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  • 本发明公开一种掺铝氧化锌薄膜及其制备方法,涉及透明导电材料技术领域,以解决现有采用原子层沉积技术制备的掺铝氧化锌薄膜存在导电性不足、膜层均匀性不足的问题。一种掺铝氧化锌薄膜制备方法包括:提供一基底;在基底上形成缓冲层;缓冲层包括介电层、多层...
  • 本发明涉及防腐涂层技术领域,特别是涉及一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用,包括采用原子层沉积技术制备的Al2O3过渡底层和周期性叠层结构,Al2O3过渡底层沉积在基底表面,周期性叠层结构沉积在Al2O3过渡底层上侧,周期性叠层结构包括重复交...
  • 本发明属于电子封装载板技术领域,公开了一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用,制备方法包括:选取异质衬底,进行清洗、种晶后引入牺牲层;通过化学气相沉积在经过步骤一预处理后的衬底上生长出致密连续的超薄金刚石膜;对金刚石薄膜依次进行表面清洁、活化...
  • 一种用于处理衬底的设备可以包括:由室壁部分地限定的反应室;设置在室壁中的壁加热单元;设置在反应室内以支撑衬底的衬底支撑件;被构造和布置成面向衬底支撑件的喷淋头;设置在喷淋头中的喷淋头加热单元;以及控制器,其配置成控制壁加热单元和喷淋头加热单...
  • 一种基板处理装置,包括:处理腔室,配置为提供用于处理基板的处理空间;气体注入器,配置为将处理气体注入到基板上;排气管线,配置为提供用于排放残留在处理腔室中的工艺副产物的气体传输路径;辅助管线,连接到排气管线,并且配置为提供用于将压力调节气体...
  • 本发明提供一种改善原子层沉积氮化硅薄膜缺陷的方法,在一个原子层沉积氮化硅薄膜的沉积步骤之后,执行一清洁步骤,清洁步骤包括:在反应腔室内,于第一温度下对反应腔室执行高温清洁;在将反应腔室的温度从第一温度降低至第二温度的过程中,执行至少两个降温...
  • 本发明公开了一种加热盘内置驱动机构及其薄膜沉积设备,加热盘内置驱动机构,其包括内设通腔的壳体,设置于通腔内的定子,设置于定子内的转子,固定连接于转子内的转轴,连接于壳体的上端的上压盖组件以及连接于壳体的下端的下压盖组件,转轴的上端由上压盖组...
  • 本发明涉及真空镀膜领域,具体涉及一种新型镀膜导气设备,包括有入气口相连接的上层导气板和中层导气板,上层导气板和中层导气板上下拼接形成用于分散气体的分流通道,分流通道与入气口相连通,中层导气板底部设有与分流通道相互连通的下层导气板,下层导气板...
  • 本申请公开了聚焦环制备用化学气相沉积炉,所述聚焦环制备用化学气相沉积炉包括:化学气相沉积炉本体,喷淋单元,堵塞预防组件,导流组件,为了解决现有技术中,普通的化学气相沉积炉在制备聚焦环时,气态前驱体注入炉内时,由于喷淋头内温度过高分解产生颗粒...
  • 本发明公开了一种基于多孔SnO2纳米棒限域孤立铂原子的高效气体传感器的制备方法,通过ALD技术将孤立Pt原子精准沉积于SnO2孔道内,利用限域效应和单原子催化协同作用,显著降低传感器工作温度(190℃),提升对丙酮的灵敏度(Ra/Rg=6....
  • 本发明提供一种多气源协同控制的金刚石生长反应气输送装置,涉及金刚石制备技术领域,包括:支撑底座;所述支撑底座顶部设置有拱形撑架,支撑底座顶部呈排列状安装有三个增压抽排气泵,增压抽排气泵分别与三个不同的输气管路相连通;所述增压抽排气泵外部连接...
  • 本发明涉及一种实现大尺寸均匀沉积薄膜的微波等离子体增强原子层沉积或微波等离子体增强化学气相沉积设备及工艺,包括共振导波腔、反应腔室、气体分散环、石英隔离板和天线网环,共振导波腔的上腔体进行独特设计;气体分散环设置于共振导波腔外周面且用于往共...
  • 本发明公开了一种加热的前驱体传输管路及其薄膜沉积设备,管路包括:内设有管腔的传输管路组件、主加热单元、补偿加热单元、第一保温单元以及第二保温单元;主加热单元和补偿加热单元沿着传输管路组件的长度方向贴合于传输管路组件的外壁,第一保温单元贴合于...
  • 本申请涉及气相沉积技术领域,尤其涉及一种气相沉积炉,包括沉积室,具有工件固定槽,工件固定槽的槽壁形成沉积室的内壁,工件固定槽被配置为固定工件,以使工件的非涂层表面与工件固定槽的槽壁相贴合,并使工件的涂层表面外露,以解决涂层脱落影响工件良率的...
  • 本发明提供了一种高温加热结构,通过模块化分体设计与热膨胀补偿架构的协同创新,显著提升1650℃工况下的可靠性和能效,采用双数弧形石墨板合围侧壁加热体和半数量扇形石墨板拼接顶部加热体,结合榫卯接口与钼合金弹性补偿片,使热膨胀应力分散率明显提升...
  • 本申请公开了一种等离子体处理装置及其设备,属于等离子体处理的技术领域,其包括炉管本体,所述炉管本体内设置有炉管工艺腔体和等离子体反应腔体,所述等离子体反应腔体内安装有进气管和电极棒,所述进气管位于所述电极棒远离所述炉管工艺腔体一侧,所述炉管...
  • 本发明提供了一种填充罐、控制方法,以及一种薄膜沉积设备。一种填充罐包括:内壳,包括固定部及压缩部,其中,所述固定部的第一端与所述压缩部的第一端固定连接,以形成容纳反应物的容置腔;以及驱动气缸,其第一端与所述压缩部的第二端连接,其中,所述驱动...
  • 本发明公开了一种用于化学气相沉积法中的倾斜反应炉和料盒,其主要特征是生产装置包括料盒、封闭腔室、料盒输送装置和出料装置,封闭腔室包括入口端、出口端和中间管道,中间管道包括上层管道,上层管道包括倾斜反应炉;料盒在上层管道中的开口顷斜朝上,料盒...
  • 本发明公开了一种用于化学气相沉积法中的链式料盒及其出料方法,其生产装置包括料盒、封闭腔室、链式输送机和出料装置,封闭腔室包括入口端、出口端和中间管道,中间管道包括上层管道,上层管道包括反应炉,链式输送机包括链条和链轮;料盒固定于链条上,上层...
  • 本发明涉及CVD镀膜技术领域,尤其涉及一种基于卷对卷CVD镀膜的基材张力调节装置,包括箱体、第一螺杆、管道和活动块,箱体内部安装有反应室,箱体内部安装有若干导向辊,若干所述导向辊之间安装有调节辊,箱体内部转动安装有第一螺杆,箱体内部滑动安装...
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