上包括依次层叠的基底电池和顶层电池；其中， 所述基底电池为P型双面钝化TOPCon电池；其中， 所述顶层电池...
    2025-11-20
  • 背接触电池及其制备方法
    背接触电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511326028.9
    本发明提供了一种背接触电池及其制备方法， 其中背接触电池包括基底， 该基底具有第一表面， 第一表面包括第一区域；位于第一区域， 沿远离基底方向依次具有隧穿层、掺杂多晶硅层、第一本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层， 其中掺杂多晶硅层包括掺杂多晶硅...
    2025-11-20
  • 一种抗辐照III-V/Si太阳电池及其制备方法
    一种抗辐照III-V/Si太阳电池及其制备方法_华南理工大学_202510982752.0
    本申请提出一种抗辐照III‑V/Si太阳电池及其制备方法， 结合III‑V族材料和硅基材料的优势， 将Si底电池和III‑V顶电池连接形成III‑V/Si太阳电池；利用顶电池结构具有宽禁带多层量子阱结构， 有效地减少空间高能粒子的穿透导致的...
    2025-11-20
  • 一种太阳电池组件用汇流带与旁路二极管一体化模组
    一种太阳电池组件用汇流带与旁路二极管一体化模组_陕西众森电能科技有限公司_202511040442.3
    一种太阳电池组件用汇流带与旁路二极管一体化模组， 包括汇流带和二极管芯片， 属于太阳电池组件领域；其特征在于：所述汇流带与二极管芯片相接触；所述二极管芯片的正负极均与汇流带焊接固定， 制成带有旁路二极管的汇流带模组。通过将汇流带直接与二极管...
    2025-11-20
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511067530.2
    本申请涉及太阳能电池技术领域， 尤其涉及一种光伏组件。光伏组件包括层压件、绝缘件和边框， 沿层压件的周向， 绝缘件设置于层压件的边缘并与层压件接触， 在垂直于层压件的厚度方向的方向上， 层压件内的电池层位于绝缘件的投影轮廓内， 层压件的边缘...
    2025-11-20
  • 一种单行载流子光电器件、光载毫米波产生装置与方法
    一种单行载流子光电器件、光载毫米波产生装置与方法_中国科学院计算技术研究所_202410389856.6
    本发明为一种单行载流子光电器件器件、光载毫米波产生装置与方法， 包括衬底和位于所述衬底上的外延层和电极， 其中所述外延层包括依序叠加的蚀刻停止层、收集层、悬崖层、缓冲层、吸收层和阻挡层；所述缓冲层采用双极性掺杂结构， 用于平滑能带， 便于载...
    2025-11-20
  • 一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法
    一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511328947.X
    本发明涉及半导体器件领域， 公开了一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法， 其包括依次设置的绝缘衬底、N型氧化物半导体和P型半导体；P型半导体和N型氧化物半导体的界面形成Ⅱ型能带接触异质PN结；绝缘衬底和N型氧化物半导体层叠设置；...
    2025-11-20
  • 光电探测器结构及其形成方法
    光电探测器结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410431396.9
    一种光电探测器结构及其形成方法， 结构包括：光电二极管结构， 包括本征层、第一掺杂层和第二掺杂层， 本征层位于第一掺杂层和第二掺杂层之间， 第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型不同；应力调节层， 应力调节层位于第一掺杂层背向本征层的表...
    2025-11-20
  • 一种二硫化钼/三硒化二铟异质结光电晶体管
    一种二硫化钼/三硒化二铟异质结光电晶体管_四川大学_202410418291.X
    本发明属于电子元器件技术领域， 涉及一种光电晶体管， 特别是一种以MoS2/In2Se3异质结为导电层的偏振敏感光电晶体管。该MoS2/In2Se3异质结光电晶体管包括Si/SiO2基底、半导体MoS2纳米片、半导体In2Se3纳米片、源电...
    2025-11-20
  • 一种单面最小相干性全贯穿三维缠绕式沟槽电极探测器
    一种单面最小相干性全贯穿三维缠绕式沟槽电极探测器_鲁东大学_202511022428.0
    本发明公开了一种单面最小相干性全贯穿三维缠绕式沟槽电极探测器， 包括硅基体， 硅基体为长方体结构；硅基体中心设置中央阳极， 且硅基体外围设有沟槽阴极；沟槽阴极上部外侧表面覆盖阴极铝电极接触层；中央阳极上部外侧表面覆盖阳极铝电极接触层；硅基体...
    2025-11-20
  • 影像传感器结构
    影像传感器结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410496652.2
    本发明公开一种影像传感器结构， 包括基底与像素结构。基底包括彼此相对的正面与背面。像素结构包括栅极、介电层、光侦测器与浮置扩散区。栅极位于基底中。栅极包括彼此相对的第一面与第二面。第一面比第二面更靠近正面。第一面的宽度不同于第二面的宽度。介...
    2025-11-20
  • 图像感测器
    图像感测器_采钰科技股份有限公司_202411331715.5
    一种图像感测器， 包含超颖表面层。超颖表面层包含多个超颖柱体。图像感测器还包含光学功能层， 其位于超颖表面层上且覆盖超颖表面层。在像素区中， 超颖表面层的每个超颖柱体对应至光学功能层中的至少一开口或对应至该光学功能层中的多个光学功能柱体。
    2025-11-20
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202510144630.4
    本申请涉及图像感测装置。在实施方式中， 一种图像感测装置包括：光电转换元件， 其被配置为通过转换入射光来生成光电荷；传输晶体管， 其被配置为基于传输信号将由光电转换元件生成的光电荷传输到浮置扩散节点；复位晶体管， 其被配置为基于复位信号复位...
    2025-11-20
  • 光电转换装置、光电转换系统和移动物体
    光电转换装置、光电转换系统和移动物体_佳能株式会社_202510443246.4
    公开了光电转换装置、光电转换系统和移动物体。一种光电转换装置包括堆叠的第一芯片、第二芯片和第三芯片。第一芯片包括具有光电转换单元和第一读出电路的第一半导体层、以及第一布线结构。第二芯片包括具有存储器和输出电路的第二半导体层、以及第二布线结构...
    2025-11-20
  • 一种图像传感器、电子设备
    一种图像传感器、电子设备_华为技术有限公司_202410390835.6
    本申请实施例提供一种图像传感器、电子设备， 涉及光电转换技术领域， 用于缓解对焦像素对周边像素的影响。该图像传感器中的第一像素结构设置于衬底内。第一像素结构包括第一光电转换部、第二光电转换部以及第三N型掺杂层。第一光电转换部包括用于形成PN...
    2025-11-20
  • 芯片结构及形成方法
    芯片结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410437418.2
    本发明提供一种芯片结构及形成方法， 其中芯片结构包括：衬底， 衬底包括若干相互邻接的芯片区， 各芯片区包括中心区以及包围中心区的切割道区；位于中心区上的功能电路结构， 功能电路结构的引脚延伸至切割道区上， 相邻芯片区的切割道区上的功能电路结...
    2025-11-20
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510132793.0
    一种图像传感器包括：光电转换器件， 所述光电转换器件位于衬底中；分隔结构， 所述分隔结构位于所述衬底中并且位于所述光电转换器件之间；绝缘结构， 所述绝缘结构位于所述衬底和所述分隔结构上；滤色器， 所述滤色器位于所述绝缘结构上；以及栅格结构，...
    2025-11-20
  • 图像传感器以及其制造方法
    图像传感器以及其制造方法_意法半导体国际公司_202510440107.6
    本公开的各实施例涉及图像传感器及其制造方法。本说明书涉及一种图像传感器， 包括半导体衬底， 包括：第一表面；多孔层， 由电绝缘和多孔材料制成， 在所述第一表面上被开口穿过；每个开口中的有色滤光片；第一防潮保护层， 覆盖所述开口外的所述多孔层...
    2025-11-20
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202510876219.6
    本申请属于显示领域， 具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器， 阵列基板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、第一半导体层、第二金属层、栅极绝缘层和第三金属层， 第一金属层包括漏极和光电二极管的下电极， 下电极与漏极导电连...
    2025-11-20
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202510897225.X
    本申请属于显示领域， 具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器， 阵列基板包括衬底基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、源极、第一电极和光电转换层， 第一金属层形成在衬底基板一侧， 第一金属层包括栅极， 栅极绝缘层形成在第一...
    2025-11-20
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